液晶介质制造技术

本发明专利技术涉及液晶介质，包含一种或多种式Q的化合物

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】液晶介质本专利技术涉及液晶介质，特别是用于高频技术,尤其用于高频器件的组件(特别是天线)，尤其是用于在微波或毫米波区域操作的千兆兹赫范围和太赫兹范围。这些组件使用特定的液晶单一化合物或由其组成的液晶介质，例如用于可调谐相控阵天线或用于基于“反射阵列”的微波天线的可调谐盒的微波的移相。液晶介质早已使用在电光显示器(液晶显示器-LCD)以显示信息。下式的化合物例如，在WO2010/058681A1被提议用于液晶介质。在WO2013/017197A1中具有末端氰基的以下结构的类似化合物：其中L表示H或F，被提议作为呈现蓝相的液晶混合物中的组分。最近液晶介质还被提议用于微波技术的组件，例如在DE102004029429A和JP2005-120208(A)中所述。在WO2015/024635A1中，下式的二苯乙炔衍生物其中R01，R02和R03表示烷基，公开作为用于微波应用的液晶混合物中的组分。在中心亚苯基环上具有额外烷基取代基的结构相关的苯乙炔基二苯乙炔衍生物，也称为双二苯乙炔，是本领域技术人员已知的。例如，Wu,S.-T.,Hsu,C.-S.andShyu,K.-F.,Appl.Phys.Lett.,74(3),(1999),第344-346页公开了下式的各种含有侧甲基的液晶双二苯乙炔化合物：除了这种类型的含有侧甲基的液晶双二苯乙炔化合物外，Hsu,C.S.,Shyu,K.F.,Chuang,Y.Y.andWu,S.-T.,Liq.Cryst.,27(2),(2000),第283-287页也公开了含有侧乙基的相应化合物并且尤其提议了其在液晶光学相控阵列中的用途。Dabrowski,R.,Kula,P.,Gauza,S.,Dziadiszek,J.,Urban,S.andWu,S.-T.,IDRC08,(2008),第35-38页，除了下式的强介电正性异硫氰酸酯双二苯乙炔化合物外还提到了在中心环上有和没有侧甲基的介电中性双二苯乙炔化合物液晶介质在高频技术中的工业上有价值的应用基于它们的特性，即它们的介电特性可以通过可变电压控制，特别是对于千兆赫兹范围和太赫兹范围。这使得能够构造不包含移动部件的可调谐天线(Gaebler,A.,Moessinger,A.,Goelden,F.等人,"LiquidCrystal-ReconfigurableAntennaConceptsforSpaceApplicationsatMicrowaveandMillimeterWaves",InternationalJournalofAntennasandPropagation,Volume2009,ArticleID876989,(2009),第1-7页,DOI:10.1155/2009/876989)。Penirschke,A.,Müller,S.,Scheele,P.,Weil,C.,Wittek,M.,Hock,C.andJakoby,R.:"CavityPerturbationMethodforCharacterisationofLiquidCrystalsupto35GHz",34thEuropeanMicrowaveConference–Amsterdam,第545-548页，尤其描述了已知的单一液晶物质K15(也称为4-n-戊基-4'-氰基联苯或PP-5-N，MerckKGaA，Germany)在9GHz频率下的性质。DE102004029429A描述了液晶介质在波动技术，尤其是移相器中的应用。DE102004029429A已经在相应的频率范围内研究了液晶介质的性质。用于高频技术，需要液晶介质具有特别的，迄今为止相当不寻常，非传统的性质，或这些性质的组合。A.Gaebler,F.Goelden,S.Müller,A.PenirschkeandR.Jakoby"DirectSimulationofMaterialPermittivitesusinganEigen-SusceptibilityFormulationoftheVectorVariationalApproach”,12MTC2009–InternationalInstrumentationandMeasurementTechnologyConference,Singapore,2009(IEEE),第463-467页描述了已知的液晶混合物E7(同样是MerckKGaA，Germany)的相应性质。DE102004029429A描述了液晶介质在波动技术，尤其是移相器中的应用。DE102004029429A已经在相应的频率范围内研究了液晶介质的性质。此外，它还提到了包含下式化合物的液晶介质除了下式的化合物和还包含例如下式的化合物的液晶介质，用作建议用于微波应用的组件的研究化合物的主体混合物，并描述于F.“LiquidCrystalBasedMicrowaveComponentswithFastResponseTimes:Materials,Technology,PowerHandlingCapability”,Dissertation,TechnischeDarmstadt,2009,(D17),A.Lapanik,–Singlecompoundsandmixturesformicrowaveapplications,Dielectric,microwavestudiesonselectedsystems“,Dissertation,TechnischeDarmstadt,2009,(D17),NematicLCmixtureswithhighbirefringenceinmicrowaveregion”,A.Lapanik,F.S.Müller,A.Penirschke,R.JakobyundW.Haase,Frequenz2011,65,15-19,Highlybirefringentnematicmixturesatroomtemperatureformicrowaveapplications”,A.Lapanik,F.S.Müller,R.JakobyundW.Haase,JournalofOpticalEngineering,publishedonline,以及在特开文件DE102010045370.6DE102010051508.0,和WO2013/034227A1中。然而，迄今已知的组合物苦恼于严重的缺陷。除了其他不足之外，它们中大部分还都会导致不利的高损耗和/或相移不足或材料质量(η)不足。因此，对具有对于相应实际应用的适当性质的液晶介质存在相当大的需求。具有改进性能的新型液晶介质是必需的。特别是，必须减小微波区域和/或毫米波区域的损耗和改善材料质量。此外，改进液晶介质的低温行为并且因此也改进组件的低温行为的需求。在这里操作性能和保质期的改善都是必须的。令人惊讶的是，现在已经发现，可以实现不具有现有技术材料的缺点或者至少在相当大的程度上降低所述缺点的用于高频技术的组件，并且允许实现具有可接受的高清亮点、低粘度、高极性和快速响应时间、高可调谐性和高材料质量的介质。如果使用液晶介质，则其包含一种或多种式Q化合物和一种或多种式T，U或者I的化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.液晶介质，其特征在于包含一种或多种式Q的化合物

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.25 EP 16185693.51.液晶介质，其特征在于包含一种或多种式Q的化合物和一种或多种选自式T，U和I化合物的化合物其中，R1表示具有1至15个C原子的直链或支链的烷基，其是未取代的，被F，Cl或CN优选被F单-或多-取代，并且其中一个或多个CH2基团任选地在每种情况下彼此独立地被-O-，-S-，-CR01R02-，-SiR01R02-，-CO-，-COO-，-OCO-，-OCO-O-，-S-CO-，-CO-S-，-CY01＝CY02-或-C≡C-以使O和/或S原子彼此不直接连接的方式替代；Y01和Y02彼此独立地是F，Cl或CN，并且它们中的一个供选择地可以是H，R01和R02彼此独立地为H或具有1至12个C原子的烷基，L1，L2和L3每个彼此独立地表示H或F；R03和R04彼此独立地具有上述对于R1给出的含义，彼此独立地表示其中Y表示S或O，并且其中在1,4-亚苯基中，一个或多个C-H基团可以被N替代，和，L0在每次出现时彼此独立地表示H,Br,Cl,F,-CN,-NCS,-SCN,SF5,C1-C10烷基,C1-C10烷氧基,C3-C6环烷基或单-或多氟代的C1-C10烷基或烷氧基，R05和R06每个彼此独立地表示具有1至6个C原子的卤代或未取代的烷基，其中这些基团中的一个或多个CH2基团可以各自彼此独立地被-C≡C-,-CH＝CH-,-CF＝CF-,-CF＝CH-,-CH＝CF-,-(CO)O-,-O(CO),-(CO)-,-O-或-S-以O或S原子不彼此直接连接的方式替代；L61表示R61，并且在Z61和/或Z62表示反式-CH＝CH-或反式-CF＝CF-的情况下，供选择地也表示X61，L62表示R62，并且在Z61和/或Z62表示反式-CH＝CH-或反式-CF＝CF-的情况下，供选择地也表示X62，R61和R62彼此独立地表示H，具有1至17个C原子的未氟代烷基或未氟代烷氧基，或者具有2至15个C原子的未氟代烯基、未氟代烯氧基或未氟代烷氧基烷基，X61和X62彼此独立地表示F或Cl，-CN，-NCS，-SF5，具有1至7个C原子的氟代烷基或烷氧基，或者具有2至7个C原子的氟代烯基、烯氧基或烷氧基烷基，Z61和Z62之一表示反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-或-C≡C-，并且另一个表示反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-或单键，并且至彼此独立地表示R11和R12彼此独立地表示各自具有1至15个C原子的未氟代的烷基或未氟代的烷氧基，各自具有2至15个C原子的未氟代的烯基、未氟代的烯氧基或未氟代的烷氧基烷基，或者各自具有至多15个C原子的环烷基、烷基环烷基、环烯基、烷基环烯基、烷基环烷基烷基或烷基环烯基烷基；表示L11表示H，具有1至6个C原子的烷基，具有3至6个C原子的环烷基或具有4至6个C原子的环烯基，X11表示H，具有1至3个C原子的烷基或卤素，R1...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·威泰克，R·西格，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE