薄膜晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种薄膜晶体管及其制作方法。该制作方法包括如下步骤：在基板上沉积栅极金属薄膜，通过第一构图工艺，得到栅极的图形；在形成栅极图形的基板上依次沉积栅极绝缘膜、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏极金属薄膜，通过第二构图工艺得到沟道区域和源极、漏极的图形；其中，在掺杂半导体薄膜上沉积源漏极金属薄膜的步骤包括：在掺杂半导体薄膜上依次沉积第一金属钼薄膜、金属铝薄膜和第二金属钼薄膜。解决了在第二次构图工艺中由于源漏极金属薄膜过刻蚀导致掺杂半导体层相对于源漏极金属层具有突出部，降低薄膜晶体管性能的问题。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制作方法
本专利技术涉及液晶显示
，特别是涉及一种薄膜晶体管及其制作方法。
技术介绍
在薄膜晶体管制备工艺中，通常采用4次光刻工艺，其中，在第二次光刻得到沟道区域、源极和漏极图形的过程中，通常要经过两次干法蚀刻和两次湿法蚀刻，由于干法蚀刻和湿法蚀刻的工艺特性不同，刻蚀时容易导致源漏极金属薄膜过刻蚀，使得半导体层和掺杂半导体层相对于源极、漏极的突出部较长，影响了薄膜晶体管的电学性能。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种能降低源漏极金属层过刻蚀的薄膜晶体管及其制作方法。为了实现本专利技术的目的，本专利技术采用如下技术方案：一种薄膜晶体管的制作方法，包括如下步骤：在基板上沉积栅极金属薄膜，通过第一构图工艺，得到栅极的图形；在形成所述栅极图形的基板上依次沉积栅极绝缘膜、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏极金属薄膜，通过第二构图工艺得到沟道区域和源极、漏极的图形；其中，在所述掺杂半导体薄膜上沉积源漏极金属薄膜的步骤包括：在所述掺杂半导体薄膜上依次沉积第一金属钼薄膜、金属铝薄膜和第二金属钼薄膜。在其中一个实施例中，所述第一金属钼薄膜的厚度为240～260埃，所述金属铝薄膜的厚度为2640～2660埃，所述第二金属钼薄膜的厚度为440～460埃。在其中一个实施例中，所述得到沟道区域和源极、漏极的图形的步骤包括：在形成所述栅极图形的基板上沉积栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上依次沉积半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏极金属薄膜；采用半色调掩模板通过所述第二构图工艺对半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏极金属薄膜进行处理，得到所述沟道区域和源极、漏极的图形。在其中一个实施例中，所述采用半色调掩模板通过所述第二构图工艺对半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏极金属薄膜进行处理，得到所述沟道区域和源极、漏极的图形的步骤包括：在所述源漏极金属薄膜上涂抹一层光刻胶；采用半色调掩模板进行曝光显影处理；通过刻蚀工艺刻蚀所述光刻胶完全去除区域的源漏极金属薄膜、掺杂半导体薄膜和半导体薄膜，露出栅极绝缘层，及刻蚀掉沟道区域的光刻胶、源漏极金属薄膜和掺杂半导体薄膜，露出半导体层；剥离剩余的光刻胶，露出该区域的源极、漏极的图形。在其中一个实施例中，所述通过刻蚀工艺刻蚀所述光刻胶完全去除区域的源漏极金属薄膜、掺杂半导体薄膜和半导体薄膜，露出栅极绝缘层，及刻蚀掉沟道区域的光刻胶、源漏极金属薄膜和掺杂半导体薄膜，露出半导体层的步骤包括：通过第一次湿刻工艺蚀掉所述光刻胶完全去除区域的源漏极金属薄膜，露出所述掺杂半导体层；通过第一次干刻工艺蚀掉所述露出的掺杂半导体层、半导体层和沟道区域的光刻胶，露出沟道区域的源漏极金属层；通过第二次湿刻工艺蚀掉所述沟道区域的源漏极金属层，并露出所述沟道区域的掺杂半导体层；通过第二次干刻工艺蚀掉所述沟道区域的掺杂半导体层，得到所述沟道区域的半导体层。在其中一个实施例中，所述在形成所述栅极图形的基板上依次沉积栅极绝缘膜、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜的方法包括化学气相沉积法。在其中一个实施例中，在所述掺杂半导体薄膜上沉积源漏极金属薄膜的方法包括物理气相沉积法。在其中一个实施例中，所述在所述掺杂半导体薄膜上沉积源漏极金属薄膜的步骤之前，所述制作方法还包括：去除所述栅极绝缘膜、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜表面的杂质。为了实现本专利技术的目的，本专利技术还采用了如下技术方案：一种薄膜晶体管的制作方法，包括如下步骤：在基板上沉积栅极金属薄膜，通过第一构图工艺，得到栅极的图形；通过化学气相沉积法在形成所述栅极图形的基板上依次沉积栅极绝缘膜、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜；通过物理气相沉积法在所述掺杂半导体薄膜上沉积源漏极金属薄膜，通过第二构图工艺得到沟道区域和源极、漏极的图形；其中，在所述掺杂半导体薄膜上沉积源漏极金属薄膜的步骤包括：在所述掺杂半导体薄膜上依次沉积第一金属钼薄膜、金属铝薄膜和第二金属钼薄膜，且所述第一金属钼薄膜的厚度为240～260埃，所述金属铝薄膜的厚度为2640～2660埃，所述第二金属钼薄膜的厚度为440～460埃。为了实现本专利技术的目的，本专利技术还采用了如下技术方案：一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管采用如上所述的薄膜晶体管的制作方法制成。上述的薄膜晶体管的制作方法，将依次沉积在掺杂半导体薄膜上的源漏极金属薄膜成分由传统的第一氮化钼薄膜、金属铝薄膜和第二氮化钼薄膜变成第一金属钼薄膜、金属铝薄膜和第二金属钼薄膜，即在沉积第一金属钼薄膜和第二金属钼薄膜时，不通入氮气，将掺杂氮气的金属钼薄膜替换成纯的金属钼薄膜，可以有效地解决在第二次构图工艺形成沟道区域、源极和漏极的过程中，由于两次干刻和蚀刻的工艺特性不同，导致源漏极金属薄膜过刻蚀，使掺杂半导体层相对于源漏极金属层具有突出部，影响薄膜晶体管性能的问题。附图说明图1为一实施例中薄膜晶体管的制作方法的流程图；图2为一实施例中步骤S11制备得到的结构示意图；图3为一实施例中步骤S12制备得到的结构示意图；图4为一实施例中步骤S13制备得到的结构示意图；图5为一实施例中源漏极金属薄膜过刻蚀的结构示意图；图6为一实施例中步骤S12的流程图；图7为一实施例中步骤S120制备得到的结构示意图；图8为一实施例中步骤S121制备得到的结构示意图；图9为一实施例中步骤S122的流程图；图10为一实施例中步骤S1220制备得到的结构示意图；图11为一实施例中步骤S1221制备得到的结构示意图；图12为一实施例中步骤S1222制备得到的结构示意图；图13为一实施例中步骤S1222的流程图；图14为一实施例中步骤S2220制备得到的结构示意图；图15为一实施例中步骤S2221制备得到的结构示意图；图16为一实施例中步骤S2222制备得到的结构示意图；图17为另一实施例中薄膜晶体管的制作方法的流程图。具体实施方式为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的首选实施例。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容更加透彻全面。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方法或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。参见图1，图1为一实施例中薄膜晶体管的制作方法的流程图。一种薄膜晶体管的制作方法，包括步骤S11、S12和S13，详述如下：在步骤S11中，在基板100上沉积栅极金属薄膜，通过第一构图工艺，得到栅极200的图形。参见图2，图2为一实施例中步骤S11制备得到的结构示意图。在本实施例中，基板100可以为柔性基板或玻璃基板，例如聚合物基板；栅极金属薄膜可以为铝、铝镍合金、钼钨合金或铜等金属，也可以使用上述几种金属的组合结构。沉积栅极金属薄膜的工本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在基板上沉积栅极金属薄膜，通过第一构图工艺，得到栅极的图形；在形成所述栅极图形的基板上依次沉积栅极绝缘膜、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏极金属薄膜，通过第二构图工艺得到沟道区域和源极、漏极的图形；其中，在所述掺杂半导体薄膜上沉积源漏极金属薄膜的步骤包括：在所述掺杂半导体薄膜上依次沉积第一金属钼薄膜、金属铝薄膜和第二金属钼薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在基板上沉积栅极金属薄膜，通过第一构图工艺，得到栅极的图形；在形成所述栅极图形的基板上依次沉积栅极绝缘膜、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏极金属薄膜，通过第二构图工艺得到沟道区域和源极、漏极的图形；其中，在所述掺杂半导体薄膜上沉积源漏极金属薄膜的步骤包括：在所述掺杂半导体薄膜上依次沉积第一金属钼薄膜、金属铝薄膜和第二金属钼薄膜。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一金属钼薄膜的厚度为240～260埃，所述金属铝薄膜的厚度为2640～2660埃，所述第二金属钼薄膜的厚度为440～460埃。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述得到沟道区域和源极、漏极的图形的步骤包括：在形成所述栅极图形的基板上沉积栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上依次沉积半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏极金属薄膜；采用半色调掩模板通过所述第二构图工艺对半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏极金属薄膜进行处理，得到所述沟道区域和源极、漏极的图形。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述采用半色调掩模板通过所述第二构图工艺对半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏极金属薄膜进行处理，得到所述沟道区域和源极、漏极的图形的步骤包括：在所述源漏极金属薄膜上涂抹一层光刻胶；采用半色调掩模板进行曝光显影处理；通过刻蚀工艺刻蚀所述光刻胶完全去除区域的源漏极金属薄膜、掺杂半导体薄膜和半导体薄膜，露出栅极绝缘层，及刻蚀掉沟道区域的光刻胶、源漏极金属薄膜和掺杂半导体薄膜，露出半导体层；剥离剩余的光刻胶，露出该区域的源极、漏极的图形。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述通过刻蚀工艺刻蚀所述光刻胶完全去除区域的源漏极金属薄膜、掺杂半导体薄膜和半导体薄膜，露出栅极绝缘层，及刻蚀掉沟道...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄北洲，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44