一种用于充电枪误动作消除的电路结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于充电枪误动作消除的电路结构，包括消除电路，所述消除电路包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3以及三极管Q4，电阻R1一端分别与电容C1一端、电阻R2一端以及所述三极管Q1的基极连接，所述电容C1另一端、所述电阻R2另一端以及所述三极管Q1的发射极接地GND，所述三极管Q1的集电极分别与电阻R3一端以及电阻R4一端连接。本实用新型专利技术能够使充电枪S按钮开关闭合后误断开，后级K1K2驱动电路完成自锁，有效避免K1K2主接触器频繁动作而损坏，本实用新型专利技术电路结构简单，功耗低、成本低，电路的器件数量少，电路功耗小，组装简单。

A Circuit Structure for Eliminating Misoperation of Charging Gun

The utility model discloses a circuit structure for eliminating misoperation of a charging gun, including an eliminating circuit. The eliminating circuit comprises a transistor Q1, a transistor Q2, a transistor Q3 and a transistor Q4. One end of resistor R1 is connected with one end of capacitor C1, one end of resistor R2 and the base of the transistor Q1, the other end of capacitor C1, the other end of resistor R2 and the transistor Q1, respectively. The emitter is grounded to GND, and the collector of the transistor Q1 is connected with one end of resistance R3 and one end of resistance R4, respectively. The utility model can make the S button switch of the charging gun open by mistake after closing, and the rear K1K2 drive circuit completes self-locking, effectively avoiding frequent action and damage of the K1K2 main contactor. The circuit of the utility model has the advantages of simple structure, low power consumption, low cost, small number of circuit components, low power consumption and simple assembly.

【技术实现步骤摘要】
一种用于充电枪误动作消除的电路结构
本技术涉及高压直流充电桩
，具体的说，是涉及一种用于充电枪误动作消除的电路结构。
技术介绍
目前高压直流充电桩对充电枪S按钮开关闭合的判断，主要是依靠检测CC1信号的状态进行的。存在的不足主要有以下几点：1、充电枪本身无法避免以下情况：在插枪后人为晃动、充电线受到牵拉、按钮被人为按压等原因，会导致充电过程中充电枪的S按钮开关及其相关锁扣的抖动，从而导致CC1信号的误动作。2、无法解决S按钮开关在制造工艺、使用时温度导致的变形、弹性失效、动作卡位等异常时，S按钮开关触片会发生接触不良，CC1信号误翻转情况。造成整机误检测、误动作。3、现有技术的充电枪部分充电机无CC1误动作消除电路，会导致频繁驱动K1K2主接触器的通断，严重影响K1K2主接触器的使用寿命及充电的安全性。上述缺陷，值得改进。
技术实现思路
为了克服现有的技术的不足，本技术提供一种用于充电枪误动作消除的电路结构。本技术技术方案如下所述：一种用于充电枪误动作消除的电路结构，包括消除电路，所述消除电路包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3以及三极管Q4，电阻R1一端分别与电容C1一端、电阻R2一端以及所述三极管Q1的基极连接，所述电容C1另一端、所述电阻R2另一端以及所述三极管Q1的发射极接地GND，所述三极管Q1的集电极分别与电阻R3一端以及电阻R4一端连接，电阻R3另一端分别与所述三极管Q3的发射极、电阻R6一端、电容C3一端以及电压端VCC连接，所述三极管Q3的基极分别与所述电阻R6另一端、所述电容C3另一端以及电阻R8一端连接，所述三极管Q3的集电极经过电阻R7分别与所述电阻R4另一端、所述三极管Q4的集电极、电容C2一端、电阻R9一端以及所述三极管Q2的基极连接，所述三极管Q2的发射极、所述电容C2另一端以及电阻R9另一端接地GND,所述三极管Q4的基极分别与电阻R10一端、电容C4一端以及电阻R5一端连接，所述电容C4另一端、所述电阻R5另一端以及所述三极管Q4的发射极均接地GND。进一步的，所述电阻R1另一端接CC1动作信号端。进一步的，所述电阻R10另一端接高电平解除信号端。进一步的，所述三极管Q2的集电极分别与所述电阻R8另一端以及K1K2接触器驱动信号输入端连接。本技术能够使充电枪S按钮开关闭合后误断开，后级K1K2驱动电路完成自锁，有效避免K1K2主接触器频繁动作而损坏，本技术电路结构简单，功耗低、成本低，电路的器件数量少，电路功耗小，所有器件都可以使用贴片器件，整个电路体积极小，本技术可以加工成厚膜模块或电路组件，方便器件的安装、焊装。附图说明图1为本技术的中充电枪结构示意图。图2为本技术的电路结构示意图。在图中，1、S按钮开关；2、锁扣。具体实施方式下面结合附图以及实施方式对本技术进行进一步的描述：如图1所示，一种用于充电枪误动作消除的电路结构，包括消除电路，所述消除电路包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3以及三极管Q4，电阻R1一端分别与电容C1一端、电阻R2一端以及所述三极管Q1的基极连接，所述电容C1另一端、所述电阻R2另一端以及所述三极管Q1的发射极接地GND，所述三极管Q1的集电极分别与电阻R3一端以及电阻R4一端连接，电阻R3另一端分别与所述三极管Q3的发射极、电阻R6一端、电容C3一端以及电压端VCC连接，所述三极管Q3的基极分别与所述电阻R6另一端、所述电容C3另一端以及电阻R8一端连接，所述三极管Q3的集电极经过电阻R7分别与所述电阻R4另一端、所述三极管Q4的集电极、电容C2一端、电阻R9一端以及所述三极管Q2的基极连接，所述三极管Q2的发射极、所述电容C2另一端以及电阻R9另一端接地GND,所述三极管Q4的基极分别与电阻R10一端、电容C4一端以及电阻R5一端连接，所述电容C4另一端、所述电阻R5另一端以及所述三极管Q4的发射极均接地GND。所述电阻R1另一端接CC1动作信号端，所述电阻R10另一端接高电平解除信号端，所述三极管Q2的集电极分别与所述电阻R8另一端以及K1K2接触器驱动信号输入端连接。在电动汽车充电过程中，充电枪上设置有S按钮开关1以及锁扣2，直流充电桩上充电枪的接触不良或抖动导致S按钮开关1抖动，使CC1（充电连接确认）信号误动作，导致充电回路中K1K2接触器频繁通断。通过本技术可以消除此误动作，使后级K1K2驱动电路完成自锁，防止K1K2接触器带载频繁通断而损坏。本技术工作原理：1、S按钮开关闭合动作状态：当充电枪插入充电座，S按钮开关闭合后，CC1信号经过比较器输出高电平依次加入到电阻R1以及三极管Q1，三极管Q1导通，三极管Q1的集电极即为低电平，此时三极管Q2不导通，三极管Q2的集电极为高电平，PNP三极管Q3不导通。同时K1K2接触器驱动信号（即三极管Q2的集电极电平）为高，接触器吸合。2、S按钮开关断开自锁工作状态：充电枪S按钮开关断开（正常拔枪或误动作）时，误动作消除电路起作用。如下：S按钮开关断开，CC1信号经过比较器输出低电平依次加入到电阻R1以及三极管Q1，三极管Q1不导通，三极管Q1的集电极为高电平，此时三极管Q2导通，三极管Q2的集电极为低电平，PNP三极管Q3的EB结获得电流偏置，如图2中IEB所示，三极管Q3的CE导通，将高电平加到三极管Q2的基极，三极管Q2将形成持续、稳定的导通。完成自锁功能，三极管Q2的集电极为低电平。此时K1K2接触器驱动信号（即三极管Q2的集电极电平）为低，接触器断开。此种状态下，K1K2接触器驱动信号，即三极管Q2的集电极电平不再受CC1动作信号的控制，即使S按钮开关发生误动作，频繁通断，接触器的驱动信号都维持在断开状态。本技术中的电容C3起延迟的作用，可以避免三极管Q3的动作竞争。3、解锁控制：电路自锁后，充电机需重新刷卡,由单片机发送一高电平解锁信号加入到电阻R10端，此时三极管Q4的CE导通，三极管Q2的基极被拉到地，三极管Q2不导通，三极管Q2的集电极恢复到高电平状态，后级K1K2接触器进入正常的控制状态。完成解锁控制。4、本技术的任何一次检测电阻R1出现低电平后，后级K1K2接触器驱动信号均会自锁，需由单片机控制部分发送高电平解除信号加入到电阻R10端方可解除。本技术电路结构简单，功耗低、成本低。电路的器件数量少，电路功耗小，所有器件都可以使用贴片器件，整个电路体积极小。本技术可以加工成厚膜模块或电路组件，方便器件的安装、焊装。应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本技术所附权利要求的保护范围。上面结合附图对本技术专利进行了示例性的描述，显然本技术专利的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本技术专利的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本技术专利的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于充电枪误动作消除的电路结构，其特征在于，包括消除电路，所述消除电路包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3以及三极管Q4，电阻R1一端分别与电容C1一端、电阻R2一端以及所述三极管Q1的基极连接，所述电容C1另一端、所述电阻R2另一端以及所述三极管Q1的发射极接地GND，所述三极管Q1的集电极分别与电阻R3一端以及电阻R4一端连接，电阻R3另一端分别与所述三极管Q3的发射极、电阻R6一端、电容C3一端以及电压端VCC连接，所述三极管Q3的基极分别与所述电阻R6另一端、所述电容C3另一端以及电阻R8一端连接，所述三极管Q3的集电极经过电阻R7分别与所述电阻R4另一端、所述三极管Q4的集电极、电容C2一端、电阻R9一端以及所述三极管Q2的基极连接，所述三极管Q2的发射极、所述电容C2另一端以及电阻R9另一端接地GND,所述三极管Q4的基极分别与电阻R10一端、电容C4一端以及电阻R5一端连接，所述电容C4另一端、所述电阻R5另一端以及所述三极管Q4的发射极均接地GND。

【技术特征摘要】
1.一种用于充电枪误动作消除的电路结构，其特征在于，包括消除电路，所述消除电路包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3以及三极管Q4，电阻R1一端分别与电容C1一端、电阻R2一端以及所述三极管Q1的基极连接，所述电容C1另一端、所述电阻R2另一端以及所述三极管Q1的发射极接地GND，所述三极管Q1的集电极分别与电阻R3一端以及电阻R4一端连接，电阻R3另一端分别与所述三极管Q3的发射极、电阻R6一端、电容C3一端以及电压端VCC连接，所述三极管Q3的基极分别与所述电阻R6另一端、所述电容C3另一端以及电阻R8一端连接，所述三极管Q3的集电极经过电阻R7分别与所述电阻R4另一端、所述三极管Q4的集电极、电容C2一端、电阻R...

【专利技术属性】
技术研发人员：张建峰，何佳，
申请(专利权)人：深圳市核达中远通电源技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44