制造互连太阳能电池的方法及这种互连太阳能电池技术

本发明专利技术涉及制造互连太阳能电池的方法。该方法包括以下步骤：a)在基底上设置连续的层堆叠部(100)。层堆叠部具有顶部电极层(130)、与基底相邻的底部电极层(140)、光伏有源层(150)和与底部电极层相邻的阻挡层(160)，阻挡层介于顶部电极层与底部电极层之间。b)使用具有第一波长的第一激光束(270)，选择性地去除顶部电极层和光伏层，以获得曝光阻挡层的第一沟槽(210)；c)使用具有第二波长的第二激光束(272)，选择性地去除第一沟槽内阻挡层和底部电极层，以获得暴露基底的第二沟槽(312)，d)用电绝缘构件(480)填充第一沟槽和第二沟槽。第一激光束的第一波长比与光伏层的带隙能量相对应的波长大。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造互连太阳能电池的方法及这种互连太阳能电池
本专利技术涉及一种用于制造互连太阳能电池的方法。另外，本专利技术涉及互连太阳能电池。
技术介绍
从US20080314439已知一种制造薄膜太阳能电池板的方法。从形成在绝缘基底上的薄膜层堆叠部来形成单片集成薄膜光伏电池阵列的过程包括：在薄膜层堆叠部中形成至少一个单元隔离划刻部。对于与相应的单元隔离划刻部相邻的每个单元隔离划刻部，形成第二电接触层隔离划刻部。在每个单元隔离划刻部与其相应的第二电接触层隔离划刻部之间，在薄膜层堆叠部中形成通道划刻部。绝缘墨设置在每个单元隔离划刻部中，并且导电墨设置在每个通道划刻部中，以形成通道。导电墨还沿着薄膜层堆叠部的顶表面设置，以形成至少一个导电栅格。常规单片互连CIGS模块的主要技术问题在于，由于CIGS材料的横向导电性，在P1划刻部中存在分流。使用激光技术的后端互连CIGS模块中的问题在于，在P3划刻部中产生分流器，这主要是由激光划刻时材料的熔化行为引起的。P1和P3中的这些分流限制了太阳能电池模块可实现的效率。可替代地，可使用“常规”P1、P2、P3后端互连，但是需要更昂贵的皮秒激光器来生成P1划刻部、P2划刻部和P3划刻部。因此，本专利技术的目的是提供一种用于提高互连太阳能电池效率的制造方法，并提供这种更有效的互连太阳能电池。
技术实现思路
根据第一方面，本专利技术提供了根据权利要求1的方法。有利地，通过应用本专利技术，可获得具有减小的死区宽度的无分流互连。在实施方式中，该方法还包括e)使用具有第三波长的第三激光束，选择性地去除第一沟槽内第二太阳能电池的阻挡层的部分和电绝缘材料，以获得第三沟槽，从而暴露底部电极层的部分；f)沉积电互连构件，该电互连构件覆盖第三沟槽的至少部分，并使第一太阳能电池的顶部电极层与第一沟槽内的第二太阳能电池的底部电极层的暴露部分相连接。在实施方案中，第一波长在1μm和3μm之间的范围内。有利地，使用这种激光器的方法使得能够具有在单元中产生(光学)结构的可能性，该结构可用于制造半透明模块。另外，可使用2μm波长和0.532μm(532nm)波长激光的组合来生成用于包裹式接触设计的无旁路通道。532nm波长激光的光斑尺寸应比2μm波长激光的光斑尺寸小，以避免532nm光在P3划刻部边界上的任何吸收。例如，第二激光束的20μm绿点应与P3划刻部壁具有大约10μm的间隙。较近的距离会在相邻CIGS层中产生相位变化。在另一实施方式中，第一激光束具有0.25ns至100ns范围内的脉冲周期。有利地，使用这种纳秒脉冲激光束的方法使得能够具有在单元中产生可用于制造半透明模块的(光学)结构的可能性。另外，可使用2μm波长和0.532μm波长纳秒脉冲激光的组合来生成用于包裹式方法的无分流通道。532nm波长激光的光斑尺寸应比2μm波长激光的光斑尺寸小，以避免532nm光在P3划刻部边界上的任何吸收。根据另一方面，本专利技术提供互连太阳能电池，互连太阳能电池包括在基底上的连续的层堆叠部，该层堆叠部包括顶部电极层、与基底相邻的底部电极层，具有光伏有源层和与底部电极层相邻的阻挡层，阻挡层介于顶部电极层和底部电极层之间；层叠层中的第一沟槽，完全延伸穿过顶部电极层、光伏层，从而暴露出阻挡层；第一沟槽内的第二沟槽，穿过底部电极层，从而暴露基底，其中，第二沟槽和第一沟槽配置为提供连续的层堆叠部的分离，以形成第一太阳能电池和第二太阳能电池，并且具有第一沟槽内的第二太阳能电池的阻挡层的部分和第一沟槽内的第二太阳能电池的底部电极层的部分；填充第一沟槽和第二沟槽的电绝缘材料。在实施方式中，互连太阳能电池还包括第三沟槽，第三沟槽穿过电绝缘材料和第一沟槽内第二太阳能电池的阻挡层的部分，从而暴露第一个沟槽内第二太阳能电池的底部电极层的部分；电互连构件，覆盖第三沟槽的至少部分，并且使第一太阳能电池的顶部电极层与第一沟槽内第二太阳能电池的底部电极层的部分相连接。在所附权利要求中公开了其他实施方式。附图说明下文将仅通过举例的方式，参考附图来描述本专利技术的实施方式，附图本质上为示意性的，因而不一定按比例绘制。另外，附图中的相同附图标记指示相同元件。图1示意性地示出了根据本专利技术的连续的层堆叠部的实施方式；图2示意性地示出了根据本专利技术的第一划线的实施方式；图3示意性地示出了根据本专利技术的第二划刻部的实施方式；图4示意性地示出了根据本专利技术的隔离构件的实施方式；图5示意性地示出了根据本专利技术的第三划刻部的实施方式；以及图6示意性地示出了根据本专利技术的互连构件的实施方式。具体实施方式图1示意性地示出了根据本专利技术的连续的层堆叠部100的实施方式。从连续的层堆叠部100开始制造互连太阳能电池的阵列，理想的是，通过可扩展的连续卷对卷工艺来制造，该工艺允许快速、大面积和低成本的大规模生产，例如高达例如每年1千兆瓦或更多。连续的层堆叠部100放置在基底120上。层堆叠部100包括顶部电极层130、与基底相邻的底部电极层140。层堆叠部100具有光伏有源层150以及与底部电极层140相邻的阻挡层160，阻挡层160插入在顶部电极层130和底部电极层140之间。基底120可以是刚性基底(例如玻璃)或柔性基底。基底120可透明或不透明。顶部电极层130可包括ZnO2Al层和ZnO2层的堆叠部。可在光伏有源层150与顶部电极层130之间使用CdS(硫化镉)的接合层，ZnO2层与CdS层相邻，以及ZnO2Al层与ZnO2层相邻。基底120最初可作为薄的、柔韧的且可能透明的箔设置在辊子上。然后，可对基底120施行高速制造工艺，以将连续的层堆叠部100沉积到基底120上。该制造过程可在大气条件下进行，并不需要真空。光伏有源层150包括CIGS(铜铟镓(二)硒化物，copperindiumgallium(di)selenide)层。可替代地，光伏有源层150包含钙钛矿。可替代地，光伏有源层150包括CIGS层和钙钛矿的组合。底部电极层140包括钼层。阻挡层160包括MoSe2层。MoSe2层在底部电极层140与光伏有源层150之间形成交界层。图2示意性地示出了根据本专利技术的第一划刻部P3的实施方式。通过选择性地去除顶部电极层130和光伏层150来获得第一沟槽210，从而暴露阻挡层160。这通过使用来自第一激光器的具有第一波长的第一激光束270来完成。根据本专利技术，第一波长在1μm和3μm之间的范围内。可使用约2μm的波长。第一波长设定为比光伏层150的带隙能量波长更长。即，如果光伏层150的带隙是Eb＝hc/λ，其中，h是普朗克常数，以及λ是可视为带隙能量波长的相应波长，第一激光束270的波长应比带隙能量波长λ更长。第一激光束270具有在0.25ns至100ns范围内的脉冲周期。通过使用可为纳秒脉冲激光束的第一激光束270，可容易地保留层堆叠部100的应保持的区域。另外，使用2μm纳秒激光束的方法，使得可在可用于制造半透明模块的单元中创建(光学)结构。另外，可使用2μm波长和0.532μm(532nm)波长的纳秒脉冲激光的组合来生成用于包裹穿过方法的无分流通道。532nm波长激光的光斑尺寸应小于2μm波长激光的光斑尺寸，以避免532nm光在P3划刻部边界上的任何吸收。例如，第二激光束的20μm绿点应与P3划本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造互连太阳能电池的方法，包括以下步骤：a)在基底(120)上设置连续的层堆叠部(100)，所述层堆叠部包括顶部电极层(130)、与所述基底相邻的底部电极层(140)，具有光伏有源层(150)和介于所述顶部电极层与所述底部电极层之间的、与所述底部电极层相邻的阻挡层(160)；b)使用具有第一波长的第一激光束(270)，选择性地去除所述顶部电极层和所述光伏层，以获得曝光所述阻挡层的第一沟槽(210)；c)使用具有第二波长的第二激光束(272)，选择性地去除所述第一沟槽内的所述阻挡层和所述底部电极层，以获得暴露所述基底的第二沟槽(312)，其中，所述第二沟槽和所述第一沟槽提供所述连续的层堆叠部的分离，从而形成第一太阳能电池(302)和第二太阳能电池(304)，以及所述第二沟槽在第一沟槽内，从而留下所述第一沟槽内的所述第二太阳能电池的阻挡层(160b)的部分(314)以及所述第一沟槽内的所述第二太阳能电池的底部电极层(140b)的部分(315)；d)用电绝缘构件(480)填充所述第一沟槽和所述第二沟槽；所述第一波长比与所述光伏层的带隙能量相对应的波长大。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.29 NL 20167081.一种制造互连太阳能电池的方法，包括以下步骤：a)在基底(120)上设置连续的层堆叠部(100)，所述层堆叠部包括顶部电极层(130)、与所述基底相邻的底部电极层(140)，具有光伏有源层(150)和介于所述顶部电极层与所述底部电极层之间的、与所述底部电极层相邻的阻挡层(160)；b)使用具有第一波长的第一激光束(270)，选择性地去除所述顶部电极层和所述光伏层，以获得曝光所述阻挡层的第一沟槽(210)；c)使用具有第二波长的第二激光束(272)，选择性地去除所述第一沟槽内的所述阻挡层和所述底部电极层，以获得暴露所述基底的第二沟槽(312)，其中，所述第二沟槽和所述第一沟槽提供所述连续的层堆叠部的分离，从而形成第一太阳能电池(302)和第二太阳能电池(304)，以及所述第二沟槽在第一沟槽内，从而留下所述第一沟槽内的所述第二太阳能电池的阻挡层(160b)的部分(314)以及所述第一沟槽内的所述第二太阳能电池的底部电极层(140b)的部分(315)；d)用电绝缘构件(480)填充所述第一沟槽和所述第二沟槽；所述第一波长比与所述光伏层的带隙能量相对应的波长大。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：e)使用具有第三波长的第三激光束(574)，选择性地去除所述第一沟槽(210)内的所述第二太阳能电池(304)的阻挡层(160b)的部分(314)和所述电绝缘构件(480)，以获得第三沟槽(514)，所述第三沟槽(514)暴露所述第一沟槽(210)内的所述第二太阳能电池的底部电极层的部分(315)；f)沉积电互连构件(690)，所述电互连构件(690)覆盖所述第三沟槽(514)的至少部分，并使所述第一太阳能电池(302)的顶部电极层(630a)与所述第一沟槽内的所述第二太阳能电池的底部电极层的部分(315)相连接。3.根据权利要求1至2中的任一项所述的方法，其中，所述第一波长在1μm与3μm之间的范围内。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中，所述第一激光束的脉冲周期在0.25ns与100ns之间的范围内。5.根据权利要求1-4中的任一项所述的方法，其中，所述第二波长在0.3μm与1.5μm之间的范围内。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的方法，其中，所述第二激光束的脉冲周期在0.25ns与100ns之间的范围内。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的方法，其中，所述第三波长在0.3μm与1.5μm之间的范围内。8.根据权利要求1至7中的任一项所述的方法，其中，所述第三激光束的脉冲周期在0.25ns与100ns之间的范围内。9.根据权利要求2至8中的任一项的方法，其中，所述第二波长与所述第三波长相同。10.根据权利要求2至9中的任一项所述的方法，其中，所述第二激光束(272)与所述第三激光束(574)相同。...

【专利技术属性】
技术研发人员：约翰·博斯曼，安妮·费伦茨·卡雷尔·维克托·比泽曼，薇洛妮克·斯蒂芬妮·盖瓦尔特，尼古拉·德伯纳迪，
申请(专利权)人：荷兰能源研究中心基金会，荷兰应用自然科学研究组织TNO，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL