【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电容积描记传感器构造
本专利技术涉及被构造成光学测量用户的心脏活动的光电容积描记传感器。
技术介绍
构造成测量光电容积描记图的传统传感器构造包括:两个发射器头部,构造成辐射具有光学波长的能量;以及光电二极管或类似的光学传感器,设置在发射器头部之间。由发射器发射的辐射从人体组织反射,例如在用户的手臂或耳朵中,并且所反射的辐射的一些特征是用户的心脏活动的函数。在动脉中行进的血液脉冲波(脉搏波)调制反射的辐射,这使得能够通过分析由光学传感器捕获的信号来测量心脏活动。
技术实现思路
本专利技术由独立权利要求的主题限定。实施方式在从属权利要求中限定。附图说明在下文中,将参考实施方式和随附附图更详细地描述本专利技术,在附图中图1示出了可以应用本专利技术的实施方式的一般测量场景;图2示出了可以应用本专利技术的实施方式的设备;图3至图6示出了根据本专利技术的一些实施方式的用于光电容积描记(PPG)传感器的传感器头部布置;图7至图9示出了根据本专利技术的一些实施方式的用于多个PPG测量构造的时间复用操作的解决方案;图10示出了以不同方式执行复用的实施方式;图11示出了根据本专利技术的一种实施方式的设备的框图;图12示出了用于基于运动简档(profile)选择测量构造的实施方式;图13示出了根据本专利技术的实施方式的用于同时(并存)使用多个测量构造的过程的流程图;图14示出了运动干扰对PPG测量的影响;图15示出了根据本专利技术的实施方式的用于检测运动干扰的过程的流程图;图16示出了根据本专利技术的实施方式的用于组合测量通道的过程的流程图;以及图17示出了采用图8的测量构造的另 ...
【技术保护点】
1.一种光电容积描记传感器设备,包括:限定表面的壳体;多个光学发射器,被构造为发射从所述表面延伸的辐射;至少一个光电传感器,被构造为捕获由所述多个光学发射器的至少一个子组发射的辐射,其中,至少第一测量构造和第二构造由所述多个光学发射器和所述至少一个光电传感器限定,使得所述第一测量构造和所述第二测量构造通过包括至少一个光电传感器和至少一个光学发射器的至少部分不同组来提供不同的测量通道,并且所述第一测量构造和第二测量构造限定不同的空间构造,所述不同的空间构造中的每个相对于沿所述表面的假想线是线对称的。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.07.01 GB 1611542.01.一种光电容积描记传感器设备,包括:限定表面的壳体;多个光学发射器,被构造为发射从所述表面延伸的辐射;至少一个光电传感器,被构造为捕获由所述多个光学发射器的至少一个子组发射的辐射,其中,至少第一测量构造和第二构造由所述多个光学发射器和所述至少一个光电传感器限定,使得所述第一测量构造和所述第二测量构造通过包括至少一个光电传感器和至少一个光学发射器的至少部分不同组来提供不同的测量通道,并且所述第一测量构造和第二测量构造限定不同的空间构造,所述不同的空间构造中的每个相对于沿所述表面的假想线是线对称的。2.根据权利要求1所述的光电容积描记传感器设备,其中,所述第一测量构造和所述第二测量构造相对于相同的假想线是线对称的。3.根据权利要求1所述的光电容积描记传感器设备,其中,所述第一测量构造和所述第二测量构造相对于不同的假想线是线对称的。4.根据任一前述权利要求所述的光电容积描记传感器设备,其中,所述第一测量构造和第二测量构造在空间上相隔开使得它们提供相互正交的测量通道。5.根据任一前述权利要求所述的光电容积描记传感器设备,其中,所述第一测量构造和第二测量构造被构造为执行相对于彼此复用的测量,其中所述复用提供于不同的测量通道。6.根据权利要求5所述的光电容积描记传感器设备,其中,所述第一测量构造的至少一个光学发射器被构造为发射具有与由所述第二测量构造的至少一个光学发射器发射的辐射的波长不同的波长的辐射。7.根据权利要求5所述的光电容积描记传感器设备,其中,所述第一测量构造的至少一个光学发射器的发射与所述第二测量构造的至少一个光学发射器的发射是时间复用的。8.根据任一前述权利要求所述的光电容积描记传感器设备,其中,所述第一测量构造由第一光电传感器和围绕所述第一光电传感器对称设置的多个光学发射器组成,并且其中所述第二测量构造由与所述第一光电传感器不同的第二光电传感器和围绕所述第二光电传感器对称设置的多个光学发射器组成。9.根据前述权利要求1-7中任一项所述的光电容积描记传感器设备,其中,所述第一测量构造由第一光电传感器和围绕所述第一光电传感器对称设置的第一组光学发射器组成,并且其中所述第二测量构造由所述第一光电传感器和围绕所述第二光电传感器对称设置的第二组光学发射器组成,其中所述第一组光学发射器和所述第二组光学发射器限定不同组的光学发射器。10.根据任一前述权利要求所述的光电容积描记传感器设备,包括多个光电传感器,其中所述多个光电传感器沿所述表面上的假想环形物以与所述多个光学发射器交替的方式布置。11.根据权利要求10所述的光电容积描记传感器设备,其中,所述第一测量构造由第一光学发射器和沿所述环形物相对于所述第一光学发射器相邻的光电传感器组成,并且其中所述第二测量构造由不同于所述第一光学发射器的第二光学发射器和沿所述环形物相对于所述第二光学发射器相邻的光电传感器组成。12.根据权利要求11所述的光电容积描记传感器设备,其中,所述第一测量构造的光电传感器与所述第二测量构造的光电传感器相同。13.根据权利要求11或12...
【专利技术属性】
技术研发人员:埃利亚斯·佩科宁,塞波·科尔卡拉,
申请(专利权)人:博能电子公司,
类型:发明
国别省市:芬兰,FI
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