陶瓷电子部件以及陶瓷电子部件的制造方法技术

本发明专利技术的陶瓷电子部件是具备层叠的多个陶瓷层和设置在上述陶瓷层间的内部导体层的陶瓷电子部件，其特征在于，在与上述内部导体层相邻的陶瓷层设置有许多的空洞。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】陶瓷电子部件以及陶瓷电子部件的制造方法
本专利技术涉及陶瓷电子部件以及陶瓷电子部件的制造方法。
技术介绍
多层陶瓷基板等陶瓷电子部件通常通过如下方式得到，即，在成为陶瓷层的生片上对导体膏进行丝网印刷等而形成具有导体图案的内部导体层，接下来，将形成了内部导体层的多个生片层叠而形成未加工的层叠体，对该未加工的层叠体进行烧成。近年来，要求介电常数低的陶瓷电子部件，已知通过在陶瓷层内形成空洞而使介电常数下降的方法。例如，在专利文献1公开了如下方法，即，通过使生片含有中空二氧化硅，从而在烧成后的陶瓷层内形成空洞。此外，在专利文献2公开了如下方法，即，通过使生片含有丙烯酸树脂等的树脂粉末，从而将树脂粉末的部分烧掉而在陶瓷层内形成空洞。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开平5-67854号公报专利文献2：日本特开平5-148009号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是，在专利文献1记载的方法中，中空形状有可能会由于将多个生片层叠并进行压接时的压制应力而崩塌，从而无法形成空洞。特别是，在与像陶瓷层间的内部导体层那样强度高的层相邻的陶瓷层中，存在中空形状容易崩塌的倾向。此外，在专利文献2记载的方法中，在陶瓷层包含玻璃成分的情况下，由于内部导体层的成分扩散到与内部导体层相邻的陶瓷层，从而陶瓷层的软化点容易下降。其结果是，软化了的玻璃成分有可能侵入到空洞而填补空洞。进而，在专利文献2记载的方法中，还存在如下可能性，即，产生树脂珠局部性地凝聚的部位，在该部位因大量喷出脱脂气体而形成巨大的空隙，使绝缘可靠性下降。像这样，在陶瓷层内形成空洞的以往的方法中，难以使与内部导体层相邻的陶瓷层的介电常数下降。本专利技术是为了解决上述的问题而完成的，其目的在于，提供一种与内部导体层相邻的陶瓷层的介电常数低的陶瓷电子部件。本专利技术的目的还在于，提供一种该陶瓷电子部件的制造方法。用于解决课题的技术方案本专利技术的陶瓷电子部件是具备层叠的多个陶瓷层和设置在上述陶瓷层间的内部导体层的陶瓷电子部件，其特征在于，在与上述内部导体层相邻的陶瓷层设置有许多的空洞。在本专利技术的陶瓷电子部件中，因为在以往难以形成空洞的与内部导体层相邻的陶瓷层设置有多层的空洞，所以能够使介电常数下降。在本专利技术的陶瓷电子部件中，上述空洞优选设置在由无机物构成的壳层的内部。构成上述壳层的无机物优选至少包含SiO2。如后所述，在本专利技术的陶瓷电子部件中，通过使用由树脂珠构成的核部的周围被由无机物构成的壳层覆盖的空洞形成剂，并在烧成时使树脂珠烧掉，从而能够在壳层的内部形成空洞。可认为，例如在用上述的方法对包含玻璃成分的陶瓷层形成空洞的情况下，构成壳层的无机物在与陶瓷层的界面形成反应层，由于该反应层，软化了的玻璃成分不易侵入到空洞，因此能够在陶瓷层内维持空洞。进而，若空洞的周围被壳层覆盖，则不易形成多个空洞连结的巨大的空隙，因此各个空洞能够独立地存在。在本专利技术的陶瓷电子部件中，上述壳层的厚度优选为0.5μm以下。即使在壳层的厚度薄至0.5μm以下的情况下，也能够在陶瓷层内维持空洞。在使用由树脂珠构成的核部的周围被由无机物构成的壳层覆盖的空洞形成剂来形成空洞的情况下，存在树脂作为残渣而残留在空洞的内部的情况。因此，在本专利技术的陶瓷电子部件中，在上述空洞的内部也可以存在树脂残渣。在本专利技术的陶瓷电子部件中，从使介电常数下降的观点出发，与上述内部导体层相邻的陶瓷层的空洞率优选为10％以上且45％以下。上述空洞率更优选为30％以上。在本专利技术的陶瓷电子部件中，优选地，上述陶瓷层包含玻璃成分，上述玻璃成分实质上不含有硼。在陶瓷层包含的玻璃成分实质上不含有硼的情况下，玻璃成分的软化点不易变低，因此玻璃成分不易侵入到空洞，能够在陶瓷层内维持空洞。在本专利技术的陶瓷电子部件中，优选地，上述陶瓷层包含玻璃成分，上述玻璃成分的软化点为800℃以上且950℃以下。在陶瓷层包含的玻璃成分的软化点处于上述范围的情况下，玻璃成分不易侵入到空洞，因此能够在陶瓷层内维持空洞。本专利技术的陶瓷电子部件的制造方法具备：制作成为陶瓷层的生片的工序；在上述生片上形成具有导体图案的内部导体层的工序；通过对包含形成了上述内部导体层的生片的多个生片进行层叠以及压接，从而得到未加工的层叠体的工序；以及对上述未加工的层叠体进行烧成的工序，上述陶瓷电子部件的制造方法的特征在于，在制作上述生片的工序中，利用通过将陶瓷粉末、空洞形成剂、粘合剂、增塑剂以及溶剂混合而得到的陶瓷浆料来成型上述生片，上述空洞形成剂具有由核部和壳层构成的核壳构造，上述核部由不溶解于上述溶剂的树脂珠构成，上述壳层由覆盖上述核部的周围的无机物构成。在本专利技术的陶瓷电子部件的制造方法中，使用具有由核部和壳层构成的核壳构造的空洞形成剂来形成空洞，核部由不溶解于溶剂的树脂珠构成，壳层由覆盖上述核部的周围的无机物构成。因此，例如在包含玻璃成分的陶瓷层形成空洞的情况下，与专利文献1以及2记载的方法不同，在与内部导体层相邻的陶瓷层中，能够抑制软化了的玻璃成分侵入到空洞。其结果是，能够制造介电常数低的陶瓷电子部件。进而，因为空洞的周围被壳层覆盖，所以不易形成多个空洞连结的巨大的空隙。其结果是，能够制造绝缘可靠性高的陶瓷电子部件。在本专利技术的陶瓷电子部件的制造方法中，构成上述壳层的无机物优选为从由SiO2、Al2O3、ZrO2、TiO2以及MgO构成的组选择的至少一种。在本专利技术的陶瓷电子部件的制造方法中，上述壳层的厚度优选为0.5μm以下。即使在壳层的厚度薄至0.5μm以下的情况下，也能够在陶瓷层内维持空洞。在本专利技术的陶瓷电子部件的制造方法中，构成上述核部的树脂珠优选包含从由丙烯酸树脂以及二乙烯基苯树脂构成的组选择的至少一种。这些树脂耐热温度高，此外，在烧成时大部分都会在达到500℃的温度烧掉，因此优选。在本专利技术的陶瓷电子部件的制造方法中，优选地，上述陶瓷粉末包含玻璃成分，上述玻璃成分实质上不含有硼。在陶瓷粉末包含的玻璃成分实质上不含有硼的情况下，玻璃成分的软化点不易变低，因此玻璃成分不易侵入到空洞，能够在陶瓷层内维持空洞。在本专利技术的陶瓷电子部件的制造方法中，优选地，上述陶瓷粉末包含玻璃成分，上述玻璃成分的软化点为800℃以上且950℃以下。在陶瓷粉末包含的玻璃成分的软化点处于上述范围的情况下，玻璃成分不易侵入到空洞，因此能够在陶瓷层内维持空洞。专利技术效果根据本专利技术，能够提供一种与内部导体层相邻的陶瓷层的介电常数低的陶瓷电子部件。附图说明图1的(a)是示意性地示出本专利技术的陶瓷电子部件的一个实施方式涉及的多层陶瓷基板的一个例子的剖视图。图1的(b)是示意性地示出构成图1的(a)所示的多层陶瓷基板的陶瓷层的放大剖视图。图2是示意性地示出空洞形成剂的一个例子的剖视图。图3是示意性地示出评价用的多层陶瓷基板的剖视图。图4的(a)、图4的(b)以及图4的(c)是实施例4的多层陶瓷基板的剖面SEM照片。图5的(a)、图5的(b)以及图5的(c)是实施例6的多层陶瓷基板的剖面SEM照片。具体实施方式以下，对本专利技术的陶瓷电子部件以及陶瓷电子部件的制造方法进行说明。然而，本专利技术并不限定于以下的结构，能够在不变更本专利技术的要旨的范围内适当地变更而进行应用。另外，将以下记载的本专利技术的各个优选的结构组合了两个以上的结构也是本专利技术。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种陶瓷电子部件，具备：层叠的多个陶瓷层；以及内部导体层，设置在所述陶瓷层间，其特征在于，在与所述内部导体层相邻的陶瓷层设置有许多的空洞。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.02 JP 2016-2151931.一种陶瓷电子部件，具备：层叠的多个陶瓷层；以及内部导体层，设置在所述陶瓷层间，其特征在于，在与所述内部导体层相邻的陶瓷层设置有许多的空洞。2.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其特征在于，所述空洞设置在由无机物构成的壳层的内部。3.根据权利要求2所述的陶瓷电子部件，其特征在于，构成所述壳层的无机物至少包含SiO2。4.根据权利要求2或3所述的陶瓷电子部件，其特征在于，所述壳层的厚度为0.5μm以下。5.根据权利要求1～4中的任一项所述的陶瓷电子部件，其特征在于，在所述空洞的内部存在树脂残渣。6.根据权利要求1～5中的任一项所述的陶瓷电子部件，其特征在于，与所述内部导体层相邻的陶瓷层的空洞率为10％以上且45％以下。7.根据权利要求6所述的陶瓷电子部件，其特征在于，所述空洞率为30％以上。8.根据权利要求1～7中的任一项所述的陶瓷电子部件，其特征在于，所述陶瓷层包含玻璃成分，所述玻璃成分实质上不含有硼。9.根据权利要求1～8中的任一项所述的陶瓷电子部件，其特征在于，所述陶瓷层包含玻璃成分，所述玻璃成分的软化点为800℃以上且950℃以下。10.一种陶瓷电子部件的制造方法，具备：制作成为陶瓷层的生片的工序；在所述生片上形成具有导体图案...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤田诚司，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP