一种弹性压接式IGBT陶瓷管壳制造技术

本实用新型专利技术涉及一种弹性压接式IGBT陶瓷管壳，属于电力电子技术领域。包含上盖和陶瓷底座；所述上盖包含集电极圆盘和集电极法兰，所述集电极法兰通信焊在集电极圆盘的外边缘；所述陶瓷底座包含自上而下叠合同心焊接的发射极法兰、瓷环和发射极密封圈；所述发射极密封圈内同心焊接有发射极圆盘；所述瓷环内壁焊有栅极引出端。一种弹性压接式IGBT陶瓷管壳，不仅避免了切削应力对发射极精度的影响，而且可以保证每个芯片通过弹性压接与钼片、集电极和发射极之间接触良好，可以制造出性能更优异、可靠性更高的IGBT器件，为航空、军工等更高要求的应用领域服务。

【技术实现步骤摘要】
一种弹性压接式IGBT陶瓷管壳
本技术涉及一种弹性压接式IGBT陶瓷管壳，属于电力电子

技术介绍
随着绝缘栅双极晶体管——IGBT，应用领域的不断拓展，近年来取得了快速发展，已成为当前电力电子器件的主流产品，千安级以上的大功率IGBT已成为轻型直流输电、轨道交通、新能源等大功率变流领域的首选。目前平板压接式陶瓷封装IGBT，市场上多为方形台架群设计，这种设计的好处芯片的接触面积大，具有较高的稳定性和可靠性，但是难点是方形台架群在加工后要保证台架整体平面度、台架高度、台架面和散热面平行度等技术指标的综合差异在10μ以内，因此必须解决机械加工应力、高温变形、焊接应力、镍层厚度差异对这些指标的影响。本技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种弹性压接式IGBT陶瓷管壳，不仅避免了切削应力对发射极精度的影响，而且可以保证每个芯片通过弹性压接与钼片、集电极和发射极之间接触良好。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种弹性压接式IGBT陶瓷管壳，避免了切削应力对发射极精度的影响，而且可以保证每个芯片通过弹性压接与钼片、集电极和发射极之间接触良好。本技术涉及解决上述问题所采用的技术方案为：一种弹性压接式IGBT陶瓷管壳，包含上盖和陶瓷底座；所述上盖包含集电极圆盘和集电极法兰，所述集电极法兰通信焊在集电极圆盘的外边缘；所述陶瓷底座包含自上而下叠合同心焊接的发射极法兰、瓷环和发射极密封圈；所述发射极密封圈内同心焊接有发射极圆盘；所述瓷环内壁焊有栅极引出端。所述发射极圆盘包含分立式发射极台架、弹簧安置孔和弹簧，所述分立式发射极台架的分布有序排列，相应地，所述弹簧安置孔对应于分立式发射极台架分列布置，所述弹簧放于弹簧安置孔内，所述分立式发射极台架部分在弹簧安置孔内与弹簧接触，部分高于发射极圆盘，使得高出部分保持在同一平面上。所述分立式发射极台架为圆柱形状，便于加工和导向。与现有技术相比，本技术的优点在于：一种弹性压接式IGBT陶瓷管壳，不仅避免了切削应力对发射极精度的影响，而且可以保证每个芯片通过弹性压接与钼片、集电极和发射极之间接触良好，可以制造出性能更优异、可靠性更高的IGBT器件，为航空、军工等更高要求的应用领域服务。附图说明图1为本技术实施例一种弹性压接式IGBT陶瓷管壳的示意图；图2为本技术实施例一种弹性压接式IGBT陶瓷管壳的俯视图。图中1上盖、1-1集电极法兰、1-2集电极圆盘、2陶瓷底座、2-1发射极圆盘、2-2发射极密封圈、2-3瓷环、2-4发射极法兰、3弹簧、4分立式发射极台架、5弹簧安置孔、6栅极引出端。具体实施方式以下结合附图实施例对本专利技术作进一步详细描述。如图1、2所示，本实施例中的一种弹性压接式IGBT陶瓷管壳，包含上盖1和陶瓷底座2；所述上盖1包含集电极圆盘1-2和集电极法兰1-1，所述集电极法兰1-1同心焊在集电极圆盘1-2的外边缘；所述陶瓷底座2包含自上而下叠合同心焊接的发射极法兰2-4、瓷环2-3和发射极密封圈2-2；所述发射极密封圈2-2内同心焊接有发射极圆盘2-1；所述瓷环2-3内壁焊有栅极引出端6。所述发射极圆盘2-1包含分立式发射极台架4、弹簧安置孔5和弹簧3，所述分立式发射极台架4有序排列设在发射极圆盘2-1上，相应地，所述弹簧安置孔5对应于分立式发射极台架4分列布置，所述弹簧3放于弹簧安置孔5内，所述分立式发射极台架4部分在弹簧安置孔5内与弹簧3接触，部分高于发射极圆盘2-1，使得高出部分保持在同一平面上。所述分立式发射极台架4为圆柱形状，便于加工和导向。所述分立式发射极台架4由于在惰性气体保护的密封环境内，因此不需要电镀，这样既可以避免镀层厚度差异对发射极精度的影响，而且裸铜接触电阻更低，器件压降更小，并且通过对分立式发射极台架的分级筛选，可以使台架精度控制在3μm或更小的范围内，这样可以制造出性能更优异、可靠性更高的IGBT器件，为航空、军工等更高要求的应用领域服务。弹簧安置孔5是分立式发射极台架4的定位和导向孔，简化了之前平板弹性压接的设计，但可以达到相同的效果。除上述实施例外，本技术还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本技术权利要求的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种弹性压接式IGBT陶瓷管壳，其特征在于：包含上盖(1)和陶瓷底座(2)；所述上盖(1)包含集电极圆盘(1‑2)和集电极法兰(1‑1)，所述集电极法兰(1‑1)同心焊在集电极圆盘(1‑2)的外边缘；所述陶瓷底座(2)包含自上而下叠合同心焊接的发射极法兰(2‑4)、瓷环(2‑3)和发射极密封圈(2‑2)；所述发射极密封圈(2‑2)内同心焊接有发射极圆盘(2‑1)；所述瓷环(2‑3)内壁焊有栅极引出端(6)。

【技术特征摘要】
1.一种弹性压接式IGBT陶瓷管壳，其特征在于：包含上盖(1)和陶瓷底座(2)；所述上盖(1)包含集电极圆盘(1-2)和集电极法兰(1-1)，所述集电极法兰(1-1)同心焊在集电极圆盘(1-2)的外边缘；所述陶瓷底座(2)包含自上而下叠合同心焊接的发射极法兰(2-4)、瓷环(2-3)和发射极密封圈(2-2)；所述发射极密封圈(2-2)内同心焊接有发射极圆盘(2-1)；所述瓷环(2-3)内壁焊有栅极引出端(6)。2.根据权利要求1所述的一种弹性压接式IGBT陶瓷管壳，其特征在于：所述发射...

【专利技术属性】
技术研发人员：张琼，陈强，
申请(专利权)人：江阴市赛英电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32