具有载体和光电部件的装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及具有载体(1)的装置，其中在载体(1)上布置了光电部件(3)。在载体(1)上布置了材料(5)，其中载体(1)具有阻碍材料(5)沿流动方向(10)流动的至少一个结构元件(13、14、15)。结构元件(13、14、15)横向于流动方向(10)延伸，其中结构元件(13、14、15)具有垂直于结构元件的横向延伸的、小于20μm的圆角半径(19)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有载体和光电部件的装置
本专利技术涉及根据权利要求1中所要求的具有载体和光电部件的装置，以及涉及根据权利要求19中所要求的用于制造具有载体和光电部件的装置的方法。本专利申请要求德国专利申请DE102016116298.1的优先权，其公开内容通过引用结合于本文。
技术介绍
在现有技术中，将光电部件布置在载体上是已知的。在这种情况下，可以用封装化合物覆盖光电部件。此外，利用框架来封闭光电部件也是已知的。框架的内部被封装化合物填充，封装化合物还覆盖该部件。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种具有载体和光电部件的改进装置，以及一种用于制造具有光电部件的载体的改进方法。本专利技术的目的通过独立权利要求的特征来实现。在从属权利要求中限定了本专利技术的其他实施例。所描述的装置的一个优点是阻碍了材料沿预定流动方向流动。该优点的实现在于载体的表面结构具有沿预定流动方向的至少一个结构元件。该结构元件横向于流动方向延伸。结构元件在流动方向的平面中具有小于20μm的圆角半径。此外，该平面例如垂直于结构元件的纵向范围进行布置。利用这些圆角半径，实现了对材料流动的有效阻碍。通过较小的圆角半径，阻碍或防止了可流动材料弄湿结构元件。在一个实施例中，至少三个结构元件沿流动方向依次设置，结构元件与相邻结构元件的距离小于200μm。因此可以将至少三个结构元件设置在大约400μm的距离上。在一个实施例中，至少三个结构元件沿流动方向依次设置。取决于所选择的实施例，相邻结构元件可具有预定距离。例如，相邻结构元件的距离可以大于5μm或小于10μm。取决于所选择的实施例，可沿流动方向依次设置10个或更多个结构元件，结构元件与相邻结构元件的距离小于200μm和/或大于5μm。圆角半径的大小可大于材料的表面粗糙度或者其中形成结构元件的材料的表面的平均粗糙度的平均值。表面的平均粗糙度可例如在2μm或更小的范围内。结构元件可具有垂直于结构元件的纵向范围的宽度，该宽度在材料的平均表面粗糙度的至少三倍的范围内，结构元件形成在该材料中。结构元件可具有高度或深度，该高度或深度至少在材料的平均表面粗糙度的三倍的范围内，结构元件形成在该材料中。结构元件可沿整个纵向范围具有小于20μm的圆角半径。此外，结构元件可以在既定部分中具有大于20μm的圆角半径。具有大于20μm的圆角半径的部分不应当与相邻结构元件依次设置在沿流动方向的轴线上，而是应当在侧向上偏移地布置。例如，在具有大于20μm的圆角半径相邻结构元件的部分之间的侧向距离可在相邻结构元件之间距离的至少两倍的范围内。以此方式，仍然可以实现对材料的流动(渗出)的充分阻滞和/或限制。在一个实施例中，圆角半径小于10μm，特别是小于5μm。以此方式，实现了对材料的流动阻碍的进一步提高。在一个实施例中，圆角半径小于1μm，特别是小于0.05μm。在一个实施例中，结构元件具有大于或等于圆角半径的高度。在一个实施例中，结构元件具有小于20μm的高度。由于结构元件的较小高度，基本上未改变载体的表面结构。此外，材料的流动沿预定流动方向被结构元件阻碍。因此，例如，由于所提出的具有结构元件的表面结构，光电部件可被可流动材料过度填充并且阻碍或妨碍了可流动材料沿预定流动方向横向流走。在一个实施例中，至少两个结构元件沿流动方向依次布置。可流动材料的流动路径被因此减少。此外，单个结构元件的缺陷可通过沿流动方向的多个结构元件来补偿。例如，结构元件被形成为隆起和/或凹陷。取决于所选择的实施例，结构元件可具有小于5μm的高度，特别是小于1μm。同样借助于结构元件的这些低高度，可以实现对可流动材料的流动速度和流动路径的实质性影响。在结构元件作为凹陷的实施例中，凹陷具有沿流动方向的、对应于至少两倍圆角半径的宽度。在一个实施例中，载体包括导电层，结构元件被引入到导电层的表面中。因此没必要使载体自身结构化。结构元件可例如已经在制造导电层期间制造。此外，结构元件也可在制造导电层之后引入到导电层的表面中。例如，导电层可以由比载体更软的材料形成。此外，取决于所选择的实施例，结构元件的高度可以等于导电层的高度。因此没必要以一定高度来精确地配置结构元件。在该实施例中，高度自动地由导电层自身的厚度来预先确定。导电层可例如是电解淀积的。在导电层的制造或沉积期间导电层的表面可出现粗糙度。在制造导电层之后可将结构元件引入到导电层的表面中，例如通过压花法或激光加工或研磨加工或刻痕法或蚀刻法。在另一实施例中，结构元件具有至少0.1μm的高度。试验表明，这种最小高度对于实质影响可流动材料的流动速度和流动长度而言是有利的。结构元件的高度应当大于载体的表面的粗糙度。在另一实施例中，限制元件靠近部件布置在载体上。可流动材料被布置在部件和限制元件的第一侧之间。结构元件被布置成与限制元件的第二侧相邻。第二侧被布置成与限制元件的第一侧相反。以此方式获得的效果是，例如在限制元件和载体之间流过的可流动材料由于限制元件的第二侧上的结构元件被阻止进一步流动。限制元件可例如以接片的形式配置，该接片延伸超过部件的侧面长度的至少一部分，特别是环状地包围部件。取决于所选择的实施例，结构元件可在平行于载体的表面的平面中具有细长的形状或圆角的形状，特别是圆形形状。在另一实施例中，提供了细长的条带区域，结构元件布置在该条带区域中。细长的条带区域被布置成其纵向范围横向于流动方向。取决于所选择的实施例，细长的结构元件的纵向方向还可以垂直于预定流动方向布置。预定流动方向对应于可流动材料原本并非要沿其流动的方向。取决于所选择的实施例，结构元件还可以具有在载体的平面中为弯曲的形状，特别是S形。此外，结构元件还可以以载体的表面中圆角特别是圆形的底面的形式配置。结构元件可以例如借助于压花法和/或借助于研磨法和/或借助于激光加工方法和/或借助于机械刻痕法和/或借助于蚀刻法和/或借助于喷砂法来制造。在将可流动材料施用到载体上之后，取决于材料性质，可流动材料在预定等待时间之后固化。可流动材料可包括基质材料，其中引入了颗粒。例如，硅酮可用作基质材料。此外，具体地，散射颗粒或发光颗粒可以用作颗粒。此外，可流动材料还可以包括环氧化物或塑料。隆起可以由与载体或导电层相同的材料制成。此外，隆起还可以由不同材料组成。附图说明本专利技术的上述性质、特征和优点以及获得它们的方式，通过结合对示例性实施例的以下描述将变得更为清楚和易于理解，示例性实施例将结合附图更详细地进行解释。在这种情况下，分别按照示意图表示：图1示出了载体的平面图，图2示出了载体的第二实施例的横截面，图3示出了具有细长结构元件的载体的平面图，图4示出了具有横向于流动方向布置的细长结构元件的载体的平面图，图5示出了具有圆形结构元件的载体的平面图，图6示出了具有限制元件的载体的局部细节，图7示出了具有采用隆起形式的结构元件的载体的一部分的横截面，图8示出了具有采用凹陷形式的结构元件的载体的一部分的横截面，图9示出了具有采用隆起和凹陷形式的结构元件的载体的一部分的横截面，图10示出了具有带有结构元件的导电层的载体的一部分的横截面，图11示出了具有波纹状结构元件的载体的表面的平面图，图12示出了具有圆角结构元件的载体的表面的平面图，图13示出了具有部件、限制元件和导电层的载体的局部横截面，以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有载体(1)的装置，其中光电部件(3)布置在所述载体(1)上，其中材料(5)布置在所述载体(1)上，其中所述载体(1)包括阻碍所述材料(5)沿流动方向(10)流动的至少一个结构元件(13、14、15)，其中所述结构元件(13、14、15)横向于所述流动方向(10)延伸，其中所述结构元件(13、14、15)在垂直于所述结构元件(13、14、15)的横向范围的平面中具有小于20μm的圆角半径(19)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.01 DE 102016116298.11.一种具有载体(1)的装置，其中光电部件(3)布置在所述载体(1)上，其中材料(5)布置在所述载体(1)上，其中所述载体(1)包括阻碍所述材料(5)沿流动方向(10)流动的至少一个结构元件(13、14、15)，其中所述结构元件(13、14、15)横向于所述流动方向(10)延伸，其中所述结构元件(13、14、15)在垂直于所述结构元件(13、14、15)的横向范围的平面中具有小于20μm的圆角半径(19)。2.根据权利要求1所述的装置，其中至少三个结构元件(13、23、24)沿所述流动方向依次布置，其中结构元件(13、23、24)与相邻的结构元件(13、23、24)的距离小于200μm。3.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中至少三个结构元件(13、23、24)沿所述流动方向依次布置，其中结构元件(13、23、24)与相邻的结构元件(13、23、24)的距离特别地大于5μm。4.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述圆角半径(19)小于10μm，特别是小于5μm。5.根据权利要求4所述的装置，其中所述圆角半径(19)小于1μm，特别是小于0.05μm。6.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述结构元件(13、14、15)的高度大于或等于所述圆角半径(19)。7.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述结构元件(13、14、15)的高度小于20μm，特别是小于10μm。8.根据权利要求7所述的装置，其中所述结构元件(13、14、15)的高度小于5μm，特别是小于1μm，并且其中所述结构元件(13、14、15)具有至少0.05μm的高度。9.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中至少两个结构元件(13、14、15)沿所述流动方向(10)依次布置。10.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述载体(1)包括用于所述部件(3)的电接触的导电层(2)，其中所述结构元件(13、14、15、23、24)布置在所述导电层(2)中或其上，并且其中所述导电层(2)的表面具有平均粗糙度，并且其中特别地所述结构元件(13、14、15、23、24)的半径大于所述导电层(2)的表面的所述平均粗糙度。11.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中限制元件(4)靠近所述部件(3)布置在所述载体(1)上，其中所述材料(5)布置在所述部件(3)与所述限制元件(4)的第一侧(6)之间，其中所述结构元件(13、14、15)布置成邻近于所述限制元件(4)的第二侧(7)，其中所述第二侧(7)布置为与所述第一侧(6)相反。12.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述结构元件(13、14、15)在所述载体(1)...

【专利技术属性】
技术研发人员：丹尼尔·莱森，马库斯·平德尔，西蒙·叶列比克，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE