接地顶盖模块、气体注入装置及刻蚀设备制造方法及图纸

一种接地顶盖模块包括主体、框架部分及顶盖部分。所述主体包括第一开口及接地部分，所述第一开口穿过所述主体，所述接地部分设置在所述主体的周边上且被配置成接地。所述框架部分设置在所述主体上且包括与所述第一开口对齐的第二开口。所述顶盖部分设置在所述框架部分上且覆盖所述第二开口，其中所述第一开口、所述第二开口及所述顶盖部分界定出容置空腔。还提供一种气体注入装置及一种使用所述气体注入装置的刻蚀设备。

Ground Top Cover Module, Gas Injection Device and Etching Equipment

The utility model relates to a grounding top cover module, which comprises a main body, a frame part and a top cover part. The main body includes a first opening and a grounding part, the first opening passes through the main body, and the grounding part is arranged on the periphery of the main body and is configured to be grounded. The frame part is arranged on the main body and includes a second opening aligned with the first opening. The top cover part is arranged on the frame part and covers the second opening, in which the first opening, the second opening and the top cover part define the accommodation cavity. A gas injection device and an etching device using the gas injection device are also provided.

【技术实现步骤摘要】
接地顶盖模块、气体注入装置及刻蚀设备
本专利技术实施例涉及一种接地顶盖模块、气体注入装置及刻蚀设备。
技术介绍
光掩膜是用于在集成电路(integratedcircuit，IC)的制造期间膜将每一芯片层的设计转移到半导体衬底上。由于光掩膜包含用于芯片的单层的图案，因此在芯片的构造过程中通常使用一组光掩膜(15个至30个)。光掩膜是可重复利用的且通常包括衬底、反射层及吸收层。极紫外(extremeultraviolet，EUV)光刻是用于生产非常小的(例如，14纳米(nm))芯片的具有前景的新型图案化技术。与光学光刻相同，EUV光刻使用对EUV光进行反射的一组光掩膜在半导体衬底上形成图案化光刻胶。用于EUV光刻的光掩膜一般是通过在所述光掩膜中刻蚀芯片层图案来制造。此种工艺对误差的容忍度低，原因是光掩膜中的任何缺陷均将在EUV光刻期间转移到半导体衬底。为制造光掩膜，通常在刻蚀腔室中刻蚀衬底(例如，石英)，在所述刻蚀腔室中光掩膜可暴露于各种工艺气体及等离子体。干式刻蚀工艺(也称为等离子体刻蚀工艺)实现在半导体制造操作的各种阶段处来刻蚀各种膜并形成各种装置特征。一般需要进行多个等离子体刻蚀操作以形成半导体装置。此种等离子体刻蚀操作的一个缺点是在刻蚀腔室中会产生作为刻蚀副产物的聚合物。聚合物可能粘附到刻蚀腔室内的各种表面且逐渐离开原位进而污染腔室。
技术实现思路
本专利技术实施例是针对一种接地顶盖模块、气体注入装置及刻蚀设备，其可提高通过刻蚀设备而执行的刻蚀工艺的良率并简化接地顶盖模块的装配工艺及组件。根据本专利技术的实施例，一种接地顶盖模块包括主体、框架部分及顶盖部分。所述主体包括第一开口及接地部分，所述第一开口穿过所述主体，所述接地部分设置在所述主体的周边上且被配置成接地。所述框架部分设置在所述主体上且包括与所述第一开口对齐的第二开口。所述顶盖部分设置在所述框架部分上且覆盖所述第二开口，其中所述第一开口、所述第二开口及所述顶盖部分界定出容置空腔。附图说明结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本专利技术实施例的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。图1示出根据本专利技术一些示例性实施例的刻蚀设备的示意图。图2示出根据本专利技术一些示例性实施例的气体注入装置的剖视图。图3示出根据本专利技术一些示例性实施例的接地顶盖模块的分解图。图4示出根据本专利技术一些示例性实施例的接地顶盖模块的示意图。图5示出根据本专利技术一些示例性实施例的气体注入装置的组件的一部分的透视图。图6示出根据本专利技术一些示例性实施例的气体注入装置的组件的一部分的示意图。[符号的说明]10：刻蚀设备100：气体注入装置110：主管道112：气体入口114：顶表面116：屏蔽层120：气体管130：接地顶盖模块132：主体132a：第一开口132b：接地部分132c、154、164、h1：锁固孔134：框架部分134a：第二开口136：顶盖部分140：光学窗镜150：盖板152：贯穿孔160：罩盖162：窗镜开口170：锁固组件200：刻蚀腔室210：腔室空腔300：顶部电极400：底部电极500：接地电极R1：容置空腔具体实施方式以下公开内容提供用于实作所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及排列的具体实例以简化本专利技术实施例。当然，这些仅为实例且不旨在进行限制。举例来说，以下说明中将第一特征形成在第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征及第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征、进而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本公开内容可能在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的，而不是自身表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。此外，为易于说明，本文中可能使用例如“之下(beneath)”、“下面(below)”、“下部的(lower)”、“上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的取向外还囊括装置在使用或操作中的不同取向。设备可具有其他取向(旋转90度或处于其他取向)，且本文中所使用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。另外，为易于说明，本文中可能使用例如“第一(first)”、“第二(second)”、“第三(third)”、“第四(fourth)”等用语来阐述与图中所示者相似或不同的一个或多个元件或特征，且可根据呈现次序或本说明的上下文来可互换地使用所述用语。图1示出根据本专利技术一些示例性实施例的刻蚀设备的示意图。图2示出根据本专利技术一些示例性实施例的气体注入装置的剖视图。参照图1及图2，在一些实施例中，刻蚀设备10可为在半导体组件(例如，但不限于半导体晶片)的生产中使用的等离子体刻蚀设备(也称为干式刻蚀设备)。在一些实施例中，刻蚀设备10包括刻蚀腔室200及气体注入装置100，刻蚀腔室200界定出腔室空腔210，气体注入装置100被配置成将工艺气体(例如，氧气或含氟气体)供应到刻蚀腔室200中。因此，刻蚀设备10是用以利用高频电场从工艺气体中形成等离子体。详细来说，可将半导体晶片放置在刻蚀腔室200中，并利用例如真空泵系统从刻蚀腔室200排出空气。接着，以低压引入工艺气体，且通过介电击穿(dielectricbreakdown)将所述工艺气体激发成等离子体。在一些实施例中，等离子体刻蚀工艺(也称为干式刻蚀工艺)施行在半导体制造操作的各种阶段处来刻蚀各种膜并形成各种装置特征。一般需要进行多个等离子体刻蚀操作以形成半导体装置。本专利技术实施例中的刻蚀设备10适用于各种半导体晶片大小及上面形成有半导体装置的各种半导体晶片材料。在现今的半导体制造业界中，常用到的半导体晶片材料的实例为硅及砷化镓。本专利技术实施例的接地顶盖模块130及气体注入装置100适用于由各种装备制造商所制造的各种刻蚀设备。本专利技术实施例的刻蚀设备10可在用来在半导体装置制造加工顺序中的各种阶段处刻蚀各种膜的各种类型的干式刻蚀操作中使用。在一些实施例中，刻蚀设备10还可包括顶部电极300及底部电极400。顶部电极300设置在刻蚀腔室200的上部部分上，且由气体注入装置100提供的工艺气体通过顶部电极300而被引入到腔室空腔210。在一些实施例中，顶部电极300可包括穿过顶部电极300的多个气孔以由此供工艺气体通过。底部电极400设置在刻蚀腔室200的下部部分上。顶部电极300及底部电极400进行操作以在刻蚀腔室200中引发电容效应(capacitiveeffect)。本文中，被引入到刻蚀腔室200的工艺气体经历电化学反应且因此被离子化而转变成等离子体。由此，放置在刻蚀腔室200中的半导体晶片被等离子体刻蚀且据此移除不具有光刻胶的部分。接着，可通过排放泵将等离子体及被腐蚀出的物质排出到刻蚀腔室200的外部。在一些实施例中，气体注入装置100包括主管道110、气体管120及接地顶盖模块130。主管道110连接到刻蚀腔室200且包括气体入口112。气体管120连接到主管道110的气体入口112以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种接地顶盖模块，其特征在于，包括：主体，具有第一开口及接地部分，所述第一开口穿过所述主体，所述接地部分设置在所述主体的周边上且被配置成接地；框架部分，设置在所述主体上且具有与所述第一开口对齐的第二开口；以及顶盖部分，设置在所述框架部分上且覆盖所述第二开口，其中所述第一开口、所述第二开口及所述顶盖部分界定出容置空腔。

【技术特征摘要】
2017.11.12 US 62/584,903;2018.01.19 US 15/874,8851.一种接地顶盖模块，其特征在于，包括：主体，具有第一开口及接地部分，所述第一开口穿过所述主体，所述接地部分设置在所述主体的周边上且被配置成接地；框架部分，设置在所述主体上且具有与所述第一开口对齐的第二开口；以及顶盖部分，设置在所述框架部分上且覆盖所述第二开口，其中所述第一开口、所述第二开口及所述顶盖部分界定出容置空腔。2.根据权利要求1所述的接地顶盖模块，所述主体的材料、所述框架部分的材料及所述顶盖部分的材料包含金属，或者所述接地顶盖模块是一体形成的。3.根据权利要求1所述的接地顶盖模块，所述第一开口及所述第二开口呈具有相同直径的圆形形状，或者所述框架部分呈环形形状。4.根据权利要求1所述的接地顶盖模块，所述接地部分从所述主体的外边缘突出且连接到接地电极。5.一种气体注入装置，其特征在于，包括：主管道，包括气体入口；气体管，连接到所述气体入口以将工艺气体注入所述主管道中，其中所述气体管被配置成接地；光学窗镜，设置在所述主管道的顶表面上，其中所述顶表面位于所述气体入口上方；以及接地顶盖模块，设置在所述顶表面上且界定出容置空腔及接地部分，所述容置空腔用于容置及覆盖所述光学窗镜，所述接地部分连接到所述气体管以被接地。6.根据权利要求5所述的气体注入装置，所述接地顶盖模块还包括：主体，设置在所述顶表面上且包括第一开口及所述接地部分，所述第一开口穿过所述主体，所述接地部分从所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘立熙，陈世宗，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71