引线框架及其生产工艺制造技术

本发明专利技术揭示了引线框架及其生产工艺，其中引线框架包括支架基体，支架基体包括两侧横向边缘带、及位于两侧横向边缘带之间横纵向列阵排布的若干LED单体架，相邻LED单体架之间设有纵向设置的纵向连接带、横向设置的横向连接带，并且任意相邻LED单体架之间设有位于纵向连接带上的矩形空区，纵向连接带与横向连接带的交叉部设有定位通孔，任意横向边缘带上设有切割定位孔。生产工艺中对蚀刻步骤进行优化及控制。本发明专利技术引线框架设计巧妙，满足任意LED单体架的裁切需求，且裁切后LED单体架的形变量小，满足高精度需求。表面清洗后进行烘干LED单体架采用H型隔离槽的巧妙设计，易于包裹封装及基位分离。工艺流程精细，蚀刻高效，成型精度高，适于推广应用。

Lead Frame and Its Production Technology

【技术实现步骤摘要】
引线框架及其生产工艺
本专利技术涉及引线框架及其生产工艺，属于EMC支架及其生产工艺的

技术介绍
EMC是一种重要的微电子封装材料，通过封装工艺将半导体芯片包覆形成保护，以免受到外部环境的破坏；同时EMC也起到一定的散热效果。EMC具备可规模化生产和合理的可靠性特点，是半导体封装常见的封装材料之一。EMC具有高可靠性、高导热性、高耐热耐湿性和低应力、低膨胀系数等优良性能，十分适合于LED封装器件。LED引线框架是一种高度集成化的支架，被人们称为第三代LED支架；相比于第一代PPA预塑封框架和第二代陶瓷基板，引线框架可具有实现大规模生产、降低成本、设计灵活、尺寸更小等优势。引线框架为了便于后期自由裁剪，一般存在横纵向若干LED单体架，而LED单体架之间由横纵向连接带连接，横纵向连接带质地比较硬，且整体为带状分布，因此在LED单体架进行切割时，容易导致LED单体架的弯折损伤，且LED单体架上的针脚隔离为双槽式，因此不利于LED单体架的整体性。另外，引线框架越来越精细，传统的蚀刻工艺无法满足高精密引线框架的成产，存在产品合格率低，生产效率低的缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的是解决上述现有技术的不足，针对传统引线框架结构及工艺所存在的问题，提出引线框架及其生产工艺。为了达到上述目的，本专利技术所采用的技术方案为：引线框架，包括支架基体，所述支架基体包括两侧横向边缘带、及位于两侧横向边缘带之间横纵向列阵排布的若干LED单体架，相邻所述LED单体架之间设有纵向设置的纵向连接带、横向设置的横向连接带，并且任意相邻LED单体架之间设有位于所述纵向连接带上的矩形空区，所述纵向连接带与所述横向连接带的交叉部设有定位通孔，任意所述横向边缘带上设有切割定位孔。优选地，所述LED单体架包括H型隔离槽，所述H型隔离槽的中缝两侧分别设有基位，任意所述基位上设有成对的固定孔，成对的固定孔之间设有用于流胶的浅槽。本专利技术还提出了引线框架的生产工艺，包括如下步骤：S1选材步骤，获取铜合金板，铜合金板的厚度为0.2mm±0.006mm；S2裁剪步骤，裁剪为片料；S3表面处理步骤，表面除尘；S4压模步骤，在经过表面除尘的铜合金板表面覆盖一层影像转移膜；S5高压处理步骤，通过高压仓进行影像转移膜的紧密贴合；S6光处理步骤，使用底片进行影像转移；S7显影步骤，将未光照区域干膜清洗干净；S8蚀刻步骤，在6N的HCl溶液中进行蚀刻，蚀刻温度控制在45~55℃。S9烘干步骤，表面清洗后进行烘干。优选地，所述步骤S8中，保持Cu2+浓度不低于2mol/L。本专利技术的有益效果主要体现在：1.引线框架设计巧妙，满足任意LED单体架的裁切需求，且裁切后LED单体架的形变量小，满足高精度需求。2.LED单体架采用H型隔离槽的巧妙设计，易于包裹封装及基位分离。3.工艺流程精细，蚀刻高效，成型精度高，适于推广应用。附图说明图1是本专利技术引线框架的局部结构示意图。图2是图1中A部分的放大结构示意图。具体实施方式本专利技术提供引线框架及其生产工艺。以下结合附图对本专利技术技术方案进行详细描述，以使其更易于理解和掌握。引线框架，如图1和图2所示，包括支架基体1，支架基体1包括两侧横向边缘带2、及位于两侧横向边缘带2之间横纵向列阵排布的若干LED单体架3。其中，相邻LED单体架3之间设有纵向设置的纵向连接带4、横向设置的横向连接带5，并且任意相邻LED单体架3之间设有位于纵向连接带4上的矩形空区6，纵向连接带4与横向连接带5的交叉部设有定位通孔7。任意横向边缘带5上设有切割定位孔8。具体地说明，通过定位通孔7和切割定位孔8易于纵向列的LED单体架3的切割定位，并且在切割时，由于矩形空区6的存在，减少了切割量，从而降低了LED单体架3切割的形变量，确保LED单体架3的精度。优选实施例中，LED单体架3包括H型隔离槽9，H型隔离槽9的中缝10两侧分别设有基位11，任意基位11上设有成对的固定孔12，成对的固定孔12之间设有用于流胶的浅槽13。通过H型隔离槽9的设计，易于两个基位11的电隔离，需要说明的是，在最终使用状态下，通过切断H型隔离槽9与矩形空区6之间的连接部，从而实现电隔离。在一个具体实施例中，采用相对矩形空区6镜像设置的一对LED单体架3的设计，且相对的基位11小于另一侧基位11的横向尺寸，且较大基位11与纵向连接带4之间设有阻断通孔14。即该阻断通孔14的作用与矩形空区6的作用一致，为了减小阵列间隙，从而采用的结构，如此，阻断通孔14和矩形空区6结合运行，便于H型隔离槽9的阻断效应。以下对本案的引线框架的生产工艺进行具体描述，其包括如下步骤：S1选材步骤，获取铜合金板，铜合金板的厚度为0.2mm±0.006mm，其要求误差精度非常高。需要表面检测，无生锈、凹陷、划痕等，且通过千分尺进行板厚严格筛选。S2裁剪步骤，裁剪为片料，根据引线框架的设计要求，通过裁剪机裁剪为片料。S3表面处理步骤，表面除尘，具体地，通过输送带将片料传送到静电除尘滚轮处，粘掉材料表面异物，再输送到收板区，为曝光前提供干净的表面。S4压模步骤，在经过表面除尘的铜合金板表面覆盖一层影像转移膜，双面覆膜，此部分主要是需要管制压膜轮的温度，输送速度及压膜轮的压力。速度为0.8±0.2M/min，压膜压力为7±1Kg/cm2，贴膜温度为110±10℃。S5高压处理步骤，通过高压仓进行影像转移膜的紧密贴合。使得影像转移膜与铜面之间贴合更紧密。真空时间为30±5min，气压为6±1KPa。S6光处理步骤，使用底片进行影像转移。曝光能力为6~8格，真空度≥21MPa，曝光灯管温度小于72℃，曝光均匀性≥80%。S7显影步骤，将未光照区域干膜清洗干净，采用上下喷的方式，再通过海绵滚轮清洁。S8蚀刻步骤，在6N的HCl溶液中进行蚀刻，蚀刻流量为150±10L/min，蚀刻温度控制在45~55℃。S9烘干步骤，表面清洗后进行烘干。根据情况进行表面清洗，包括水洗及酸洗等。在一个较优地实施例中，需要保持Cu2+浓度不低于2mol/L。蚀刻机理：Cu+CuCl2→Cu2Cl2；Cu2Cl2+4Cl-→2(CuCl3)2-影响蚀刻速率的因素:影响蚀刻速率的主要因素是溶液中Cl-、Cu+、Cu2+的含量及蚀刻液的温度等。Cl-含量的影响：溶液中氯离子浓度与蚀刻速率有着密切的关系，当盐酸浓度升高时，蚀刻时间减少。在含有6N的HCl溶液中蚀刻时间至少是在水溶液里的1/3，并且能够提高溶铜量。但是，盐酸浓度不可超过6N，高于6N盐酸的挥发量大且对设备腐蚀，并且随着酸浓度的增加，氯化铜的溶解度迅速降低。添加Cl-可以提高蚀刻速率的原因是：在氯化铜溶液中发生铜的蚀刻反应时，生成的Cu2Cl2不易溶于水，则在铜的表面形成一层氯化亚铜膜，这种膜能够阻止反应的进一步进行。过量的Cl-能与Cu2Cl2络合形成可溶性的络离子(CuCl3)2-，从铜表面上溶解下来，从而提高了蚀刻速率。Cu+含量的影响：根据蚀刻反应机理，随着铜的蚀刻就会形成一价铜离子。较微量的Cu+就会显著的降低蚀刻速率。所以在蚀刻操作中要保持Cu+的含量在一个低的范围内。Cu2+含量的影响：溶液中的Cu2+含量对蚀刻速率有一定的影响。一般情况下，溶液中Cu2+浓度低于2mol/本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.引线框架，其特征在于：包括支架基体，所述支架基体包括两侧横向边缘带、及位于两侧横向边缘带之间横纵向列阵排布的若干LED单体架，相邻所述LED单体架之间设有纵向设置的纵向连接带、横向设置的横向连接带，并且任意相邻LED单体架之间设有位于所述纵向连接带上的矩形空区，所述纵向连接带与所述横向连接带的交叉部设有定位通孔，任意所述横向边缘带上设有切割定位孔。

【技术特征摘要】
1.引线框架，其特征在于：包括支架基体，所述支架基体包括两侧横向边缘带、及位于两侧横向边缘带之间横纵向列阵排布的若干LED单体架，相邻所述LED单体架之间设有纵向设置的纵向连接带、横向设置的横向连接带，并且任意相邻LED单体架之间设有位于所述纵向连接带上的矩形空区，所述纵向连接带与所述横向连接带的交叉部设有定位通孔，任意所述横向边缘带上设有切割定位孔。2.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于：所述LED单体架包括H型隔离槽，所述H型隔离槽的中缝两侧分别设有基位，任意所述基位上设有成对的固定孔，成对的固定孔之间设有用于流胶的浅槽。3.基于权利要求1~2所述引线框...

【专利技术属性】
技术研发人员：周武，吴辉旺，
申请(专利权)人：昆山弗莱吉电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32