封装结构及其形成方法技术

一种封装结构及其形成方法，其中，封装结构包括：基板，所述基板包括承载面，所述基板的承载面表面固定有若干个被动元件；固定于所述基板的承载面表面的至少一个芯片，所述芯片与被动元件相互分立，所述芯片包括相对的第一面和第二面，所述第一面与基板承载面接触；固定于芯片第二面的焊料层；固定于基底上的散热结构，所述散热结构包括位于承载面表面的第二散热部和位于第二散热部顶部的第一散热部，部分第一散热部与焊料层接触，第二散热部位于芯片与被动元件之间，所述第二散热部包围至少一个芯片。所述封装结构的性能较好。

Packaging structure and its formation method

【技术实现步骤摘要】
封装结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种封装结构及其形成方法。
技术介绍
随着集成电路技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化、高性能以及高可靠性方向发展。而集成电路封装不仅直接影响着集成电路、电子模块乃至整机的性能，而且还制约着整个电子系统的小型化、低成本和可靠性。在集成电路晶圆尺寸逐步缩小，集成度不断提高的情况下，电子工业对集成电路封装技术提出了越来越高的要求。然而，现有的封装结构的性能较差。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种封装结构及其形成方法，以提高封装结构的性能。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种封装结构的形成方法，包括：提供基板，所述基板包括承载面，所述基板的承载面表面固定有若干个被动元件；在所述基板的承载面表面固定至少一个芯片，所述芯片与被动元件相互分立，所述芯片包括相对的第一面和第二面，所述第一面与基板承载面接触；在芯片的第二面固定焊料层；在所述基板的承载面上固定散热结构，所述散热结构包括位于承载面表面的第二散热部和位于第二散热部顶部表面的第一散热部，部分所述第一散热部与焊料层接触，所述第二散热部包围至少一个所述芯片，且所述第二散热部位于芯片与被动元件之间；在所述基板的承载面上固定散热结构之后，对焊料层进行熔融处理。可选的，所述焊料层的材料为金属；所述焊料层的材料包括锡铅、银或者铜。可选的，所述芯片的第一面具有凸点；在所述基板的承载面表面固定芯片之后，所述凸点与基板承载面接触；所述封装结构的形成方法还包括：形成所述凸点之后，形成焊料层之前，在所述芯片第一面形成底填胶，所述底填胶包围所述凸点。可选的，所述第二散热部底部与基板承载面通过粘贴胶连接。可选的，所述被动元件包括：电阻、电容、电感中的一种或多种组合。可选的，所述第一散热部的材料包括铜；所述第二散热部的材料包括铜。可选的，所述基板还包括与承载面相对的非承载面；所述基板内具有电互连结构，所述电互连结构包括第一端面和第二端面，所述承载面暴露出第一端面，所述第一端面与凸点接触，所述非承载面暴露出第二端面。可选的，还包括：在所述非承载面的表面形成焊球，所述焊球与第二端面接触。相应的，本专利技术还提供一种封装结构，包括：基板，所述基板包括承载面，所述基板的承载面表面固定有若干个被动元件；固定于所述基板承载面表面的至少一个芯片，所述芯片与被动元件相互分立，所述芯片包括相对的第一面和第二面，所述第一面与基板承载面接触；固定于所述芯片第二面的焊料层；固定于基板承载面上的散热结构，所述散热结构包括位于承载面表面的第二散热部和位于第二散热部顶部的第一散热部，部分第一散热部与焊料层接触，所述第二散热部位于芯片与被动元件之间，且所述第二散热部包围一个芯片。可选的，所述第二散热部在基板承载面表面的投影形状包括：圆形、长方形或者正方形。与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下有益效果：本专利技术技术方案提供的封装结构中，所述散热结构用于将芯片内产生的热量释放出去。所述散热结构包括位于承载面表面的第二散热部和位于第二散热部顶部的第一散热部。由于所述第二散热部位于芯片与被动元件之间，因此，后续熔融焊料层时，所述第二散热部能够防止熔融的焊料层材料溅射至被动元件，因此，有利于防止焊料层与被动元件发生桥接，有利于防止芯片发生短路，提高封装结构的性能。附图说明图1是一种封装结构的结构示意图；图2至图6是本专利技术封装结构的形成方法一实施例各步骤的结构示意图。具体实施方式正如
技术介绍
所述，封装结构的性能较差。图1是一种封装结构的结构示意图。请参考图1，提供基板100，所述基板100包括承载面(图中未标出)，所述承载面的表面固定有被动元件102；在所述承载面的表面形成芯片101，所述芯片101与被动元件102相互分立，所述芯片101包括相对的第一面1和第二面2，所述芯片101的第一面1具有凸点105，所述凸点105与承载面接触；在所述芯片101第二面2固定焊料层103；固定所述焊料层103之后，在所述承载面表面形成包围所述被动元件102和芯片101的散热结构104，部分所述散热结构104与焊料层103接触；形成所述散热结构104之后，对所述焊料层103进行熔融处理。上述封装结构中，由于所述芯片101和被动元件102之间无阻挡物，则对焊料层103进行熔融处理时，焊料层103的材料易飞溅至被动元件102，使焊料层103易与被动元件102发生桥接，则芯片101易发生短路，不利于提高封装结构的性能。为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种封装结构，包括：所述基板包括承载面，所述承载面表面固定有若干个被动元件；固定于所述基板承载面表面的至少一个芯片，所述芯片与被动元件相互分立，所述芯片包括相对的第一面和第二面，所述芯片的第一面与基板承载面接触；位于所述芯片第二面的焊料层；位于基板上的散热结构，所述散热结构包括第一散热部和位于第一散热部表面的第二散热部，部分第一散热部与焊料层接触，所述第二散热部位于芯片与被动元件之间，且所述第二散热部包围芯片。所述方法形成的封装结构的性能较好。为使本专利技术的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。图2至图6是本专利技术封装结构的形成方法一实施例各步骤的结构示意图。请参考图2，提供基板200，所述基板200包括承载面13，所述基板200承载面13表面固定有若干个被动元件250。所述基板200还包括与承载面13相对的非承载面14；所述基板200内具有电互连结构(图中未标出)，所述电互连结构包括第一端面(图中未标出)和第二端面(图中未标出)，所述承载面13暴露出第一端面，所述第一端面与后续芯片第一面的凸点接触，所述非承载面14暴露出第二端面。所述电互连结构包括：第一绝缘层(图中未标出)、位于第一绝缘层内的第一布线层201，所述第一绝缘层暴露出部分第一布线层201的顶部表面，所述第一绝缘层暴露出的第一布线层201的顶部表面为第一端面；所述电互连结构还包括第二绝缘层以及位于第二绝缘层内的第二布线层202，所述第二绝缘层暴露出的第二布线层202的顶部表面为第二端面；所述电互连结构还包括连接第一布线层201与第二布线层202的插塞(图中未标出)。所述第一端面与后续芯片第一面的凸点接触。所述第二端面与焊球203连接。所述第一布线层201的材料为金属，所述第一布线层201的材料包括铜。所述第一布线层201与芯片第一面的凸点接触，有利于基板200与后续芯片实现电连接。所述第二布线层202的材料为金属，所述第二布线层202的材料包括铜。所述第二布线层202与焊球203，有利于将基板200内的电信号输出。所述插塞的材料为金属，所述插塞用于使第一布线层201与第二布线层202电互连。所述基板200的承载面13用于固定被动元件250和后续的芯片。所述被动元件250包括：电阻、电容、电感中的一种或多种组合。请参考图3，在所述基板200的承载面13的表面固定至少一个芯片204，所述芯片204与被动元件250相互分立，所述芯片204包括相对的第一面11和第二面12，所述第一面11与基板200的承载面13接触。所述芯片204的第一面11还具有凸点205，所述凸点205与第一端面接触，有利于芯片204与基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基板，所述基板包括承载面，所述基板的承载面表面固定有若干个被动元件；在所述基板的承载面表面固定至少一个芯片，所述芯片与所述被动元件相互分立，所述芯片包括相对的第一面和第二面，所述第一面与基板承载面接触；在芯片的第二面固定焊料层；在所述基板的承载面上固定散热结构，所述散热结构包括位于承载面表面的第二散热部以及位于第二散热部顶部表面的第一散热部，部分所述第一散热部与焊料层接触，所述第二散热部包围至少一个所述芯片，且所述第二散热部位于芯片与被动元件之间；在所述基板的承载面上固定散热结构之后，对焊料层进行熔融处理。

【技术特征摘要】
1.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基板，所述基板包括承载面，所述基板的承载面表面固定有若干个被动元件；在所述基板的承载面表面固定至少一个芯片，所述芯片与所述被动元件相互分立，所述芯片包括相对的第一面和第二面，所述第一面与基板承载面接触；在芯片的第二面固定焊料层；在所述基板的承载面上固定散热结构，所述散热结构包括位于承载面表面的第二散热部以及位于第二散热部顶部表面的第一散热部，部分所述第一散热部与焊料层接触，所述第二散热部包围至少一个所述芯片，且所述第二散热部位于芯片与被动元件之间；在所述基板的承载面上固定散热结构之后，对焊料层进行熔融处理。2.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述焊料层的材料为金属；所述焊料层的材料包括锡铅、银或者铜。3.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述芯片的第一面具有凸点；在所述基板的承载面表面固定芯片后，所述凸点与基板承载面接触；所述封装结构的形成方法还包括：形成所述凸点之后，形成焊料层之前，在所述芯片第一面形成底填胶，所述底填胶包围所述凸点。4.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第二散热部与基板承载面通过粘贴胶连接。5.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述被动元件包括：电阻、电容、电...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宏杰，
申请(专利权)人：苏州通富超威半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32