OLED器件及其制备方法和显示面板技术

本发明专利技术提供一种OLED器件及其制备方法和显示面板，所述OLED器件包括形成在衬底基板上的像素界定层，以及包括第一阳极和第二阳极的阳极层，像素界定层的开口区内容置有有机发光功能层，第一阳极至少覆盖像素界定层的开口区的底部，第二阳极至少覆盖开口区的部分侧壁，且第二阳极的材料为反射材料，这样，可以增加反射面积，提高光利用率，避免光能浪费，从而提高显示亮度；这样，无需增加驱动电压即可提升亮度，可以延长蓝光发光材料和OLED器件的使用寿命；而且，第二阳极位于像素界定层和有机发光功能层之间，包裹住有机发光功能层，可以阻隔水汽进入有机发光功能层内，提升OLED器件的WVTR性能。

OLED Device, Its Preparation Method and Display Panel

【技术实现步骤摘要】
OLED器件及其制备方法和显示面板
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种OLED器件及其制备方法和显示面板。
技术介绍
AMOLED(Active-MatrixOrganicLight-EmittingDiode，有源矩阵有机发光二极体)柔性显示屏属于显示领域的前沿技术，它具备广NTSC(色域)、低功耗、更轻薄、可柔性等特性，逐渐成为当下的主流显示器，虽然经过很多年的技术积累和性能改善，但目前仍存在一些不足，具体包括：1、有机发光层发出的光仅20～40％用于显示，大部分的光都在内部消散，存在大量光能浪费；2、受限于蓝光发光材料，蓝光发光亮度低，为提升亮度，通常通过增大驱动电压提升亮度，但是这样会使蓝光发光材料寿命变短，随着使用时间增长，屏幕出现发黄现象。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术中存在的上述不足，提供一种OLED器件及其制备方法和显示面板，用以至少部分解决OLED器件光能浪费，使用寿命短的问题。本专利技术为解决上述技术问题，采用如下技术方案：本专利技术提供一种OLED器件，形成在衬底基板上的像素界定层和阳极层，所述像素界定层包括用于容置有机发光功能层的开口区，所述有机发光功能层包括发光层，所述阳极层包括第一阳极，所述第一阳极至少覆盖所述开口区的底部，所述阳极层还包括第二阳极，所述第二阳极至少覆盖所述开口区的部分侧壁，并与所述第一阳极在所述开口区的底部相连，所述第二阳极的材料为反射材料。优选的，所述第一阳极的材料为反射材料。优选的，所述像素界定层在所述开口区的周边形成挡墙结构，所述第二阳极至少覆盖所述挡墙结构朝向所述开口区的部分侧壁，并在所述挡墙结构远离所述开口区的一侧与显示面板上的薄膜晶体管相连。优选的，所述像素界定层包括第一像素界定层和第二像素界定层，所述第一像素界定层相对于所述第二像素界定层更邻近所述衬底基板；所述第二阳极覆盖所述开口区内的第一像素界定层，所述第一阳极部分位于所述第一像素界定层和所述衬底基板之间，并通过过孔与显示面板上的薄膜晶体管相连。优选的，所述有机发光层在所述像素界定层的侧壁上的正投影，与所述第二阳极在所述像素界定层的侧壁上的正投影部分重合。优选的，所述像素界定层在所述开口区的坡度角为0-90度。优选的，所述开口区在平行于所述衬底基板方向的截面的形状为圆形、椭圆形或多边形。本专利技术还提供一种显示面板，包括多个如前所述的OLED器件。本专利技术还提供一种OLED器件的制备方法，用于制备如前所述的OLED器件，所述方法包括以下步骤：通过一次构图工艺在衬底基板上形成包括第一开口的第一像素界定层的图形；通过一次构图工艺在所述第一像素界定层上形成包括第二阳极的第二阳极层的图形，所述第二阳极至少覆盖所述第一开口的部分侧壁；通过一次构图工艺在完成上述步骤的衬底基板上形成包括第二开口的第二像素界定层的图形，所述第二开口与所述第一开口连通形成开口区；在所述开口区内形成有机发光功能层。进一步的，所述第二阳极层还包括第一阳极；所述通过一次构图工艺在所述第一像素界定层上形成包括第二阳极的第二阳极层的图形，具体包括：通过一次构图工艺在所述第一像素界定层上同步形成包括第二阳极和第一阳极的第二阳极层的图形，所述第一阳极位于所述开口区的底部并与所述第二阳极相连。进一步的，所述第二阳极层还包括第一阳极；在通过一次构图工艺在衬底基板上形成包括第一开口的第一像素界定层的图形之前，所述方法还包括以下步骤：通过一次构图工艺在衬底基板上形成包括第一阳极的第一阳极层的图形；在通过一次构图工艺在所述第一像素界定层上形成包括第二阳极的第二阳极层的图形之后，所述第二阳极与所述第一阳极在所述开口区的底部相连。附图说明图1为本专利技术实施例1提供的OLED器件的结构示意图；图2为本专利技术实施例2提供的OLED器件的结构示意图。图例说明：1、衬底基板2、像素界定层3、阳极层4、有机发光功能层5、阴极层6、平坦化层21、第一像素界定层22、第二像素界定层31、第一阳极32、第二阳极41、发光层42、空穴传输层43、空穴注入层44、电子传输层45、电子注入层具体实施方式下面将结合本专利技术中的附图，对本专利技术中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例1本专利技术实施例1提供一种OLED器件，如图1所示，所述OLED器件包括形成在衬底基板1上的像素界定层2和阳极层3，像素界定层2包括开口区，开口区内容置有有机发光功能层4，有机发光功能层4包括发光层(EML)41、空穴传输层(HTL)42、空穴注入层(HIL)43、电子传输层(ETL)44、电子注入层(EIL)45。阳极层3包括第一阳极31和第二阳极32，第一阳极31至少覆盖所述开口区的底部，第二阳极32至少覆盖所述开口区的部分侧壁，并与第一阳极31在所述开口区的底部相连，其中，第二阳极32的材料为反射材料。本专利技术提供的OLED器件，包括形成在衬底基板1上的像素界定层2，以及包括第一阳极31和第二阳极32的阳极层3，像素界定层2的开口区内容置有有机发光功能层4，第一阳极31至少覆盖像素界定层2的开口区的底部，第二阳极32至少覆盖所述开口区的部分侧壁，且第二阳极32的材料为反射材料，这样，可以利用第二阳极32反射发光层41发出的光，增加反射面积，提高光利用率，避免光能浪费，从而提高显示亮度；这样，无需增加驱动电压即可提升亮度，可以延长蓝光发光材料和OLED器件的使用寿命；而且，第二阳极32位于像素界定层2和有机发光功能层4之间，包裹住有机发光功能层4，可以阻隔水汽进入有机发光功能层4内，提升OLED器件的WVTR(水汽透过率)性能，进一步延长OLED器件的使用寿命。如图1所示，所述OLED器件还包括阴极层5和平坦化层6，阴极层5位于有机发光功能层4远离衬底基板1的一侧，平坦化层6位于像素界定层2和衬底基板1之间。优选的，第一阳极31的材料为反射材料，能够反射发光层41发出的光，增加反射面积，提高光利用率，避免光能浪费，从而提高显示亮度。优选的，阳极层3(即第一阳极31和第二阳极32)的材料可以为ITO-Ag-ITO材料，即阳极层3为两层ITO(IndiumTinOxide，氧化铟锡)膜层和Ag金属膜层的复合膜层。如图1所示，像素界定层2在所述开口区的周边形成挡墙结构，第一阳极31至少覆盖所述开口区的底部，第二阳极32至少覆盖挡墙结构朝向所述开口区的部分侧壁，并在挡墙结构远离所述开口区的一侧与显示面板上的薄膜晶体管(图中未绘示)相连。第一阳极31和第二阳极32同层设置且同步形成。通过在像素界定层2的开口区的侧壁上形成第二阳极32，可以在像素界定层2与发光层41之间形成隔断以阻隔水汽，提升OLED器件的WVTR性能，从而提升OLED器件的使用寿命。在本实施例中，像素界定层2可以包括第一像素界定层21和第二像素界定层22，其中，第一像素界定层21相对于第二像素界定层22更邻近衬底基板1，也就是说，先制备第一像素界定层21，再制备阳极层3(包括第一阳极31和第二阳极32)，然后再制备第二像素界定层22。通过设置两层结构的像素界定层2，可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED器件，包括形成在衬底基板上的像素界定层和阳极层，所述像素界定层包括用于容置有机发光功能层的开口区，所述有机发光功能层包括发光层，所述阳极层包括第一阳极，所述第一阳极至少覆盖所述开口区的底部，其特征在于，所述阳极层还包括第二阳极，所述第二阳极至少覆盖所述开口区的部分侧壁，并与所述第一阳极在所述开口区的底部相连，所述第二阳极的材料为反射材料。

【技术特征摘要】
1.一种OLED器件，包括形成在衬底基板上的像素界定层和阳极层，所述像素界定层包括用于容置有机发光功能层的开口区，所述有机发光功能层包括发光层，所述阳极层包括第一阳极，所述第一阳极至少覆盖所述开口区的底部，其特征在于，所述阳极层还包括第二阳极，所述第二阳极至少覆盖所述开口区的部分侧壁，并与所述第一阳极在所述开口区的底部相连，所述第二阳极的材料为反射材料。2.如权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述第一阳极的材料为反射材料。3.如权利要求2所述的OLED器件，其特征在于，所述像素界定层在所述开口区的周边形成挡墙结构，所述第二阳极至少覆盖所述挡墙结构朝向所述开口区的部分侧壁，并在所述挡墙结构远离所述开口区的一侧与显示面板上的薄膜晶体管相连。4.如权利要求2所述的OLED器件，其特征在于，所述像素界定层包括第一像素界定层和第二像素界定层，所述第一像素界定层相对于所述第二像素界定层更邻近所述衬底基板；所述第二阳极覆盖所述开口区内的第一像素界定层，所述第一阳极部分位于所述第一像素界定层和所述衬底基板之间，并通过过孔与显示面板上的薄膜晶体管相连。5.如权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述有机发光层在所述像素界定层的侧壁上的正投影，与所述第二阳极在所述像素界定层的侧壁上的正投影部分重合。6.如权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述像素界定层在所述开口区的坡度角为0-90度。7.如权利要求1-6任一项所述的OLED器件，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李兴，郑海，魏维格，刘一泽，宋海波，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11