薄膜晶体管及其制作方法、显示基板及其制作方法和应用技术

本发明专利技术提供了薄膜晶体管及其制作方法、显示基板及其制作方法和显示装置。该薄膜晶体管中的有源层由多晶硅形成，且所述有源层中不存在晶粒边界。在该薄膜晶体管的有源层中的晶粒均匀度高，不会产生由于晶粒的均匀性问题导致的薄膜晶体管的特性波动的不良影响，该薄膜晶体管的阈值电压稳定、载流子迁移率高，且稳定性好、可靠性好。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制作方法、显示基板及其制作方法和应用
本专利技术涉及显示
，具体地，涉及薄膜晶体管及其制作方法、显示基板及其制作方法和显示装置。
技术介绍
在相关技术中，薄膜晶体管在制作过程中是通过将形成有源层的材料晶化后形成有源层的。目前将形成有源层的材料晶化的工艺是将其直接晶化，直接晶化导致晶化后所形成的晶粒大小不一、随机分布，较难满足薄膜晶体管的尺寸要求，因而薄膜晶体管的有源区较易在晶粒边界处形成。然而，薄膜晶体管的有源区中存在晶粒边界，会对阈值电压和载流子迁移率产生严重的不良影响。因而，现有的薄膜晶体管的相关技术仍有待改进。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种有源层中不存在晶粒边界、阈值电压稳定、载流子迁移率高、稳定性好或者可靠性好的薄膜晶体管。在本专利技术的一个方面，本专利技术提供了一种薄膜晶体管。根据本专利技术的实施例，该薄膜晶体管中的有源层由多晶硅形成，且所述有源层中不存在晶粒边界。由于所述薄膜晶体管中的有源层中不存在晶粒边界，在该薄膜晶体管的有源层中的晶粒均匀度高，不会产生由于晶粒的均匀性问题导致的薄膜晶体管的特性波动的不良影响，因此该薄膜晶体管的阈值电压稳定、载流子迁移率高，且稳定性好、可靠性好。根据本专利技术的实施例，所述有源层设置在一个晶粒上，且位于所述晶粒的中间。在本专利技术的另一个方面，本专利技术提供了一种显示基板。根据本专利技术的实施例，该显示基板包括至少一个前面所述的薄膜晶体管。由于在所述显示基板中，薄膜晶体管中的有源层中不存在晶粒边界，因此该薄膜晶体管的阈值电压稳定、载流子迁移率高，且稳定性好、可靠性好，可以使得该显示基板的性能较好。根据本专利技术的实施例，相邻的多个所述薄膜晶体管中的有源层设置在同一个晶粒上。根据本专利技术的实施例，所述显示基板包括阵列分布的多个所述薄膜晶体管，每行所述薄膜晶体管中的有源层或者每列所述薄膜晶体管中的有源层设置在同一个晶粒上。在本专利技术的又一个方面，本专利技术提供了一种制作薄膜晶体管的方法。根据本专利技术的实施例，该方法包括：在基板上形成对位标记；在所述基板上形成非晶硅层，所述非晶硅层上具有用于构成有源层的有源区域；对所述非晶硅层进行激光晶化，其中，所述激光晶化过程中，根据所述对位标记确定激光光束照射位置，以使得所述激光光束照射到所述非晶硅层上的光斑覆盖所述有源区域，或者所述激光光束从位于所述有源区域的一端向另一端连续扫描，且所述激光光束照射到所述非晶硅层上的光斑的宽度大于所述有源区域的宽度。该方法操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，由于该方法只需对所述非晶硅层上欲形成有源区的部分区域进行晶化，在进行晶化时设备的有效利用率高，薄膜晶体管的有源区也可以做得更小，从而使得制作所得的薄膜晶体管更加节能，适于实际使用；且由该方法制作得到的薄膜晶体管中的有源层中不存在晶粒边界，因此由该方法制作所得的薄膜晶体管的阈值电压稳定、载流子迁移率高，且稳定性好、可靠性好。根据本专利技术的实施例，所述有源区域位于所述光斑的中间，或者所述有源区域位于所述激光光束连续扫描的区域的中间。在本专利技术的再一个方面，本专利技术提供了一种制作显示基板的方法。根据本专利技术的实施例，所述显示基板包括至少一个薄膜晶体管，所述方法包括：在基板上形成对位标记；在所述基板上形成非晶硅层，所述非晶硅层上具有用于构成有源层的至少一个有源区域；对所述非晶硅层进行激光晶化，其中，所述激光晶化是通过以下(1)至(3)中任意一个步骤进行的：(1)利用一束激光光束依次对至少一个所述有源区域进行照射，所述激光光束每次照射至少一个所述有源区域，且所述激光光束照射到所述非晶硅层上的光斑覆盖至少一个所述有源区域；(2)利用至少一束所述激光光束对所述非晶硅层进行至少一次扫描照射，每次所述扫描照射使得一束所述激光光束从所述非晶硅层的一端向另一端连续扫描，且一束所述激光光束连续扫描的区域覆盖至少一个所述有源区域；(3)利用多束激光光束同时对所述非晶硅层进行照射，每束所述激光光束照射一个所述有源区域，且每束所述激光光束照射到所述非晶硅层上的光斑覆盖一个所述有源区域。由于该方法操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，由于该方法只需对所述非晶硅层上欲形成有源区的部分区域进行晶化，在进行晶化时设备的有效利用率高，薄膜晶体管的有源区也可以做得更小，从而使得制作所得的薄膜晶体管更加节能，适于实际使用；且由该方法制作得到的显示基板中的薄膜晶体管的有源层中不存在晶粒边界，因此薄膜晶体管的阈值电压稳定、载流子迁移率高，且稳定性好、可靠性好，由此可以使得由该方法制作所得的该显示基板的性能较好。根据本专利技术的实施例，所述非晶硅层上具有多个阵列分布的所述有源区域，每次所述激光光束连续扫描的区域覆盖一行或者一列所述有源区域。在本专利技术的再一个方面，本专利技术提供了一种显示装置。根据本专利技术的实施例，该显示装置包括前面所述的显示基板，或者所述显示装置中的显示基板是通过前面所述的方法制作的。由于前面所述的显示基板的性能较好，因此可以使得该显示装置的显示效果佳、稳定性好。附图说明图1显示了本专利技术一个实施例的薄膜晶体管中的有源层的平面结构示意图。图2显示了本专利技术另一个实施例的薄膜晶体管中的有源层的平面结构示意图。图3显示了本专利技术一个实施例的显示基板中相邻的多个薄膜晶体管中的有源层的平面结构示意图。图4显示了本专利技术一个实施例的显示基板中阵列分布的多个薄膜晶体管中的有源层的平面结构示意图。图5显示了本专利技术另一个实施例的显示基板中阵列分布的多个薄膜晶体管中的有源层的平面结构示意图。图6显示了本专利技术一个实施例的制作薄膜晶体管的方法的流程示意图。图7a、图7b、图7c和图7d显示了本专利技术另一个实施例的制作薄膜晶体管的方法的流程示意图。图8显示了本专利技术又一个实施例的制作薄膜晶体管的方法的流程示意图。图9a、图9b、图9c和图9d显示了本专利技术再一个实施例的制作薄膜晶体管的方法的流程示意图。图10显示了本专利技术又一个实施例的制作显示基板时对非晶硅层进行激光晶化的示意图。图11显示了本专利技术一个具体实施例的对非晶硅层进行激光晶化后形成的晶粒的扫描电子显微镜照片。图12显示了本专利技术另一个具体实施例的对非晶硅层进行激光晶化后形成的晶粒的扫描电子显微镜照片。附图标记：10：基板11：对位标记20：激光光束22：光斑32：激光光束连续扫描的区域100：晶粒101：晶粒边界199：有源区域200：有源层300：非晶硅层具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。在本专利技术的一个方面，本专利技术提供了一种薄膜晶体管。根据本专利技术的实施例，参照图1，该薄膜晶体管中的有源层200由多晶硅形成，且所述有源层200中不存在晶粒边界101(需要说明的是，在本文的附图中，六边形所示出的是一个完整的晶粒100，薄膜晶体管的有源层200形成在所述晶粒100中；在本文的附图中仅示出薄膜晶体管的有源层200与晶粒100的位置关系，并未示出薄膜晶体管中其他结构和部件；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管中的有源层由多晶硅形成，且所述有源层中不存在晶粒边界。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管中的有源层由多晶硅形成，且所述有源层中不存在晶粒边界。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层设置在一个晶粒上，且位于所述晶粒的中间。3.一种显示基板，其特征在于，包括至少一个权利要求1或2所述的薄膜晶体管。4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，相邻的多个所述薄膜晶体管中的有源层设置在同一个晶粒上。5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，包括阵列分布的多个所述薄膜晶体管，每行所述薄膜晶体管中的有源层或者每列所述薄膜晶体管中的有源层设置在同一个晶粒上。6.一种制作薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括：在基板上形成对位标记；在所述基板上形成非晶硅层，所述非晶硅层上具有用于构成有源层的有源区域；对所述非晶硅层进行激光晶化，其中，所述激光晶化过程中，根据所述对位标记确定激光光束照射位置，以使得所述激光光束照射到所述非晶硅层上的光斑覆盖所述有源区域，或者所述激光光束从位于所述有源区域的一端向另一端连续扫描，且所述激光光束照射到所述非晶硅层上的光斑的宽度大于所述有源区域的宽度。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述有源区域位于所述光斑的中间，或者所述有源区域位于所述激光光束连续扫描的区域的中间。8...

【专利技术属性】
技术研发人员：余道平，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11