一种像素结构以及微发光二极管的转移方法技术

本发明专利技术公开了一种像素结构以及微发光二极管的转移方法，属于显示面板制造领域，本发明专利技术公开了一种像素结构，其包括：纵横交错的数据线和扫描线、与数据线平行的电源线、由扫描线、数据线和电源线围设形成的像素区域以及位于像素区域内的电容电极，还包括位于像素区域内且与电容电极连接的键合金属层以及设置在键合金属层内的对位标记，本发明专利技术将对位标记设置在键合金属层上，通过微发光二极管和对位标记进行对位操作，既能够保证微发光二极管转移过程中的对位精度，同时又不影响微发光二极管的驱动，并且不增加任何其他的结构，不改变现有的制造流程，不会增加新的工艺流程，实现生产经济化。

A Pixel Structure and Transfer Method of Micro-Light Emitting Diode

The invention discloses a pixel structure and a method for transferring micro-light-emitting diodes, belonging to the field of display panel manufacturing. The invention discloses a pixel structure, which comprises a crisscross data line and scanning line, a power line parallel to the data line, a pixel area formed by a scanning line, a data line and a power line, and a capacitive electrode located in the pixel area. The method includes a key alloy metal layer located in the pixel region and connected with the capacitive electrode and a corresponding mark set in the key alloy metal layer. The positioning mark is set on the key alloy metal layer, and the positioning operation is carried out through the micro-light emitting diode and the corresponding mark. The positioning accuracy in the transfer process of the micro-light emitting diode can be guaranteed without affecting the driving of the micro-light emitting diode. Without adding any other structure, changing the existing manufacturing process, adding no new process, and realizing the economic production.

【技术实现步骤摘要】
一种像素结构以及微发光二极管的转移方法
本专利技术涉及一种像素结构，尤其涉及一种像素结构以及微发光二极管的转移方法。
技术介绍
目前，微发光二极管（MicroLED）的转移技术因面板的尺寸的不同而不同，如图1所示为现有技术中微发光二极管面板的示意图，对于小尺寸的微发光二极管面板1，转移基板（图未示）可以实现所有像素区域8的微发光二极管（图未示）一次性全部转移完成，因此对于小尺寸的微发光二极管面板1，仅需要在显示区2外围四周设置对位标记3即可实现微发光二极管的精准对位，这种方案适合小尺寸的穿戴设备上，并不适合大尺寸微发光二极管显示面板。对于大尺寸微发光二极管显示面板，目前解决该问题的技术方案有三种：第一种方案是尽可能的增大转移背板的尺寸，尽可能的通过一次转移实现大尺寸微发光二极管显示面板的制作，该方案在理论上确实可以减少转移次数，并且提升转移精度，但是转移背板尺寸越大，对转移设备的稳定性及控制精度要求就会越高，并且转移背板尺寸过大，会导致弯曲变形，从而最终导致微发光二极管的位置发生偏差，显示的均一性变差，并且大尺寸转移背板受外界环境因素影响比较大，温度湿度都会对大尺寸的转移背板产生形变影响，从而最终影响显示面板的显示效果。第二种方法是利用图案化牺牲层形成直接对准金属化堆栈并在刻蚀p-n二极管层期间将图案化牺牲层用作刻蚀停止层以形成多个微p-n二极管，该方案采用刻蚀的方式进行，刻蚀工艺会产生一定的公差，刻蚀同样对微发光二极管与显示面板的结合产生了更高的要求，如果结合不紧密，在刻蚀过程中会发生脱落，同时，采用这种方案，微发光二极管发生脱落，该方案是无法二次修复的。第三中方案是直接在大尺寸微发光二极管背板上通过多次转移，并最终制造出大尺寸微发光二极管面板，该方案是目前最经济的一种方案，但是由于要进行多次转移，这就对每次转移的微发光二极管对位精度提出非常高的要求，现有技术中，一般采用设置凹槽和凸起的方式进行转移，但是在这个过程中，对于定位的精度还是无法保证，并且制造凹槽和凸起会增加制造成本。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术公开了一种像素结构、阵列基板制造方法及微发光二极管的转移方法，该方案在显示面板的像素结构中形成对位标记，在转移的过程中，通过对位标记与微发光二极管进行对位操作，实现对位精度提升，并且不增加任何其他的结构，不改变现有的制造流程，不会增加新的工艺流程，实现生产经济化。一种像素结构，其包括：纵横交错的数据线和扫描线、与数据线平行的电源线、由扫描线、数据线和电源线围设形成的像素区域以及位于像素区域内的电容电极，还包括位于像素区域内且与电容电极连接的键合金属层以及设置在键合金属层内的对位标记。优选的，还包括位于像素区域内的第一薄膜晶体管开关和第二薄膜晶体管开关，第一薄膜晶体管开关的第一漏极与电容电极连接，第二薄膜晶体管开关的第二漏极与键合金属层连接。优选的，所述第一薄膜晶体管开关的第一栅极与扫描线连接，第一薄膜晶体管开关的第一源极与数据线连接；第二薄膜晶体管开关的第二栅极与电容电极连接，第二薄膜晶体管开关的第二源极与电源线连接。优选的，所述电容电极包括与第一薄膜晶体管开关的第一栅极同层设置的第一电极、与第一薄膜晶体管开关的第一漏极同层设置的第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的绝缘层。优选的，所述键合金属层与第一薄膜晶体管开关的第一栅极同层设置；或者所述键合金属层与第一薄膜晶体管开关的第一源极同层设置；或者第一薄膜晶体管开关的第一栅极和第一源极同层设置且所述键合金属层与第一薄膜晶体管开关的第一栅极和第一源极同层设置。优选的，所述键合金属层为空心结构，所述对位标记为实心金属结构，所述对位标记位于键合金属层的中心位置延伸至键合金属层的边框并与键合金属层连接。优选的，所述键合金属层为实心结构，所述对位标记为形成在键合金属层中心位置的凹槽结构。优选的，所述键合金属层大小为45um-55um*45um-55um，所述键合金属层由钛、镍、铜、金或者其合金构成。本专利技术还公开了一种采用上述像素结构的阵列基板制造方法，包括以下步骤：第一步，在基板上形成第一金属层，通过曝光和刻蚀，形成横向设置的扫描线、第一薄膜晶体管开关的第一栅极、第二薄膜晶体管开关的栅极以及电容电极的第一电极；第二步，在第一步的基础上，形成绝缘膜层；第三步，在第二步基础上，形成半导体层和第二金属层，通过曝光和刻蚀形成纵向设置的数据线和电源线，数据线和电源线以及第一步中形成的扫描线围成一个像素区域、第一薄膜晶体管开关的第一源极和第一漏极、第二薄膜晶体管开关的第二源极和第二漏极、电容电极的第二电极以及位于像素区域内且与电容电极第二电极连接的键合金属层、在键合金属层中形成对位标记。本专利技术还公开了一种利用上述的像素结构进行微发光二极管的转移方法，包括以下步骤：第一步，将转移背板移动到载体基板上方，转移头与载体基板上的微发光二极管进行对位；第二步，转移头吸附微发光二极管；第三步，转移头拾取微发光二极管；第四步，转移背板带动转移头和微发光二极管移动到基板上方；第五步，通过对微发光二极管和对位标记进行对位操作，调整微发光二极管的位置；第六步，微发光二极管与键合金属层进行键合；第七步，转移头与微发光二极管分离。进一步的，所述步骤第五步中，对位操作为光学对位，具体的包括以下步骤：在同一位置对像素结构和转移头进行拍照；将拍好的两张照片传送给处理器进行计算，算出微发光二极管和键合金属层的对位标记的偏移距离和角度，根据计算的偏移距离和角度，移动转移头，调整微发光二极管的位置，修正偏移量，循环上述步骤，直到完成对位。与现有技术相比，本专利技术将对位标记设置在键合金属层上，通过微发光二极管和对位标记进行对位操作，既能够保证微发光二极管转移过程中的对位精度，同时又不影响微发光二极管的驱动，并且不增加任何其他的结构，不改变现有的制造流程，不会增加新的工艺流程，实现生产经济化。附图说明图1为现有技术中微发光二极管面板的示意图；图2为本专利技术微发光二极管的像素结构的第一实施例示意图；图3为本专利技术微发光二极管的像素结构的第二实施例示意图；图4为本专利技术微发光二极管的像素结构的第三实施例示意图；图5为本专利技术微发光二极管的像素结构的第四实施例示意图；图6为本专利技术微发光二极管的像素结构的第五实施例示意图；图7为本专利技术微发光二极管的像素结构的第六实施例示意图；图8为本专利技术第一、第二、第三实施例微发光二极管键合金属部分的侧视示意图；图9为本专利技术第四、第五、第六实施例微发光二极管键合金属部分的侧视示意图；图10为本专利技术微发光二极管电路图；图11为本专利技术微发光二极管的转移方法步骤之一示意图；图12为本专利技术微发光二极管的转移方法步骤之二示意图；图13为本专利技术微发光二极管的转移方法步骤之三示意图；图14为本专利技术微发光二极管的转移方法步骤之四示意图；图15为本专利技术微发光二极管的转移方法步骤之六示意图；图16为本专利技术微发光二极管的转移方法步骤之七示意图。附图标记列表：1-微发光二极管面板，2-显示区，3-对位标记，4-转移背板，5-转移头，6-微发光二极管，7-载体基板，8-像素区域，9-键合金属层，10-数据线，11-扫描线，12-电源线，13-基板，14-第一薄膜晶体管开关，15-第二薄膜晶体管开关本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素结构，其包括：纵横交错的数据线和扫描线、与数据线平行的电源线、由扫描线、数据线和电源线围设形成的像素区域以及位于像素区域内的电容电极，其特征在于：还包括位于像素区域内且与电容电极连接的键合金属层以及设置在键合金属层内的对位标记。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，其包括：纵横交错的数据线和扫描线、与数据线平行的电源线、由扫描线、数据线和电源线围设形成的像素区域以及位于像素区域内的电容电极，其特征在于：还包括位于像素区域内且与电容电极连接的键合金属层以及设置在键合金属层内的对位标记。2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于：还包括位于像素区域内的第一薄膜晶体管开关和第二薄膜晶体管开关，第一薄膜晶体管开关的第一漏极与电容电极连接，第二薄膜晶体管开关的第二漏极与键合金属层连接。3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于：所述第一薄膜晶体管开关的第一栅极与扫描线连接，第一薄膜晶体管开关的第一源极与数据线连接；第二薄膜晶体管开关的第二栅极与电容电极连接，第二薄膜晶体管开关的第二源极与电源线连接。4.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于：所述电容电极包括与第一薄膜晶体管开关的第一栅极同层设置的第一电极、与第一薄膜晶体管开关的第一漏极同层设置的第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的绝缘层。5.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于：所述键合金属层与第一薄膜晶体管开关的第一栅极同层设置；或者所述键合金属层与第一薄膜晶体管开关的第一源极同层设置；或者第一薄膜晶体管开关的第一栅极和第一源极同层设置且所述键合金属层与第一薄膜晶体管开关的第一栅极和第一源极同层设置。6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱景辉，王鸣昕，黄洪涛，徐尚君，高威，
申请(专利权)人：南京中电熊猫平板显示科技有限公司，南京中电熊猫液晶显示科技有限公司，南京华东电子信息科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32