电容元件制造技术

技术编号:21068157 阅读:34 留言:0更新日期:2019-05-08 11:32
本实用新型专利技术涉及一种电容元件,具体涉及一种不增加层间导体的数量、面积而实现低ESR的电容元件。在该电容元件中,第一下部电极以及第二下部电极在基板上沿Y轴方向邻接配置。在第一下部电极上形成有第一电介质层,在第二下部电极上形成有第二电介质层。在第一电介质层上沿X轴方向邻接配置有第一上部电极以及第二上部电极,在第二电介质层上沿X轴方向邻接配置有第三上部电极以及第四上部电极。上部电极分别与层间导体接触。第一连接导体将第二层间导体与第四层间导体连接。第三上部电极相对于第一上部电极而沿Y轴方向邻接配置,第四上部电极相对于第二上部电极而沿Y轴方向邻接配置,第一连接导体沿Y轴方向延伸。

Capacitance element

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电容元件
本技术涉及电容元件,特别是涉及在基板上排列多个电容形成部,并将上述多个电容形成部电串联连接的电容元件。
技术介绍
例如专利文献1示出以下电容元件,其在基板上沿一个方向以规定间隔配置多个下部电极,在多个下部电极上,经由电介质层而将两个上部电极沿上述一个方向以规定间隔配置,由此设置利用下部电极层与上部电极层夹持了电介质层的两个电容形成部,在两个上部电极层分别独立地设置引出电极。专利文献1:日本特开2005-210065号公报此处,图10示出专利文献1所示的电容元件的基本结构。对于该电容元件而言,多个下部电极21、22等在基板1上沿一个方向以规定间隔配置,在上述下部电极21、22上,经由电介质层以规定间隔分别配置有两个上部电极41、42。根据该结构,电介质层被下部电极层与上部电极层夹持,构成四个电容形成部。而且,邻接的上部电极41、42间经由层间导体以及连接导体60而分别连接。然而,如图10所示,在上部电极41、42为在相对于上部电极41、42的排列方向正交的正交方向上较长的形状的情况下,从上部电极41、42的边缘端直至层间导体的距离的最大值(图中,尺寸R)较大。在这样的构造中,上部电极41、42的电阻值较高,因此电容元件的ESR(等效串联电阻)较大。若增加层间导体的数量、横截面积则ESR能够较小,但在层间导体形成时容易从接触孔除去电介质层内的O(氧)成分,导致电介质层的介电常数从规定值产生变动,因此使层间导体的数量、面积停留于最小限这点较为重要。
技术实现思路
本技术的目的在于提供不增加层间导体的数量、面积而实现低ESR的电容元件。(1)本技术的电容元件的特征在于,具有:基板,其具有在X-Y正交坐标系中沿X轴方向以及Y轴方向扩张的面;第一下部电极以及第二下部电极,它们设置于上述基板的上述面,并沿上述Y轴方向邻接配置;第一电介质层,其形成在上述第一下部电极上;第二电介质层,其形成在上述第二下部电极上;第一上部电极以及第二上部电极,它们形成在上述第一电介质层上,并沿上述X轴方向邻接配置;第三上部电极以及第四上部电极,它们形成在上述第二电介质层上,并沿上述X轴方向邻接配置;第一层间导体,其与上述第一上部电极接触;第二层间导体,其与上述第二上部电极接触;第三层间导体,其与上述第三上部电极接触;第四层间导体,其与上述第四上部电极接触;以及第一连接导体,其将上述第二层间导体与上述第四层间导体连接,上述第三上部电极相对于上述第一上部电极而沿上述Y轴方向邻接配置,上述第四上部电极相对于上述第二上部电极而沿上述Y轴方向邻接配置,上述第一连接导体沿上述Y轴方向延伸。根据上述的结构,邻接配置有第一上部电极以及第二上部电极的X轴方向是与第一连接导体的延伸方向正交的方向,因此能够使第二上部电极的从第二层间导体所接触的位置直至外边缘的最大值与最小值之差较小。同样,邻接配置有第三上部电极以及第四上部电极的X轴方向是与第一连接导体的延伸方向正交的方向,因此能够使第四上部电极的从第四层间导体所接触的位置直至外边缘的最大值与最小值之差(比)较小。由此,能够分别减小第一上部电极、第二上部电极、第三上部电极以及第四上部电极的电阻值,能够获得低ESR的电容元件。(2)优选上述第一上部电极从上述第一层间导体所接触的位置直至外边缘的长度的最大值相对于最小值之比小于2,上述第二上部电极从上述第二层间导体所接触的位置直至外边缘的长度的最大值相对于最小值之比小于2,上述第三上部电极从上述第三层间导体所接触的位置直至外边缘的长度的最大值相对于最小值之比小于2,上述第四上部电极从上述第四层间导体所接触的位置直至外边缘的长度的最大值相对于最小值之比小于2。由此,可有效地减小第一上部电极、第二上部电极、第三上部电极以及第四上部电极的电阻值,能够获得低ESR的电容元件。(3)在上述(2)中,优选上述第一上部电极、上述第二上部电极、上述第三上部电极以及上述第四上部电极各自的上述X轴方向的宽度与上述Y轴方向的宽度实质上相等。由此,进一步有效地减小第一上部电极、第二上部电极、第三上部电极以及第四上部电极的电阻值,能够获得低ESR的电容元件。(4)在上述(1)~(3)任一个中,优选上述第一连接导体的电阻值低于上述第一上部电极、上述第二上部电极、上述第三上部电极、上述第四上部电极、上述第一下部电极以及第二下部电极的电阻值。由此,即使第一连接导体伴随着第二上部电极以及第四上部电极在Y轴方向上扩张而变长,也可抑制第一连接导体的电阻值的增大。(5)在上述(1)~(4)任一个中,优选上述第一下部电极、上述第一上部电极、上述第二上部电极、上述第一层间导体以及上述第二层间导体的组;和上述第二下部电极、上述第三上部电极、上述第四上部电极、上述第三层间导体以及上述第四层间导体的组在上述Y轴方向上交替配置,上述电容元件具备第二连接导体,该第二连接导体在与上述第一连接导体在上述X轴方向上不邻接的位置,沿上述Y轴方向延伸,并将上述第三上部电极与同该第三上部电极邻接的上述第一上部电极连接。由此,第一上部电极以及第三上部电极电阻值也能够减小,能够获得更低ESR的电容元件。(6)在上述(5)中,优选上述第二连接导体的电阻值低于上述第一上部电极、上述第二上部电极、上述第三上部电极、上述第四上部电极、上述第一下部电极以及上述第二下部电极的电阻值。由此,即使第二连接导体伴随着第一上部电极以及第三上部电极在Y轴方向上扩张而变长,也可抑制第二连接导体的电阻值的增大。(7)在上述(1)~(6)任一个中,优选上述第一电介质层以及上述第二电介质层是强电介质的层,在上述基板设置有电阻元件,该电阻元件构成分别施加于上述第一下部电极与上述第一上部电极之间、上述第一下部电极与上述第二上部电极之间、上述第二下部电极与上述第三上部电极之间、以及上述第二下部电极与上述第四上部电极之间的(电容可变控制用)偏置电压路径。由此,能够获得低ESR的可变电容元件。根据本技术,能够获得不增加层间导体的数量、面积而减小ESR的电容元件。附图说明图1A是第一实施方式的电容元件101A的主要部分的俯视图,图1B是图1A的B-B部分的剖视图。图2是本实施方式的其他的电容元件101B的主要部分的俯视图。图3是第二实施方式的可变电容元件102的主要部分的剖视图。图4A是图3中的A-A部分的横剖视图,图4B是图3中的B-B部分的横剖视图,图4C是图3中的C-C部分的横剖视图。图5是表示图3所示的剖面的位置的图。图6是可变电容元件102的电路图。图7是可变电容元件102的三视图。图8是在安装用再布线基板2搭载了可变电容元件102的状态下的剖视图。图9是第三实施方式的通信电路的电路图。图10是表示专利文献1所示的电容元件的基本结构的图。具体实施方式以下,参照附图并列举几个具体例子示出用于实施本技术的多个方式。在各图中,对相同部位标注相同附图标记。考虑到要点的说明或者理解的难易度,方便起见而分开示出实施方式,但能够进行不同实施方式所示出的结构的部分置换或者组合。在第二实施方式以后的说明中,针对与第一实施方式共用的事项省略叙述,仅对不同点进行说明。特别是,针对相同结构所产生的相同作用效果,并不在每个实施方式中都依次提及。《本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电容元件,其特征在于,具有:基板,其具有在X‑Y正交坐标系中沿X轴方向以及Y轴方向扩张的面;第一下部电极以及第二下部电极,它们设置于所述基板的所述面,并沿所述Y轴方向邻接配置;第一电介质层,其形成在所述第一下部电极上;第二电介质层,其形成在所述第二下部电极上;第一上部电极以及第二上部电极,它们形成在所述第一电介质层上,并沿所述X轴方向邻接配置;第三上部电极以及第四上部电极,它们形成在所述第二电介质层上,并沿所述X轴方向邻接配置;第一层间导体,其与所述第一上部电极接触;第二层间导体,其与所述第二上部电极接触;第三层间导体,其与所述第三上部电极接触;第四层间导体,其与所述第四上部电极接触;以及第一连接导体,其将所述第二层间导体与所述第四层间导体连接,所述第三上部电极相对于所述第一上部电极而沿所述Y轴方向邻接配置,所述第四上部电极相对于所述第二上部电极而沿所述Y轴方向邻接配置,所述第一连接导体沿所述Y轴方向延伸。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.18 JP 2016-0562741.一种电容元件,其特征在于,具有:基板,其具有在X-Y正交坐标系中沿X轴方向以及Y轴方向扩张的面;第一下部电极以及第二下部电极,它们设置于所述基板的所述面,并沿所述Y轴方向邻接配置;第一电介质层,其形成在所述第一下部电极上;第二电介质层,其形成在所述第二下部电极上;第一上部电极以及第二上部电极,它们形成在所述第一电介质层上,并沿所述X轴方向邻接配置;第三上部电极以及第四上部电极,它们形成在所述第二电介质层上,并沿所述X轴方向邻接配置;第一层间导体,其与所述第一上部电极接触;第二层间导体,其与所述第二上部电极接触;第三层间导体,其与所述第三上部电极接触;第四层间导体,其与所述第四上部电极接触;以及第一连接导体,其将所述第二层间导体与所述第四层间导体连接,所述第三上部电极相对于所述第一上部电极而沿所述Y轴方向邻接配置,所述第四上部电极相对于所述第二上部电极而沿所述Y轴方向邻接配置,所述第一连接导体沿所述Y轴方向延伸。2.根据权利要求1所述的电容元件,其特征在于,所述第一上部电极从所述第一层间导体所接触的位置直至外边缘的长度的最大值相对于最小值之比小于2,所述第二上部电极从所述第二层间导体所接触的位置直至外边缘的长度的最大值相对于最小值之比小于2,所述第三上部电极从所述第三层间导体所接触的位置直至外边缘的长度的最大值相对于最小值之比小于2,所述第四上部电极从所述第四层间导体所接触的位置直至外边缘的长度的最大值相对于最小值之比小于2。3.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:小宫山卓中矶俊幸
申请(专利权)人:株式会社村田制作所
类型:新型
国别省市:日本,JP

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