用于叠瓦组件的电池片的制备方法技术

本申请公开了一种用于叠瓦组件的电池片的制备方法，包括：通过预设的掩膜板和丝印网版，在硅片的沉积区域制备光伏电池芯片；其中，所述掩膜板和所述丝印网版分别预留有用于在所述硅片形成待切割区域的阻隔机构；对所述硅片的切割区域进行切割，制备得到用于叠瓦组件的电池片。本申请实施例通过掩膜板和丝印网版在硅片的沉积区域沉积薄膜和制作电极，并预留出待切割区域，可以对待切割区域进行切割，从而得到无PN结损伤的电池片，为叠瓦组件提供高质量的片源，进而提高叠瓦组件的效率。

Preparation of Battery Sheets for Laminated Components

The present application discloses a preparation method of a battery sheet for an overlay assembly, which includes: preparing a photovoltaic cell chip in the deposition area of a silicon wafer through a preset mask plate and a screen printing plate; reserving a barrier mechanism for forming an area to be cut by the mask plate and the screen printing plate respectively; cutting the cutting area of the silicon wafer, and preparing the photovoltaic cell chip. To the battery sheet for the laminated tile assembly. In the embodiment of this application, thin films and electrodes are deposited in the deposition area of silicon wafer by mask plate and screen printing plate, and an area to be cut is reserved for cutting area, so as to obtain a battery sheet without PN junction damage, provide a high-quality chip source for the tile assembly, and then improve the efficiency of the tile assembly.

【技术实现步骤摘要】
用于叠瓦组件的电池片的制备方法
本申请涉及光伏组件
，特别是指一种用于叠瓦组件的电池片的制备方法。
技术介绍
叠瓦技术是将传统电池片切为多个小片后，使用导电胶进行叠加串联。目前市场上的叠瓦组件所用的电池片通常是将不良电池片、良品电池片经激光切割成小片后，进行封装而成。但是，由于不良电池片存在缺角、崩边等缺陷，因此将不良电池片作为叠瓦组件的来源，在很大程度上限制了组件效率的提升；而将良品电池片作为叠瓦组件的来源，虽然可以带来组件效率的提高，但是激光切割过程中，极易造成电池片PN结的损伤，导致产生不良硅片，这在一定程度上也限制了组件效率的提升。因此，对电池片进行切割容易造成PN结的损伤，而且同时会产生不良片，会耗费大量的电池片。现有技术中采用的一种解决方案是在切割硅片之前对硅片进行预切割处理，一般包括以下两种方法：1)首先对硅片进行预切割处理(切割深度为20-50μm)，然后将硅片放入花篮中进行制绒、清洗以及后工序处理，再对硅片进行掰片。但是，由于先对硅片进行了预切割，切割时切割点产生的应力损伤对后序操作所产生的连锁效应，最终导致硅片在制绒、清洗等过程中会造成碎片、隐裂等问题。2)首先将硅片放入花篮中进行制绒、清洗以及后工序处理，然后对硅片进行预切割处理(切割深度为20-50μm)，再对硅片进行掰片。这种方法虽然可以避免碎片、隐裂等问题，但是由于预切割是在清洗工序之后、离子增强化学气相沉积之前，因此在生产过程中产生粉尘、油类脂肪类物质、金属杂质等会污染硅片，最终影响电池片的质量。
技术实现思路
有鉴于此，本申请的目的在于提出一种用于叠瓦组件的电池片的制备方法，以解决PN结损伤，电池片质量低的技术问题。本申请实施例提供了一种用于叠瓦组件的电池片的制备方法，包括以下步骤：通过预设的掩膜板和丝印网版，在硅片的沉积区域制备光伏电池芯片；其中，所述掩膜板和所述丝印网版分别预留有用于在所述硅片形成待切割区域的阻隔机构；对所述硅片的切割区域进行切割，制备得到用于叠瓦组件的电池片。在本申请的一些实施例中，所述通过预设的掩膜板和丝印网版，在硅片的沉积区域制备光伏电池芯片，包括：通过第一掩膜板在硅片的沉积区域沉积本征层、P型掺杂层和N型掺杂层；通过第二掩膜板在所述P型掺杂层和N型掺杂层上的沉积区域沉积透明导电膜；通过丝印网版在所述透明导电膜上的沉积区域制作电极，得到所述光伏电池芯片。在本申请的一些实施例中，所述掩膜板包括框架主体和至少一根掩膜格条，所述至少一根掩膜格条为所述阻隔机构，所述掩膜格条的两端分别与所述框架主体的相对两侧连接，所述掩膜格条在所述硅片的正投影为所述待切割区域；所述掩膜格条与所述框架主体之间的空白区域和相邻的所述掩膜格条之间的空白区域在所述硅片上的正投影为所述沉积区域。在本申请的一些实施例中，所述第一掩膜板与所述第二掩膜板为同一个掩膜板。在本申请的一些实施例中，所述第二掩膜板的空白区域的长度小于所述第一掩膜板的空白区域的长度，所述第二掩膜板的空白区域的宽度小于所述第一掩膜板的空白区域的宽度；第二掩膜板的掩膜格条在所述硅片上的正投影落在与第一掩膜板的掩膜格条在所述硅片上的正投影内。在本申请的一些实施例中，所述第二掩膜板的框架主体包括平面框架和斜面框架，所述平面框架位于所述斜面框架的外侧，并与所述斜面框架的边缘固定连接；所述平面框架所在平面与所述斜面框架所在平面的夹角为60°～75°。在本申请的一些实施例中，所述丝印网版包括网版主体和至少一根网版格条，所述网版格条的两端分别与所述网版主体的相对两侧连接，所述网版格条在所述硅片上的正投影与所述掩膜格条在所述硅片上的正投影相同。在本申请的一些实施例中，通过丝印网版在所述透明导电膜上的沉积区域制作电极，得到所述光伏电池芯片，包括：通过丝印网版和导电银浆，在所述透明导电膜上丝印主栅线和副栅线，并烘干形成电极。在本申请的一些实施例中，通过第一掩膜板在硅片的沉积区域沉积本征层、P型掺杂层和N型掺杂层，包括：通过第一掩膜板在硅片的两个表面的沉积区域沉积本征层；在所述硅片的一个表面的沉积区域进行P型掺杂，形成P型掺杂层；在所述硅片的另一个表面的沉积区域进行N型掺杂，形成N型掺杂层；其中，所述本征层为本征非晶硅膜层；所述P型掺杂层为P型薄膜层；所述N型掺杂层为N型薄膜层。在本申请的一些实施例中，在通过预设的掩膜板和丝印网版，在硅片的沉积区域制备光伏电池芯片之前，所述方法还包括：对硅片进行制绒和清洗；和/或对所述硅片进行刻蚀标记。本申请实施例通过预设的掩膜板和丝印网版在硅片的沉积区域沉积薄膜和丝印栅线，并预留出待切割区域，可以对待切割区域进行切割，从而得到无PN结损伤的电池片，为叠瓦组件提供高质量的片源，进而提高叠瓦组件的效率。而且，所述方法采用钝化后激光切割的方式，一方面可以确保电池片无PN结损伤，有利于提高产品良率；另一方面可以避免切割时切割点产生的应力损伤对后序操作所产生的连锁效应，从而解决硅片在制绒、清洗等过程中会造成碎片、隐裂等的问题。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例的用于叠瓦组件的电池片的制备方法的流程图；图2为本申请一个实施例的第一掩膜板或第二掩膜板的主视图；图3为本申请再一个实施例的第一掩膜板或第二掩膜板的主视图图4为本申请一个实施例的第二掩膜板的主视图；图5为本申请一个实施例的第二掩膜板的后视图；图6为本申请又一个实施例的第二掩膜板的主视图；图7为本申请又一个实施例的第二掩膜板的后视图；图8为本申请一个实施例的丝印网版的主视图；图9为本申请另一个实施例的丝印网版的主视图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。本申请实施例提供了一种用于叠瓦组件的电池片的制备方法，包括：通过预设的掩膜板和丝印网版，在硅片的沉积区域制备光伏电池芯片；其中，所述掩膜板和所述丝印网版分别预留有用于在所述硅片形成待切割区域的阻隔机构；对所述硅片的待切割区域进行切割，制备得到用于叠瓦组件的电池片。其中，在硅片的沉积区域制备的光伏电池芯片可以采用多种结构，例如本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于叠瓦组件的电池片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：通过预设的掩膜板和丝印网版，在硅片的沉积区域制备光伏电池芯片；其中，所述掩膜板和所述丝印网版分别预留有用于在所述硅片形成待切割区域的阻隔机构；对所述硅片的切割区域进行切割，制备得到用于叠瓦组件的电池片。

【技术特征摘要】
1.一种用于叠瓦组件的电池片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：通过预设的掩膜板和丝印网版，在硅片的沉积区域制备光伏电池芯片；其中，所述掩膜板和所述丝印网版分别预留有用于在所述硅片形成待切割区域的阻隔机构；对所述硅片的切割区域进行切割，制备得到用于叠瓦组件的电池片。2.根据权利要求1所述的用于叠瓦组件的电池片的制备方法，其特征在于，所述通过预设的掩膜板和丝印网版，在硅片的沉积区域制备光伏电池芯片，包括：通过第一掩膜板在硅片的沉积区域沉积本征层、P型掺杂层和N型掺杂层；通过第二掩膜板在所述P型掺杂层和N型掺杂层上的沉积区域沉积透明导电膜；通过所述丝印网版在所述透明导电膜上的沉积区域制作电极，得到所述光伏电池芯片。3.根据权利要求2所述的用于叠瓦组件的电池片的制备方法，其特征在于，所述掩膜板包括框架主体和至少一根掩膜格条，所述至少一根掩膜格条为所述阻隔机构，所述掩膜格条的两端分别与所述框架主体的相对两侧连接，所述掩膜格条在所述硅片的正投影为所述待切割区域；所述掩膜格条与所述框架主体之间的空白区域和相邻的所述掩膜格条之间的空白区域在所述硅片上的正投影为所述沉积区域。4.根据权利要求3所述的用于叠瓦组件的电池片的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜板与所述第二掩膜板为同一个掩膜板。5.根据权利要求3所述的用于叠瓦组件的电池片的制备方法，其特征在于，所述第二掩膜板的空白区域的长度小于所述第一掩膜板的空白区域的长度，所述第二掩膜板的空白区域的宽度小于所述第一掩膜板的空白区域的宽度；第二掩膜板的掩膜格条在所述硅片上的正投影落在与第一掩膜板的掩...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙永灯，
申请(专利权)人：君泰创新北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11