用于将显像剂分配至基板上的分配头制造技术

本公开提供一种用于将显像剂分配至基板上的分配头。分配头包括一壳体，配置用以接收显像剂。分配头还包括设置于壳体上的至少一液体出口。液体出口配置用以将显像剂喷洒在基板上的一长形区域上，且液体出口配置成沿着一分配方向喷洒显像剂，其中分配方向倾斜于基板的一法线方向且垂直于长形区域的一长轴方向。

Distribution head for dispensing imaging agent to substrate

The present disclosure provides a distribution head for distributing a imaging agent to a substrate. The distribution head includes a housing configured to receive the imaging agent. The distribution head also includes at least one liquid outlet arranged on the housing. The liquid outlet configuration is used to spray the imaging agent on a long area of the substrate, and the liquid outlet is configured to spray the imaging agent along a distribution direction inclined to a normal direction of the substrate and perpendicular to a long axis direction of the long area.

【技术实现步骤摘要】
用于将显像剂分配至基板上的分配头
本公开实施例涉及一种半导体技术，特别涉及一种用于分配显像剂的分配头(dispensinghead)。
技术介绍
半导体集成电路(semiconductorintegratedcircuits)产业经历了指数级的成长。在集成电路材料以及设计上的技术进步下，产生了多个世代的集成电路，其中每一世代较前一世代具有更小更复杂的电路。在集成电路发展的过程中，功能密度(即，每一芯片区域内互连元件的数目)通常会增加，而几何尺寸(即，工艺中所能产出的最小元件(或者线))则会缩小。一般而言，此种尺寸缩小的工艺可提供增加生产效率以及降低制造成本的好处。然而，随着特征尺寸不断减小，工艺实施的难度也变得越来越高。这些工艺包括如沉积工艺、光刻工艺、蚀刻工艺等各种常见的工艺。因此，形成尺寸越来越小的可靠的半导体装置是一大挑战。
技术实现思路
本公开一些实施例提供一种用于将显像剂分配至基板上的分配头。分配头包括一壳体，以及至少一液体出口。壳体配置用以接收显像剂。液体出口配置用以将显像剂喷洒在基板上的一长形区域上，且液体出口配置成沿着一分配方向(dispensingdirection)喷洒显像剂，其中分配方向相对于基板的一法线方向呈倾斜且垂直于长形区域的一长轴方向。本公开一些实施例提供一种用于将显像剂分配至基板上的分配头。分配头包括一壳体，配置用以接收显像剂，且壳体包括靠近基板的一长形表面。分配头还包括从长形表面延伸的多个喷嘴。喷嘴配置成以倾斜的方式将显像剂喷洒在基板上的一长形区域上。本公开一些实施例提供一种用于将显像剂分配至基板上的方法。上述方法包括将显像剂喷洒在基板上的一长形区域上，长形区域沿着一第一方向延伸。特别地，显像剂沿着一第二方向被喷洒，且第二方向相对于基板的一法线方向呈倾斜且垂直于第一方向。上述方法还包括旋转基板以将显像剂散布在基板上。附图说明图1显示根据一些实施例的一显像剂分配设备的示意图。图2显示图1中的分配头的放大图，其中分配头中的结构及/或构件被描绘成虚线。图3显示另一视角的图1中的分配头的放大图，其中分配头中的结构及/或构件被描绘成虚线。图4A示意性地示出图1中的分配头以倾斜的方式将显像剂喷洒在基板上。图4B示意性地示出显像剂的分配方向垂直于基板上的分配区域的长轴方向。图5示意性地示出根据一些实施例的一分配头中的结构及/或构件。图6示意性地示出根据一些实施例的一分配头中的结构及/或构件。图7示意性地示出根据一些实施例的一分配头中的结构及/或构件。图8显示根据一些实施例的一用于将显像剂分配至基板上的方法的流程图。图9示意性地示出根据一些实施例的一用于将显像剂分配至基板上的方法的一中间阶段。图10示意性地示出根据一些实施例的一用于将显像剂分配至基板上的方法的一中间阶段。其中，附图标记说明如下：1～显像剂分配设备；2～基板；10～基板台；10A～转轴；11～储存单元；12～显像剂；13～泵；14～过滤器；15～阀；16～导管；17、17'、17″、17″′～分配头；18～壳体；18A～上壳体部分；18B～下壳体部分；184～倾斜表面；19A～第一液体导管；19B～第二液体导管；191～液体入口；192～液体出口；192'～长形液体出口；193～液体入口；194～液体出口；20～液体整流器；21～喷嘴；22～储液槽；23～控制阀；80～方法；81、82、83～操作；D～线性方向；L～长轴；N～法线方向；R～长形区域；S～分配方向；T～长度；HV～水平流动速度；α～角度。具体实施方式以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例以实施本案的不同特征。以下的公开内容叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以简化说明。当然，这些特定的范例并非用以限定。例如，若是本公开叙述了一第一特征形成于一第二特征之上或上方，即表示其可能包含第一特征与第二特征是直接接触的实施例，也可能包含了有附加特征形成于第一特征与第二特征之间，而使第一特征与第二特征可能未直接接触的实施例。另外，以下公开不同范例可能重复使用相同的参考符号及/或标记。这些重复是为了简化与清晰的目的，并非用以限定所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。为了简单和清楚起见，各种特征可能以不同比例任意绘制。本公开中所描述的先进光刻工艺、方法和材料可用于许多应用，包括鳍式场效晶体管(fin-typefieldeffecttransistors(FinFETs))。举例来说，本文的公开内容非常适合用于将鳍片图案化以在特征之间产生相对紧密的间隔。另外，在形成FinFETs的鳍片所使用的间隔物也可以根据本文的公开内容来处理。此外，空间相关用词，例如“在…下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”及类似的用词，为是了便于描述图示中一个元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系。除了在图式中绘示的方位外，这些空间相关用词意欲包含使用中或操作中的装置的不同方位。装置可能被转向不同方位(旋转90度或其他方位)，则在此使用的空间相关词也可依此相同解释。图1显示根据一些实施例用于在光刻工艺中执行一光致抗蚀剂显像步骤的一显像剂分配设备1的示意图。在光致抗蚀剂显像步骤中，显像剂分配设备1将一显像剂(溶液)分配至一基板2上，以溶解在光刻工艺中的一光掩模(mask或reticle)曝光步骤中所形成的光致抗蚀剂层(图未示)的可溶区域。光致抗蚀剂层可为负光致抗蚀剂或正光致抗蚀剂。在负光致抗蚀剂的情况下，基板2上的光致抗蚀剂层的可溶、未曝光区域可被显像剂溶解，而不溶、交联的(cross-linked)曝光区域则保持电路图案的形式。在正光致抗蚀剂的情况下，基板2上的光致抗蚀剂层的可溶、曝光区域可被显像剂溶解，而不溶、未曝光区域则保持电路图案的形式。基板2可为由硅或其他半导体材料所制成的一半导体晶片。可替换地(alternatively)或附加地(additionally)，基板2可能包括其他基本半导体材料，例如锗(Ge)。在一些实施例中，基板2由复合半导体所制成，例如碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)、砷化铟(InAs)、或磷化铟(InP)。在一些实施例中，基板2由合金半导体所制成，例如硅锗(SiGe)、硅锗碳(SiGeC)、磷砷化镓(GaAsP)、或磷化铟镓(GaInP)。在一些实施例中，基板2包括一外延层(epitaxiallayer)。举例来说，基板2具有覆盖一体型半导体(bulksemiconductor)的外延层。在一些其他实施利中，基板2为一绝缘体上覆硅(silicon-on-insulator(SOI))或一绝缘体上覆锗(germanium-on-insulator(GOI))基板。请参照图1，在一些实施例中，显像剂分配设备1包括一基板台10、一储存单元11、一泵13、一过滤器14、一阀15、一导管16、及一分配头17。应了解的是，一些附加元件可以加入显像剂分配设备1中，并且在显像剂分配设备1的其他实施例中可以替换或消除以下所述的一些元件。在一些实施例中，基板台10配置用以在光致抗蚀剂显像步骤中保持、定位、移动、及以其他方式操作基板2。基板台10是相对于分配头17定位，以允许来自分配头17的一显像剂12(将在下面进一步说明)被喷洒在放置在基板台10上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于将一显像剂分配至一基板上的分配头，其特征在于，包括：一壳体，配置用以接收所述显像剂；以及至少一液体出口，设置于所述壳体上，其中所述液体出口配置用以将所述显像剂喷洒在所述基板上的一长形区域上，且所述液体出口配置用以沿着一分配方向喷洒所述显像剂，所述分配方向相对于所述基板的一法线方向呈倾斜且垂直于所述长形区域的一长轴方向。

【技术特征摘要】
2017.11.22 US 62/589,604;2018.01.18 US 15/873,9441.一种用于将一显像剂分配至一基板上的分配头，其特征在于，包括：一壳...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵家峥，王忠诚，陈俊光，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71