一种磁控溅射镀膜生产线制造技术

本实用新型专利技术涉及一种磁控溅射镀膜生产线，包括进片室，设于进片室出料端的进片缓冲室，设于进片缓冲室出料端的进片过渡室，设于进片过渡室出料端的镀膜室，设于镀膜室出料端的出片过渡室，设于出片过渡室出料端的出片缓冲室，及设于出片缓冲室出料端的出片室；所述镀膜室为若干个，且镀膜室内设置有若个干阴极旋转靶位、直流平面靶位。本实用新型专利技术的提供的磁控溅射镀膜生产线，可生产出具有良好的隔热、节能和耐候性能，可同时满足红外线高吸收/反射率，可见光高透过，紫外线高阻隔的产品，也可以生产建筑节能改造玻璃。

A Production Line for Magnetron Sputtering Coating

The utility model relates to a magnetron sputtering film production line, which comprises an inlet chamber, an inlet buffer chamber at the outlet end of the inlet chamber, an inlet transition chamber at the outlet end of the inlet buffer chamber, a coating chamber at the outlet end of the inlet buffer chamber, an outlet transition chamber at the outlet end of the outlet of the plating chamber, an outlet buffer chamber at the outlet end of the outlet buffer chamber, and an outlet buffer chamber at the outlet end of the outlet buffer chamber. The plating chamber is composed of several plating chambers, and a dry cathode rotating target position and a DC plane target position are arranged in the plating chamber. The magnetron sputtering film production line provided by the utility model can produce products with good heat insulation, energy saving and weather resistance, which can simultaneously meet the requirements of high infrared absorption/reflectivity, high visible light transmission and high ultraviolet barrier, and also can produce energy-saving reconstruction glass for buildings.

【技术实现步骤摘要】
一种磁控溅射镀膜生产线
本技术涉及镀膜设备，更具体地说是指一种磁控溅射镀膜生产线。
技术介绍
磁控溅射镀膜是目前常采用的一种镀膜方法，国内磁控溅射镀膜设备分为单面阴极溅射靶位设计和单一中频阴极溅射或者单一直流阴极溅射。不仅设备产能低、生产成本高，而且工艺产品单一，产品质量不稳定。目前的磁控溅射腔室内部温度不均匀、不稳定，不仅会影响膜层的特性还会增加产品的破片率，导致生产良率不高。现在，用于制造太阳选择性吸收镀层的真空镀膜机有单真空室镀膜机和步进式镀膜生产线。其中单真空镀膜机具有结构简单，价格低廉优势，由于这种镀膜机采用单次循环镀膜生产方式每次完成镀膜生产过程需要对真空室进行放气及抽真空的循环操作，溅射环境气氛难以稳定，镀膜质量没有保证，效率低下。单机多台操作，设备状况难达到一致并且需要多人操作，易造成性能差异。步进式产能较低，单位成本大，并且容易产生针孔、露白等镀膜缺陷。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种磁控溅射镀膜生产线。为实现上述目的，本技术采用以下技术方案：一种磁控溅射镀膜生产线，包括进片室，设于进片室出料端的进片缓冲室，设于进片缓冲室出料端的进片过渡室，设于进片过渡室出料端的镀膜室，设于镀膜室出料端的出片过渡室，设于出片过渡室出料端的出片缓冲室，及设于出片缓冲室出料端的出片室；所述镀膜室为若干个，且镀膜室内设置有若个干阴极旋转靶位、直流平面靶位。其进一步技术方案为：所述进片室的进料端，进片室的出料端与进片缓冲室的进料端之间，进片缓冲室的出料端与进片过渡室的进料端之间，出片过渡室的出料端与出片缓冲室的进料端之间，出片缓冲室的出料端与出片室的进料端之间，及出片室的出料端，均设有真空隔离门。其进一步技术方案为：所述真空隔离门包括驱动气缸，设于驱动气缸动力输出端的转轴，固定于转轴的弯杆，及固定于弯杆的密封板；所述驱动气缸通过转轴及弯杆的联动，以推动密封板运动。其进一步技术方案为：还包括真空系统；所述真空系统包括均与进片室、进片缓冲室、进片过渡室、镀膜室、出片过渡室、片缓冲室、出片室联通的若干个机械真空泵，均与进片室、进片缓冲室、进片过渡室、镀膜室、出片过渡室、片缓冲室、出片室联通的若干个罗茨泵，均与进片缓冲室、进片过渡室、出片过渡室、出片缓冲室联通的若干个扩散泵，及与镀膜室联通的若干个分子泵；所述分子泵设置于镀膜室上侧；所述真空系统保证生产线的真空度。其进一步技术方案为：所述阴极旋转靶位包括电机组件、与电机组件传动联接的靶头组件，固定于靶头组件的喷涂靶管，及设于喷涂靶管远于靶头组件一端的靶尾组件；所述喷涂靶管内部设有靶芯组件。其进一步技术方案为：所述直流平面靶位包括靶座，设于靶座下端的铜基材，固定于铜基的靶材；所述靶座下端与铜基材形成有空腔结构，所述空腔结构设有磁铁块。其进一步技术方案为：所述靶座设有进出水管，且进出水管与空腔结构联通；所述靶座外侧及远于靶材的一端均设有屏蔽板。其进一步技术方案为：还包括红外辐射辅助加热器；所述红外辐射辅助加热器分别设于进片室、进片缓冲室、进片过渡室、镀膜室、出片过渡室、出片缓冲室内侧；所述镀膜室内，红外辐射辅助加热器与阴极旋转靶位、直流平面靶位间隔设置。其进一步技术方案为：所述镀膜室为二个以上；所述镀膜室设有若干个相互联通的工作室；所述红外辐射辅助加热器与阴极旋转靶位、直流平面靶位分别设于相应的工作室；所述工作室与相应的分子泵联通。其进一步技术方案为：还包括冷却装置，所述冷却装置包括冷冻机，冷却泵，冷水塔及若干导管；所述冷冻机与冷水塔联通；所述冷却泵均与所述进片室、进片缓冲室、进片过渡室、镀膜室、出片过渡室、出片缓冲室、出片室联通。本技术与现有技术相比的有益效果是：本技术的提供的磁控溅射镀膜生产线，可生产出具有良好的隔热、节能和耐候性能，可同时满足红外线高吸收/反射率，可见光高透过，紫外线高阻隔的产品，也可以生产建筑节能改造玻璃。下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步描述。附图说明图1为本技术一种磁控溅射镀膜生产线的立体结构图；图2为本技术一种磁控溅射镀膜生产线的正视图；图3为本技术一种磁控溅射镀膜生产线的侧视图；图4为本技术一种磁控溅射镀膜生产线的镀膜室的立体图；图5为本技术一种磁控溅射镀膜生产线的镀膜室的剖视图；图6为本技术一种磁控溅射镀膜生产线的镀膜室的隔离门的立体图；图7为本技术一种磁控溅射镀膜生产线的镀膜室的阴极旋转靶位的立体图；图8为本技术一种磁控溅射镀膜生产线的阴极旋转靶位的剖视图；图9为本技术一种磁控溅射镀膜生产线的直流平面靶位的立体图；图10为本技术一种磁控溅射镀膜生产线的直流平面靶位的剖视图。具体实施方式为了更充分理解本技术的
技术实现思路
，下面结合具体实施例对本技术的技术方案进一步介绍和说明，但不局限于此。如图1至图10为本技术实施例的图纸。一种磁控溅射镀膜生产线，如图1至图5所示，包括立式真空室10，而立式真空室10包括进片室11，设于进片室11出料端的进片缓冲室12，设于进片缓冲室12出料端的进片过渡室13，设于进片过渡室13出料端的镀膜室14，设于镀膜室14出料端的出片过渡室15，设于出片过渡室15出料端的出片缓冲室16，及设于出片缓冲室16出料端的出片室17。镀膜室14为若干个，且镀膜室14内设置有若个干阴极旋转靶位18、直流平面靶位19。在本实施例中，真空室主体长度52米，镀膜有效区域2.44m*3.6m，加热温度为40-400℃，设置生产节拍30-120s，静态本底真空4*10-4Pa～8*10-4Pa。进片缓冲室12、出片缓冲室16的个数均为两个，均为串联设置。镀膜室14的个数为三个，同样为串联设置。其中，阴极旋转靶位18、直流平面靶位19两个成为靶磁控溅射系统。其中，还包括充气系统，控制系统、冷却系统、加热系统及质量检测系统、检漏系统。控制系统，用于统筹整个生产各个环节。其中，靶磁控溅射系统、充气系统，控制系统、冷却系统、加热系统及质量检测系统、检漏系统均与控制系统电性连接。充气系统包括组合气体互换气站和气体单控混合输入装置。本生产线为工作气氛氩气，反应气体氮气和氧气。所以，充气系统定时的给生产线补充相应的气体。进片室11的进料端，进片室11的出料端与进片缓冲室12的进料端之间，进片缓冲室12的出料端与进片过渡室13的进料端之间，出片过渡室15的出料端与出片缓冲室16的进料端之间，出片缓冲室16的出料端与出片室17的进料端之间，及出片室17的出料端，均设有真空隔离门20，以保证各个真空室的真空度，并且使得各个腔室内的工作反应互不影响。如图6所示，真空隔离门20包括驱动气缸21，设于驱动气缸21动力输出端的转轴22，固定于转轴22的弯杆23，及固定于弯杆23的密封板24。驱动气缸21通过转轴22及弯杆23的联动，以推动密封板24运动，密封板24的运动以控制相邻真空室的联通与否。真空系统30包括均与进片室11、进片缓冲室12、进片过渡室13、镀膜室14、出片过渡室15、片缓冲室、出片室17联通的若干个机械真空泵31，均与进片室11、进片缓冲室12、进片过渡室13、镀膜室14、出片过渡室15、片缓冲室、出片室17联通的若干个罗本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁控溅射镀膜生产线，其特征在于，包括进片室，设于进片室出料端的进片缓冲室，设于进片缓冲室出料端的进片过渡室，设于进片过渡室出料端的镀膜室，设于镀膜室出料端的出片过渡室，设于出片过渡室出料端的出片缓冲室，及设于出片缓冲室出料端的出片室；所述镀膜室为若干个，且镀膜室内设置有若个干阴极旋转靶位、直流平面靶位。

【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射镀膜生产线，其特征在于，包括进片室，设于进片室出料端的进片缓冲室，设于进片缓冲室出料端的进片过渡室，设于进片过渡室出料端的镀膜室，设于镀膜室出料端的出片过渡室，设于出片过渡室出料端的出片缓冲室，及设于出片缓冲室出料端的出片室；所述镀膜室为若干个，且镀膜室内设置有若个干阴极旋转靶位、直流平面靶位。2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射镀膜生产线，其特征在于，所述进片室的进料端，进片室的出料端与进片缓冲室的进料端之间，进片缓冲室的出料端与进片过渡室的进料端之间，出片过渡室的出料端与出片缓冲室的进料端之间，出片缓冲室的出料端与出片室的进料端之间，及出片室的出料端，均设有真空隔离门。3.根据权利要求2所述的一种磁控溅射镀膜生产线，其特征在于，所述真空隔离门包括驱动气缸，设于驱动气缸动力输出端的转轴，固定于转轴的弯杆，及固定于弯杆的密封板；所述驱动气缸通过转轴及弯杆的联动，以推动密封板运动。4.根据权利要求1所述的一种磁控溅射镀膜生产线，其特征在于，还包括真空系统；所述真空系统包括均与进片室、进片缓冲室、进片过渡室、镀膜室、出片过渡室、片缓冲室、出片室联通的若干个机械真空泵，均与进片室、进片缓冲室、进片过渡室、镀膜室、出片过渡室、片缓冲室、出片室联通的若干个罗茨泵，均与进片缓冲室、进片过渡室、出片过渡室、出片缓冲室联通的若干个扩散泵，及与镀膜室联通的若干个分子泵；所述分子泵设置于镀膜室上侧；所述真空系统保证生产线的真空度。5.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔明培，余力，韩金保，龙甫强，苏龙庆，邝耀庭，刘思敏，
申请(专利权)人：佛山市钜仕泰粉末冶金有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44