The invention discloses a pixel structure and a method for transferring micro-light-emitting diodes, belonging to the field of display panel manufacturing. The invention discloses a pixel structure, which comprises a crisscross data line and scanning line, a power line parallel to the data line, a pixel area formed by a scanning line, a data line and a power line, and a capacitive electrode located in the pixel area. The method includes a key alloy metal layer located in the pixel region and connected with the capacitive electrode and a corresponding mark set in the key alloy metal layer. The positioning mark is set on the key alloy metal layer, and the positioning operation is carried out through the micro-light emitting diode and the corresponding mark. The positioning accuracy in the transfer process of the micro-light emitting diode can be guaranteed without affecting the driving of the micro-light emitting diode. Without adding any other structure, changing the existing manufacturing process, adding no new process, and realizing the economic production.
【技术实现步骤摘要】
一种像素结构以及微发光二极管的转移方法
本专利技术涉及一种像素结构,尤其涉及一种像素结构以及微发光二极管的转移方法。
技术介绍
目前,微发光二极管(MicroLED)的转移技术因面板的尺寸的不同而不同,如图1所示为现有技术中微发光二极管面板的示意图,对于小尺寸的微发光二极管面板1,转移基板(图未示)可以实现所有像素区域8的微发光二极管(图未示)一次性全部转移完成,因此对于小尺寸的微发光二极管面板1,仅需要在显示区2外围四周设置对位标记3即可实现微发光二极管的精准对位,这种方案适合小尺寸的穿戴设备上,并不适合大尺寸微发光二极管显示面板。对于大尺寸微发光二极管显示面板,目前解决该问题的技术方案有三种:第一种方案是尽可能的增大转移背板的尺寸,尽可能的通过一次转移实现大尺寸微发光二极管显示面板的制作,该方案在理论上确实可以减少转移次数,并且提升转移精度,但是转移背板尺寸越大,对转移设备的稳定性及控制精度要求就会越高,并且转移背板尺寸过大,会导致弯曲变形,从而最终导致微发光二极管的位置发生偏差,显示的均一性变差,并且大尺寸转移背板受外界环境因素影响比较大,温度湿度都会对大尺寸的转移背板产生形变影响,从而最终影响显示面板的显示效果。第二种方法是利用图案化牺牲层形成直接对准金属化堆栈并在刻蚀p-n二极管层期间将图案化牺牲层用作刻蚀停止层以形成多个微p-n二极管,该方案采用刻蚀的方式进行,刻蚀工艺会产生一定的公差,刻蚀同样对微发光二极管与显示面板的结合产生了更高的要求,如果结合不紧密,在刻蚀过程中会发生脱落,同时,采用这种方案,微发光二极管发生脱落,该方案是无法二次修复的 ...
【技术保护点】
1.一种像素结构,其包括:纵横交错的数据线和扫描线、与数据线平行的电源线、由扫描线、数据线和电源线围设形成的像素区域以及位于像素区域内的电容电极,其特征在于:还包括位于像素区域内且与电容电极连接的键合金属层以及设置在键合金属层内的对位标记。
【技术特征摘要】
1.一种像素结构,其包括:纵横交错的数据线和扫描线、与数据线平行的电源线、由扫描线、数据线和电源线围设形成的像素区域以及位于像素区域内的电容电极,其特征在于:还包括位于像素区域内且与电容电极连接的键合金属层以及设置在键合金属层内的对位标记。2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于:还包括位于像素区域内的第一薄膜晶体管开关和第二薄膜晶体管开关,第一薄膜晶体管开关的第一漏极与电容电极连接,第二薄膜晶体管开关的第二漏极与键合金属层连接。3.根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于:所述第一薄膜晶体管开关的第一栅极与扫描线连接,第一薄膜晶体管开关的第一源极与数据线连接;第二薄膜晶体管开关的第二栅极与电容电极连接,第二薄膜晶体管开关的第二源极与电源线连接。4.根据权利要求3所述的像素结构,其特征在于:所述电容电极包括与第一薄膜晶体管开关的第一栅极同层设置的第一电极、与第一薄膜晶体管开关的第一漏极同层设置的第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的绝缘层。5.根据权利要求3所述的像素结构,其特征在于:所述键合金属层与第一薄膜晶体管开关的第一栅极同层设置;或者所述键合金属层与第一薄膜晶体管开关的第一源极同层设置;或者第一薄膜晶体管开关的第一栅极和第一源极同层设置且所述键合金属层与第一薄膜晶体管开关的第一栅极和第一源极同层设置。6.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于:所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱景辉,王鸣昕,黄洪涛,徐尚君,高威,
申请(专利权)人:南京中电熊猫平板显示科技有限公司,南京中电熊猫液晶显示科技有限公司,南京华东电子信息科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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