一种石英晶片的清洗方法及自动清洗装置制造方法及图纸

本申请公开了一种石英晶片的清洗方法和自动清洗装置。清洗方法包括：将待清洗的所述晶片置于NPB清洗液、预热后恒温的Micro‑90清洗液、去离子水、预热后恒温的双氧水、去离子水、预热后恒温的无水乙醇中分别进行第一次超声清洗、第二次超声清洗、第一次溢流、浸泡腐蚀、第二次溢流、脱水。所述自动清洗装置包括至少6个可隔离清洗槽，夹具，连接部件，夹持部件，控制系统，所述夹持部件通过所述连接部件与所述夹具可拆卸固定连接,所述夹持部件游离在所述清洗槽外部，用于带动所述夹具浸入或移出所述每个清洗槽。本申请可实现对所述晶片进行多水段洗液自动清洗，且对每个清洗步骤的时长和温度参数实现精准控制。

A Cleaning Method and Automatic Cleaning Device for Quartz Wafer

This application discloses a cleaning method and an automatic cleaning device for quartz wafers. The cleaning methods include: putting the wafers to be cleaned into NPB cleaning solution, Miro 90 cleaning solution with constant temperature after preheating, deionized water, hydrogen peroxide with constant temperature after preheating, deionized water, anhydrous ethanol with constant temperature after preheating, respectively, for the first ultrasonic cleaning, the second ultrasonic cleaning, the first overflow, immersion corrosion, the second overflow and dehydration. The automatic cleaning device comprises at least six isolating cleaning grooves, fixtures, connecting parts, clamping parts and control systems. The clamping parts are detachable and fixed through the connecting parts and the clamping devices, and the clamping parts are free from the outside of the cleaning groove for driving the fixture to immerse or move out of each cleaning groove. The application can realize the automatic cleaning of the wafer with multi-stage lotion, and precise control of the time and temperature parameters of each cleaning step.

【技术实现步骤摘要】
一种石英晶片的清洗方法及自动清洗装置
本申请涉及晶体元器件领域，尤其涉及一种石英晶片的清洗方法及自动清洗装置。
技术介绍
石英晶体谐振器是利用具有压电效应的石英晶片而制成的谐振元件，也是构成晶体振荡器的关键组件。由于石英晶体谐振器具有体积小、重量轻、可靠性高、频率稳定度优良等一系列优异特点，被广泛应用于通信、医疗、航空航天、武器装备等行业及领域中。晶体元器件石英晶片的表面清洁度直接影响晶体谐振器的电阻、老化率等指标。清洗工艺流程步骤比较多。现有的石英晶体清洗方法通常有手工和自动两类。在目前的手动清洗方式中，清洗液的温度、时长、方式(超声、浸泡、溢流等)等工艺条件参数需要手动控制。在目前常用的自动清洗方式，则传统上采用的是常温下去离子水超声清洗，缺乏多水段洗液自动清洗方法和装置。因此，晶片清洗需要能对清洗时长、清洗液温度等参数实现精准控制的多水段洗液方法，解决人为控制导致操作错误几率较高、参数控制精确度低、石英晶片表面清洗洁净度不稳定、一致性较差的问题，提升晶体元器件产品性能稳定性及可靠性。
技术实现思路
本申请实施例提供一种石英晶片的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：将待清洗的所述晶片置于NPB清洗液中进行第一次超声清洗；将所述晶片置于预热后恒温的Micro-90清洗液中进行第二次超声清洗，所述预热后恒温的Micro-90清洗液的温度为60℃至90℃；将所述晶片置于去离子水中进行第一次溢流；将所述晶片置于预热后恒温的双氧水中进行浸泡腐蚀，所述预热后恒温的双氧水试剂的温度为60℃至90℃；将所述晶片置于去离子水中进行第二次溢流；将所述晶片置于预热后恒温的无水乙醇中进行脱水，所述预热后恒温的无水乙醇的温度为60℃至90℃。优选的，还包括以下步骤：将脱水后的所述晶片进行干燥。优选的，所述第一次超声清洗时长为第一时长，所述第二次超声清洗时长为第二时长，所述第一次溢流时长为第三时长，所述浸泡腐蚀时长为第四时长，所述第一次溢流时长为第五时长，所述脱水时长为第六时长；所述第一时长、第三时长、第五时长、第六时长至少一个为1至3分钟；所述第二时长、第四时长至少一个为5至10分钟。优选的，所述干燥持续时长为第七时长，所述第七时长为5至10分钟。优选的，所述NPB清洗液为NPB清洗原液。优选的，所述Micro-90清洗液为0.1％至1.0％的Micro-90清洗液。优选的，所述双氧水为饱和度30％的双氧水。本申请实施例还提供一种石英晶片的自动清洗装置，所述清洗装置包括至少6个可隔离清洗槽，夹具，连接部件，夹持部件，控制系统，所述夹具用于盛装所述晶体；所述夹持部件通过所述连接部件与所述夹具可拆卸固定连接；所述夹持部件游离在所述清洗槽外部，用于带动所述夹具浸入或移出所述每个清洗槽；所述控制系统包括输入单元和输出单元，所述输入单元用于输入预设温度和预设时长，所述输出单元用于根据所述预设温度调整每个清洗槽的温度、根据所述预设时长移动所述夹持部件。优选的，所述清洗装置还包括干燥部件。优选的，所述夹具包括至少一个载孔、盖板和卡销；所述载孔用于盛装单个独立的所述石英晶片；所述盖板具有卡槽，所述盖板通过所述卡槽与所述卡销推动连接，所述卡槽与所述卡销的相对位置移动实现所述盖板与所述载孔的开合，合时所述盖板与所述载孔组成一个密闭空间。本申请实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：能实现对所述晶片的多水段洗液清洗步骤参数实现精准控制，解决人为控制导致操作错误几率较高、参数控制精确度低、石英晶片表面清洗洁净度不稳定、一致性较差的问题，提升晶体元器件产品性能稳定性及可靠性。附图说明此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：图1为本申请石英晶片清洗方法的实施例流程图；图2为本申请包含干燥步骤的石英晶片清洗方法的实施例流程图；图3为本申请石英晶片自动清洗装置示意图。具体实施方式为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。以下结合附图，详细说明本申请各实施例提供的技术方案。实施例1图1为本申请石英晶片清洗方法的实施例流程图。步骤100、将待清洗的所述晶片置于NPB清洗液中进行第一次超声清洗；优选的，将所述晶片置于NPB清洗液中进行第一次超声清洗的持续时长为第一时长，第一时长为1至3分钟，包括端点值。所述NPB清洗液为NPB清洗原液。优选的，步骤100可实现自动将所述晶片置于NPB清洗液中。进一步优选的，所述第一时长为3分钟。例如，预先设定NPB清洗原液的第一时长为3分钟。将所述晶片自动置入常温下，即25℃下的NPB清洗原液中进行第一次超声清洗，持续3分钟后，所述晶片被自动取出。步骤200、将所述晶片置于预热后恒温的Micro-90清洗液中进行第二次超声清洗，所述预热后恒温的Micro-90清洗液温度为60℃至90℃；优选的，将所述晶片置于Micro-90清洗液中进行第二次超声清洗的持续时长为第二时长，第二时长为5至10分钟。所述Micro-90清洗液为0.1％至1.0％的Micro-90清洗液。所述预热后恒温的Micro-90清洗液温度为60℃、65℃、70℃、75℃、80℃、85℃或90℃。优选的，步骤200可实现自动将所述晶片置于Micro-90清洗液中。进一步优选的，所述第二时长为5分钟。所述Micro-90清洗液为0.5％的Micro-90清洗液。例如，配置好0.5％的Micro-90清洗液，预先设定在0.5％的Micro-90清洗液中进行第二次超声清洗的第二时长为5分钟，预热后恒温的Micro-90清洗液温度为60℃。将0.5％的Micro-90清洗液进行加热至60℃。将经过第一次超声清洗的所述晶片自动置入加热至60℃的0.5％的Micro-90清洗液中，持续5分钟后所述晶片被自动取出。步骤300、将所述晶片置于去离子水中进行第一次溢流；优选的，将所述晶片置于去离子水中进行溢流的持续时长为第三时长，所述第三时长为1至3分钟。进一步优选的，所述第三时长为2分钟。例如，预先设定在去离子水中进行溢流的第三时长为2分钟。将经过第二次超声清洗的所述晶片自动置入常温下，即25℃下的去离子水中，持续2分钟后所述晶片被自动取出。步骤400、将所述晶片置于预热后恒温的双氧水中进行浸泡腐蚀，所述预热后恒温的双氧水试剂的温度为60℃至90℃；优选的，将所述晶片置于预热后恒温的双氧水中进行浸泡腐蚀的持续时长为第四时长，所述第四时长为5至10分钟。所述预热后恒温的双氧水温度为60℃、65℃、70℃、75℃、80℃、85℃或90℃。进一步优选的，所述第四时长为5分钟。优选的，所述双氧水为饱和度30％的双氧水。例如，配置好饱和度为30％的双氧水，预先设定在双氧水中进行浸泡腐蚀的第四时长为5分钟，预热后恒温的双氧水温度设定为60℃。将30％的双氧水进行加热至60℃。将经过第一次溢流的所述晶片自动置入本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种石英晶片的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：将待清洗的所述晶片置于NPB清洗液中进行第一次超声清洗；将所述晶片置于预热后恒温的Micro‑90清洗液中进行第二次超声清洗，所述预热后恒温的Micro‑90清洗液的温度为60℃至90℃；将所述晶片置于去离子水中进行第一次溢流；将所述晶片置于预热后恒温的双氧水中进行浸泡腐蚀，所述预热后恒温的双氧水试剂的温度为60℃至90℃；将所述晶片置于去离子水中进行第二次溢流；将所述晶片置于预热后恒温的无水乙醇中进行脱水，所述预热后恒温的无水乙醇的温度为60℃至90℃。

【技术特征摘要】
1.一种石英晶片的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：将待清洗的所述晶片置于NPB清洗液中进行第一次超声清洗；将所述晶片置于预热后恒温的Micro-90清洗液中进行第二次超声清洗，所述预热后恒温的Micro-90清洗液的温度为60℃至90℃；将所述晶片置于去离子水中进行第一次溢流；将所述晶片置于预热后恒温的双氧水中进行浸泡腐蚀，所述预热后恒温的双氧水试剂的温度为60℃至90℃；将所述晶片置于去离子水中进行第二次溢流；将所述晶片置于预热后恒温的无水乙醇中进行脱水，所述预热后恒温的无水乙醇的温度为60℃至90℃。2.根据权利要求1所述的一种石英晶片的清洗方法，其特征在于，还包括以下步骤：将脱水后的所述晶片进行干燥。3.根据权利要求1所述的一种石英晶片的清洗方法，其特征在于：所述第一次超声清洗时长为第一时长，所述第二次超声清洗时长为第二时长，所述第一次溢流时长为第三时长，所述浸泡腐蚀时长为第四时长，所述第二次溢流时长为第五时长，所述脱水时长为第六时长；所述第一时长、第三时长、第五时长、第六时长至少一个为1至3分钟；所述第二时长、第四时长至少一个为5至10分钟。4.根据权利要求2所述的一种石英晶片的清洗方法，其特征在于：所述干燥持续时长为第七时长，所述第七时长为5至10分钟。5.根据权利要求1所述的一种石英晶片的清洗方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王莉，王巍丹，潘立虎，郑文强，牛磊，崔巍，段友峰，刘小光，
申请(专利权)人：北京无线电计量测试研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11