过孔结构及其制造方法、电子器件、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术是关于一种过孔结构及其制造方法、电子器件、显示装置，属于电子技术领域。所述过孔结构包括：依次设置的第一导电层、层间绝缘层和第二导电层，所述层间绝缘层具有过孔，所述过孔的内壁面为凹凸不平的曲面，所述第二导电层通过所述过孔与所述第一导电层搭接。本发明专利技术避免了第二导电层位于过孔内的部分脱落，从而避免了第二导电层与第一导电层出现搭接不良。本发明专利技术用于导电层的搭接。

Through-hole structure and its manufacturing method, electronic device and display device

The invention relates to a through hole structure and its manufacturing method, electronic device and display device, and belongs to the field of electronic technology. The through-hole structure includes: a first conductive layer, an interlayer insulation layer and a second conductive layer arranged in sequence, the interlayer insulation layer having a through-hole, the inner wall of the through-hole is a rough surface, and the second conductive layer is overlapped with the first conductive layer through the through-hole. The invention avoids part of the second conductive layer falling off in the through hole, thereby avoiding bad overlap between the second conductive layer and the first conductive layer. The invention is used for lapping of conductive layer.

【技术实现步骤摘要】
过孔结构及其制造方法、电子器件、显示装置
本专利技术涉及电子
，特别涉及一种过孔结构及其制造方法、电子器件、显示装置。
技术介绍
诸如触控屏、显示屏等显示装置中通常包括过孔结构，传统的过孔结构包括依次设置的第一导电层、层间绝缘层和第二导电层，层间绝缘层具有过孔，第二导电层通过该过孔与第一导电层搭接，层间绝缘层远离第一导电层的一面为光滑的平面，过孔的内壁面为光滑的曲面。但是，由于过孔的内壁面为光滑的曲面，因此第二导电层位于过孔内的部分容易脱落，导致第二导电层与第一导电层出现搭接不良。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种过孔结构及其制造方法、电子器件、显示装置，可以解决传统的过孔结构中第一导电层与第二导电层搭接不良的问题。所述技术方案如下：第一方面，提供一种过孔结构，所述过孔结构包括：依次设置的第一导电层、层间绝缘层和第二导电层，所述层间绝缘层具有过孔，所述过孔的内壁面为凹凸不平的曲面，所述第二导电层通过所述过孔与所述第一导电层搭接。可选的，所述层间绝缘层远离所述第一导电层的一面为凹凸不平的表面。可选的，所述层间绝缘层远离所述第一导电层的一面和所述过孔的内壁面的粗糙度的取值范围为0.05d≤r≤0.15d，所述r表示所述粗糙度，所述d表示所述层间绝缘层的厚度。第二方面，提供一种过孔结构的制造方法，所述方法包括：在衬底基板上依次形成第一导电层、初始绝缘层和掩膜图形层，所述掩膜图形层具有开口区域；在所述初始绝缘层上与所述开口区域对应的区域形成过孔，得到层间绝缘层；对所述过孔的内壁面进行粗糙化处理；在所述层间绝缘层远离所述第一导电层的一侧形成第二导电层，所述第二导电层通过所述过孔与所述第一导电层搭接；其中，所述第一导电层、所述层间绝缘层和所述第二导电层构成所述过孔结构。可选的，在所述层间绝缘层远离所述第一导电层的一侧形成第二导电层之前，所述方法还包括：对所述层间绝缘层远离所述第一导电层的一面进行粗糙化处理。可选的，在对所述层间绝缘层远离所述第一导电层的一面进行粗糙化处理之前，所述方法还包括：剥离所述掩膜图形层。可选的，在对所述过孔的内壁面进行粗糙化处理之后，所述方法还包括：剥离所述掩膜图形层。可选的，所述对所述过孔的内壁面进行粗糙化处理，包括：采用预设的等离子体轰击所述过孔的内壁面，以对所述过孔的内壁面进行粗糙化处理，所述等离子体包括氦气、氩气和氧气中的至少一种。第三方面，提供一种电子器件，所述电子器件包括：上述第一方面任一所述的过孔结构。第四方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括：上述第三方面所述的电子器件。本专利技术的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：本专利技术实施例提供的过孔结构及其制造方法、电子器件、显示装置。由于在过孔结构中，过孔的内壁面为凹凸不平的曲面，因此增大了第二导电层位于过孔内的部分与过孔的内壁面的粘结力，避免第二导电层位于过孔内的部分脱落，从而避免第二导电层和第一导电层出现搭接不良，提高第二导电层和第一导电层的搭接效果。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本专利技术。附图说明为了更清楚地说明本专利技术的实施例，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种过孔结构的结构示意图。图2是本专利技术实施例提供的另一种过孔结构的结构示意图。图3是本专利技术实施例提供的一种过孔结构的制造方法的方法流程图。图4是本专利技术实施例提供的一种在衬底基板上依次形成第一导电层、初始绝缘层和掩膜图形层后的示意图。图5是本专利技术实施例提供的一种在初始绝缘层上与掩膜图形层的开口区域对应的区域形成过孔后的示意图。图6是本专利技术实施例提供的一种对过孔的内壁面进行粗糙化处理后的示意图。图7是本专利技术实施例提供的一种剥离掩膜图形层后的示意图。图8是本专利技术实施例提供的一种在层间绝缘层远离第一导电层的一侧形成第二导电层后的示意图。图9是本专利技术实施例提供的另一种过孔结构的制造方法的方法流程图。图10是本专利技术实施例提供的一种剥离层间绝缘层上掩膜图形层的示意图。图11是本专利技术实施例提供的一种对过孔的内壁面和层间绝缘层远离第一导电层的一面进行粗糙化处理后的示意图。此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部份实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。显示装置中通常包括过孔结构，过孔结构通常包括依次设置的第一导电层、层间绝缘层和第二导电层，层间绝缘层上具有过孔，第二导电层通过该过孔与第一导电层搭接，在传统的过孔结构中，层间绝缘层远离第一导电层的一面为光滑的平面，过孔的内壁面为光滑的曲面，这使得第二导电层位于过孔内的部分以及第二导电层位于层间绝缘层上的部分均容易脱落，导致第二导电层与第一导电层出现搭接不良。为了避免第二导电层脱落，目前主要在通过刻蚀工艺在层间绝缘层上形成过孔的过程中，改变刻蚀工艺的刻蚀参数来修正过孔的坡度角(坡度角指的是过孔的内壁面与第一导电层靠近层间绝缘层的一面所在平面的夹角)。但是，受刻蚀工艺的限制，修正过孔的坡度角需要对刻蚀参数进行频繁调整，实现难度较大，同时，修正过孔的坡度角时，若该层间绝缘层存在膜层不均匀的情况，则无法达到预期的修正效果，因此对层间绝缘层的成膜的均匀性的要求较高。本专利技术实施例提供了一种过孔结构及其制造方法、电子器件、显示装置，在过孔结构中，层间绝缘层具有过孔，过孔的内壁面和层间绝缘层远离第一导电层的一面为凹凸不平的表面，因此第二导电层位于过孔内的部分与过孔的内壁面的粘结力以及第二导电层与层间绝缘层的粘结力均较大，可以避免第二导电层脱落，从而避免第二导电层与第一导电层出现搭接不良。并且本专利技术实施例提供的方案无需通过改变刻蚀参数来修正过孔的坡度角，易于实现且对层间绝缘层的成膜的均匀性的要求较低。本专利技术的详细方案请参考下述实施例的描述。请参考图1，其示出了本专利技术实施例提供的一种过孔结构的结构示意图。该过孔结构包括：依次设置的第一导电层10、层间绝缘层20和第二导电层30，层间绝缘层20具有过孔(图1中未标出)，过孔的内壁面(图1中未标出)为凹凸不平的曲面，第二导电层30通过该过孔与第一导电层10搭接。综上所述，本专利技术实施例提供的过孔结构，由于过孔的内壁面为凹凸不平的曲面，因此增大了第二导电层位于过孔内的部分与过孔的内壁面的粘结力，避免第二导电层位于过孔内的部分脱落，从而避免第二导电层和第一导电层出现搭接不良，提高第二导电层和第一导电层的搭接效果。可选的，如图2所示，其示出了本专利技术实施例提供的另一种过孔结构的结构示意图，层间绝缘层20远离第一导电层10的一面为凹凸不平的表面。其中，过孔结构具有过孔区域和非过孔区域，过孔区域指的是层间绝缘层20的过孔所在区域(也即是层间绝缘层20的过孔在过孔结构的对应区域)，非过孔区域指本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种过孔结构，其特征在于，所述过孔结构包括：依次设置的第一导电层、层间绝缘层和第二导电层，所述层间绝缘层具有过孔，所述过孔的内壁面为凹凸不平的曲面，所述第二导电层通过所述过孔与所述第一导电层搭接。

【技术特征摘要】
1.一种过孔结构，其特征在于，所述过孔结构包括：依次设置的第一导电层、层间绝缘层和第二导电层，所述层间绝缘层具有过孔，所述过孔的内壁面为凹凸不平的曲面，所述第二导电层通过所述过孔与所述第一导电层搭接。2.根据权利要求1所述的过孔结构，其特征在于，所述层间绝缘层远离所述第一导电层的一面为凹凸不平的表面。3.根据权利要求2所述的过孔结构，其特征在于，所述层间绝缘层远离所述第一导电层的一面和所述过孔的内壁面的粗糙度的取值范围为0.05d≤r≤0.15d，所述r表示所述粗糙度，所述d表示所述层间绝缘层的厚度。4.一种过孔结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上依次形成第一导电层、初始绝缘层和掩膜图形层，所述掩膜图形层具有开口区域；在所述初始绝缘层上与所述开口区域对应的区域形成过孔，得到层间绝缘层；对所述过孔的内壁面进行粗糙化处理；在所述层间绝缘层远离所述第一导电层的一侧形成第二导电层，所述第二导电层通过所述过孔与所述第一导电层搭接；其中，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张雷，孙大庆，邱伟，闫方亮，
申请(专利权)人：绵阳京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51