SiC晶锭的成型方法技术

本发明专利技术提供一种高效地成型出SiC晶锭的SiC晶锭的成型方法。本发明专利技术的SiC晶锭的成型方法包括下述工序：保持工序，利用卡盘工作台(14)对从SiC晶锭生长基台(2)切割得到的原始SiC晶锭(4)的切割面(6)进行保持；平坦化工序，对卡盘工作台(14)所保持的原始SiC晶锭(4)的端面(8)进行磨削而将其平坦化；c面检测工序，从平坦化后的端面(8’)对原始SiC晶锭(4)的c面进行检测；第一端面形成工序，对平坦化后的端面(8’)进行磨削，形成相对于c面以偏离角α倾斜的第一端面(8”)；以及第二端面形成工序，利用卡盘工作台(14)对第一端面(8”)进行保持并对原始SiC晶锭(4)的切割面(6)进行磨削，以与第一端面(8”)平行的方式形成第二端面(6’)。

Forming method of SiC ingot

The invention provides a method for forming SiC ingot which can efficiently form SiC ingot. The forming method of the SiC ingot of the present invention includes the following processes: holding process, using chuck table (14) to maintain the cutting surface (6) of the original SiC ingot (4) cut from the SiC ingot growth base (2); flattening process, grinding and flattening the end surface (8) of the original SiC ingot (4) maintained by chuck table (14); and C-plane detection process, from the flattened end surface.\uff08 8') Testing the C-face of the original SiC ingot (4); grinding the flattened end face (8') to form the first end face (8\) inclined relative to the C-face at a deviation angle of alpha; and forming the second end face by using chuck table (14) to maintain the first end face (8\) and grinding the cutting face (6) of the original SiC ingot (4) to grind the first end face (8\). \u201d) The second end face (6') is formed in a parallel manner.

【技术实现步骤摘要】
SiC晶锭的成型方法
本专利技术涉及SiC晶锭的成型方法。
技术介绍
利用交叉的多条分割预定线进行划分而在SiC(碳化硅)晶片的正面形成多个功率器件、LED等器件。圆盘状的SiC晶片是将圆柱状的SiC晶锭用划片锯等切片而形成的，但划片锯的切削量比较大，将近80％的SiC晶锭以切削屑的形式被废弃，具有生产效率差的问题(例如参见专利文献1)。因此，本申请人提出了下述技术：将具有对于SiC晶锭来说为透过性的波长的激光光线的聚光点定位在相当于要生成的晶片的厚度的深度，对SiC晶锭照射激光光线，形成改质层；该改质层中，SiC分离成Si(硅)和C(碳)，并且裂纹沿c面延伸；从SiC晶锭剥离要生成的晶片，来实现生产效率的提高(例如参见专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010-251638号公报专利文献2：日本特开2016-111143号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是，尚未确立高效地成型出SiC晶锭的方法。因此，本专利技术的目的在于提供一种高效地成型出SiC晶锭的方法。用于解决课题的手段根据本专利技术，提供一种SiC晶锭的成型方法，其具备下述工序：保持工序，利用卡盘工作台对从SiC晶锭生长基台切割得到的原始SiC晶锭的切割面进行保持；平坦化工序，对该卡盘工作台所保持的原始SiC晶锭的端面进行磨削而将其平坦化；c面检测工序，从平坦化后的该端面对原始SiC晶锭的c面进行检测；第一端面形成工序，对平坦化后的该端面进行磨削，形成相对于c面以偏离角倾斜的第一端面；以及第二端面形成工序，利用卡盘工作台对该第一端面进行保持并对原始SiC晶锭的该切割面进行磨削，以与该第一端面平行的方式形成第二端面。优选的是，在该c面检测工序中，从在该平坦化工序中平坦化后的端面将具有对于SiC来说为透过性的波长的激光光线的聚光点定位在原始SiC晶锭的内部而对原始SiC晶锭照射激光光线，形成改质层；该改质层中，SiC分离成Si和C，并且裂纹沿c面延伸；从平坦化后的端面观察该改质层，对c面进行检测。优选的是，在该第一端面形成工序之后，在原始SiC晶锭的周面与形成偏离角的方向平行地形成第一定向平面，并且从该第一端面侧观察原始SiC晶锭，在该第一定向平面的右侧形成与第一定向平面正交的第二定向平面。优选的是，该第二定向平面形成得比该第一定向平面短。专利技术效果根据本专利技术，能够抑制被废弃的原材料量，能够从原始SiC晶锭高效地成型出SiC晶锭。附图说明图1的(a)是SiC晶锭生长基台的主视图，(b)是从SiC晶锭生长基台切割得到的原始SiC晶锭的立体图。图2的(a)是原始SiC晶锭和衬底的立体图，(b)是安装有衬底的原始SiC晶锭和卡盘工作台的立体图，(c)是示出实施保持工序后的状态的立体图。图3是示出实施平坦化工序的状态的立体图。图4的(a)是示出在c面检测工序中在原始SiC晶锭的内部形成改质层的状态的立体图，(b)是示出在c面检测工序中在原始SiC晶锭的内部形成改质层的状态的主视图，(c)是在内部形成了改质层的原始SiC晶锭的主视图。图5的(a)是示出在卡盘工作台与衬底之间设置有楔的状态的主视图，(b)是示出实施第一端面形成工序的状态的主视图。图6的(a)是形成有第一和第二定向平面的原始SiC晶锭的主视图，(b)是形成有第一和第二定向平面的原始SiC晶锭的俯视图。图7的(a)是示出实施第二端面形成工序的状态的主视图，(b)是SiC晶锭的主视图，(c)是SiC晶锭的立体图。具体实施方式以下参照附图对本专利技术的SiC晶锭的成型方法的实施方式进行说明。图1的(a)示出了利用适宜的结晶生长方法由SiC(碳化硅)晶种生长的圆柱状的六方晶单晶SiC的SiC晶锭生长基台2。在本实施方式中，将利用划片锯或内圆锯等切割装置从SiC晶锭生长基台2以适宜的轴向尺寸(例如3cm左右)切割得到的圆柱状的原始SiC晶锭4用作要成型的SiC晶锭的原材料。如图1的(b)所示，原始SiC晶锭4具有从SiC晶锭生长基台2切割时形成的切割面6、以及在SiC晶锭生长基台2的结晶生长时所形成的生长端面8。在轴向上的作为一个端面的切割面6整体上是平坦的，但具有凹凸。在轴向上的作为另一端面的生长端面8整体上是圆顶状(半球形状)的，且具有凹凸。需要说明的是，实施本专利技术的SiC晶锭的成型方法的原始SiC晶锭也可以是轴向上的两个端面为切割面。在本实施方式中，首先实施保持工序，利用卡盘工作台对从SiC晶锭生长基台2切割得到的原始SiC晶锭4的切割面6进行保持。参照图2的(a)进行说明，在保持工序中，首先借助适宜的粘接剂将平坦的圆板状的衬底10安装于原始SiC晶锭4的切割面6。衬底10的直径稍大于原始SiC晶锭4的直径。另外，如图2的(b)和图2的(c)所示，能够用于保持工序的保持单元12是在上表面具有圆形状的吸附卡盘16的圆形状的卡盘工作台14。卡盘工作台14利用旋转单元(未图示)以穿过卡盘工作台14的径向中心且沿上下方向延伸的轴线作为旋转中心进行旋转，并且利用进给单元(未图示)沿图2的(c)中箭头X所示的实质上水平的X轴方向进行进退。多孔质的吸附卡盘16与吸引单元(未图示)连接，并且吸附卡盘16的直径稍小于衬底10的直径。参照图2的(b)和图2的(c)继续进行说明，在保持工序中，如上所述将衬底10安装于原始SiC晶锭4的切割面6之后，使衬底10朝下而将原始SiC晶锭4载置于卡盘工作台14。在将原始SiC晶锭4载置于卡盘工作台14时，将原始SiC晶锭4的径向中心与卡盘工作台14的径向中心(旋转中心)对齐。接下来，使连接于吸附卡盘16的吸引单元工作，在吸附卡盘16的上表面生成吸引力。由此，吸附卡盘16以规定的吸引力吸附衬底10，从而能够借助衬底10而利用卡盘工作台14对原始SiC晶锭4的切割面6进行保持。需要说明的是，在保持工序中将衬底10安装于原始SiC晶锭4的切割面6是为了利用卡盘工作台14对具有凹凸的切割面6进行保持。原始SiC晶锭4的切割面6具有凹凸，因而切割面6与吸附卡盘16无法密合，因此即使吸引单元工作，也会从在切割面6与吸附卡盘16之间产生的间隙吸入空气，无法用吸附卡盘16吸附切割面6。因此，在使吸引单元工作时，通过将平坦至可利用吸附卡盘16吸附的程度的衬底10安装于原始SiC晶锭4的切割面6，能够借助衬底10而利用卡盘工作台14对原始SiC晶锭4的切割面6进行保持。在实施保持工序后实施平坦化工序，对卡盘工作台14所保持的原始SiC晶锭4的端面(在本实施方式中为生长端面8)进行磨削而将其平坦化。平坦化工序可以使用例如在图3中示出一部分的磨削装置18来实施。磨削装置18包含与电动机(未图示)连结且沿上下方向延伸的圆柱状的主轴20、以及固定于主轴20的下端的圆板状的磨轮安装座22。在磨轮安装座22的下表面利用螺栓24固定有环状的磨削磨轮26。沿周向隔开间隔呈环状配置的2个以上的磨削磨具28被固定在磨削磨轮26的下表面的外周边部。参照图3继续进行说明，在平坦化工序中，首先将保持有原始SiC晶锭4的卡盘工作台14定位在磨削磨具28的下方。此时，使卡盘工作台14的旋转中心相对于磨削磨轮26的旋转中心位移，以使得磨削磨具28通过卡盘工作台14的旋转中心。接下来，利用旋转单元使卡盘工作台1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SiC晶锭的成型方法，其具备下述工序：保持工序，利用卡盘工作台对从SiC晶锭生长基台切割得到的原始SiC晶锭的切割面进行保持，平坦化工序，对该卡盘工作台所保持的原始SiC晶锭的端面进行磨削而将其平坦化，c面检测工序，从平坦化后的该端面对原始SiC晶锭的c面进行检测，第一端面形成工序，对平坦化后的该端面进行磨削，形成相对于c面以偏离角倾斜的第一端面，以及第二端面形成工序，利用卡盘工作台对该第一端面进行保持并对原始SiC晶锭的该切割面进行磨削，以与该第一端面平行的方式形成第二端面。

【技术特征摘要】
2017.11.22 JP 2017-2245091.一种SiC晶锭的成型方法，其具备下述工序：保持工序，利用卡盘工作台对从SiC晶锭生长基台切割得到的原始SiC晶锭的切割面进行保持，平坦化工序，对该卡盘工作台所保持的原始SiC晶锭的端面进行磨削而将其平坦化，c面检测工序，从平坦化后的该端面对原始SiC晶锭的c面进行检测，第一端面形成工序，对平坦化后的该端面进行磨削，形成相对于c面以偏离角倾斜的第一端面，以及第二端面形成工序，利用卡盘工作台对该第一端面进行保持并对原始SiC晶锭的该切割面进行磨削，以与该第一端面平行的方式形成第二端面。2.如权利要求1所述的SiC晶锭...

【专利技术属性】
技术研发人员：平田和也，酒井敏行，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP