【技术实现步骤摘要】
曲面共形微带天线阵面的制备方法
本专利技术涉及一种采用异质材料3D打印工艺实现曲面微带天线阵面的制备方法。
技术介绍
在天线的设计中,为增强天线的方向性、提高天线增益、经常要用到阵列天线。根据天线阵列单元的排列形式,阵列天线可以分为直线阵列、平面阵列和共形阵列等。直线阵列和平面阵列的结构简单,实际工程中得到了广泛的应用,许多技术都己成熟,但它们也存在一些不足之处。如实际应用中经常需要实现宽角域的阵列覆盖,而采用直线阵或平面阵往往难以实现以上角域覆盖的要求。共形天线或者共形阵列在与物体的表面共形时候不仅仅要考虑天线的电磁特性,同时更重要的是考虑空气动力学特性和水力学特性。传统共形天线是指附着于载体,完全与载体贴合的微带天线,即需要将阵列天线共形安装在一个固定形状的表面上,从而形成非平面的共形天线阵。因而共形表面的存在对天线的辐射特性和阻抗特性有着重要的影响。与直线阵和平面阵列相比,共形阵列的主要优点表现在:扩大波束扫描范围;具有低剖面特性,不影响载体的空气动力学性能;节约载体有限的空间;增加了可用口径,可以提供较窄的波束,并可以实现较高的天线增益;提高天线安装自由度,降低雷达散射截面积(RCS)。通常所指的共形阵列大都是一些简单的形状,如圆柱型,球型等,随着共形阵列天线以及搭载平台的发展和不断变化,共形阵列已经不仅仅局限于简单的形状,而是向着更复杂的弯曲表面拓展,其辐射单元安装在复杂的物体表面或集成在物体之中,由成千上万个分布在弯曲表面的单独的天线单元组成。圆柱型的共形天线已经基本成熟。而对于锥面共形微带天线阵,当天线尺寸进一步缩小时,它的方向图就会发生剧烈 ...
【技术保护点】
1.一种曲面共形微带天线阵面的制备方法,其特征在于包括下列步骤:选用微带贴片作为天线共形阵单元,直接在金属结构件上打印曲面天线阵面,首先对天线阵面金属载体(1)表面做喷砂粗化处理,再将天线阵面金属载体(1)固定在加热基板(5)上预热;采用直写笔A在金属载体(1)的喷砂面按照微带天线阵面的介质层(2)形状尺寸分层涂写聚酰亚胺前躯体溶液直至总厚度要求,待聚酰亚胺前躯体溶液表干后通过加热基板(5)升温,使聚酰亚胺前躯体溶液脱水、在金属载体(1)表面聚合形成微带天线阵面的共形介质层(2);在聚酰亚胺介质层(2)的阵元位置采用脉冲激光烧蚀出垂直互联孔(3)底孔、再采用直写笔B在孔内填充导电银浆作为垂直互联孔(3),垂直互联孔(3)的导电银浆采用连续激光烧结使其固化;最后采用直写笔B在共形介质层(2)上按微带天线阵面的天线阵元(4)形状、尺寸涂写导电银浆阵元图形,表干后采用激光烧结导电银浆、使银浆阵元图形熔融并固化到介质层(2)表面上,形成曲面共形微带天线阵面。
【技术特征摘要】
1.一种曲面共形微带天线阵面的制备方法,其特征在于包括下列步骤:选用微带贴片作为天线共形阵单元,直接在金属结构件上打印曲面天线阵面,首先对天线阵面金属载体(1)表面做喷砂粗化处理,再将天线阵面金属载体(1)固定在加热基板(5)上预热;采用直写笔A在金属载体(1)的喷砂面按照微带天线阵面的介质层(2)形状尺寸分层涂写聚酰亚胺前躯体溶液直至总厚度要求,待聚酰亚胺前躯体溶液表干后通过加热基板(5)升温,使聚酰亚胺前躯体溶液脱水、在金属载体(1)表面聚合形成微带天线阵面的共形介质层(2);在聚酰亚胺介质层(2)的阵元位置采用脉冲激光烧蚀出垂直互联孔(3)底孔、再采用直写笔B在孔内填充导电银浆作为垂直互联孔(3),垂直互联孔(3)的导电银浆采用连续激光烧结使其固化;最后采用直写笔B在共形介质层(2)上按微带天线阵面的天线阵元(4)形状、尺寸涂写导电银浆阵元图形,表干后采用激光烧结导电银浆、使银浆阵元图形熔融并固化到介质层(2)表面上,形成曲面共形微带天线阵面。2.根据权利要求1所述的曲面共形微带天线阵面的制备方法,其特征在于:微带天线阵面曲面共形主要包括了一体化打印、成型两个组成部分。3.根据权利要求3所述的曲面共形微带天线阵面的制备方法,其特征在于:结构组成方面,相控阵微带天线阵面主要包含天线阵面的金属载体(1),金属载体曲面共形面上的聚酰亚胺介质层(2),介质层(2)内部的垂直互联孔(3),介质层(2)表面上的天线阵元(4),以及整个方案实施所用的加热基板。4.根据权利要求1所述的曲面共形微带天线阵面的制备方法,其特征在于:金属载体(1)为铝合金或其它金属材料,作为整个微带天线阵面的大面积地、与微带天线阵面的各个阵元共同实现天线的发射接收功能,其外表面为与载机共形的曲面,由预先采用传统数控工艺加工成型;介质层(2)为微带天线阵面的阵元与金属载体之间的非金属介电层,与金属载体()(1)的曲面无缝贴合,其厚度根据具体电路工作频率、电性能指标进行仿真设计后确定。5.根据权利要求1所述的曲面共形微带天线阵面的制备方法,其特征在于:垂直互联孔(3)为微带天线阵面的阵元与后端TR等模块的电...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘秀利,苑博,
申请(专利权)人:西南电子技术研究所中国电子科技集团公司第十研究所,
类型:发明
国别省市:四川,51
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