配置辅助阳极的低温沉积设备制造技术

本实用新型专利技术涉及配置辅助阳极的低温沉积设备，包括真空室和均置于真空室内的柔性基材、放卷辊、第一导辊、水冷鼓、第二导辊、收卷辊、多对磁控靶、多个辅助阳极；柔性基材依次绕过放卷辊、第一导辊、水冷鼓、第二导辊、收卷辊；多对磁控靶沿着水冷鼓圆周表面的圆周方向依次布置，每对磁控靶之间布置一个辅助阳极；第一导辊和第二导辊对称设置在真空室内，放卷辊和收卷辊对称设置在真空室内，水冷鼓设置在真空室的中心。本实用新型专利技术还涉及另外一种配置辅助阳极的低温沉积设备，低温沉积设备可以避免二次电子轰击到基材上，属于基材镀膜的技术领域。

【技术实现步骤摘要】
配置辅助阳极的低温沉积设备
本技术涉及基材镀膜的
，尤其涉及配置辅助阳极的低温沉积设备。
技术介绍
现有技术中，在使用磁控靶对基材进行镀膜时，等离子体轰击靶材所发射出来的二次电子会轰击到基材上，二次电子所携带的能量会传递到基材上，导致基材的温度攀升，对于一些温度敏感性高的材料，二次电子带来的温度攀升会造成基材的损害。
技术实现思路
针对现有技术中存在的技术问题，本技术的目的是：提供配置辅助阳极的低温沉积设备，可以避免二次电子轰击到基材上。为了达到上述目的，本技术采用如下技术方案：配置辅助阳极的低温沉积设备，包括真空室和均置于真空室内的柔性基材、放卷辊、第一导辊、水冷鼓、第二导辊、收卷辊、多对磁控靶、多个辅助阳极；柔性基材依次绕过放卷辊、第一导辊、水冷鼓、第二导辊、收卷辊；多对磁控靶沿着水冷鼓圆周表面的圆周方向依次布置，每对磁控靶之间布置一个辅助阳极；第一导辊和第二导辊对称设置在真空室内，放卷辊和收卷辊对称设置在真空室内，水冷鼓设置在真空室的中心。进一步的是：低温沉积设备还包括动力机构，动力机构的输出端连接在收卷辊上。进一步的是：磁控靶为平面磁控靶或圆柱磁控靶。进一步的是：所述磁控靶的磁场为发散型磁场。进一步的是：真空室呈方形。配置辅助阳极的低温沉积设备，包括真空室和均设置在真空室内的片状基材、输送机构、多对磁控靶、多个辅助阳极；片状基材放置在输送机构上，片状基材的上方和下方均设置多对磁控靶，多对磁控靶沿着输送机构的输送方向依次设置，每对磁控靶之间布置一个辅助阳极。进一步的是：低温沉积设备还包括机架，机架设置在真空室内，输送机构安装在机架上。机架可以用来支撑输送机构，结构简单、成本低。进一步的是：输送机构为传送带机构。传送带机构为常用机构，结构简单、成本低。进一步的是：输送机构为滚筒机构，滚筒机构上有多根滚筒，多根滚筒沿着片状基材的运行方向依次设置。滚筒机构为常用机构，结构简单、成本低。进一步的是：一对磁控靶由两个磁控靶组成，两个磁控靶之间设置一个辅助阳极。总的说来，本技术具有如下优点：本技术的两种低温沉积设备均设有辅助阳极，结构简单、成本低、便于推广使用、具有较大的经济效益；辅助阳极可以吸收等离子体轰击靶材时所发射出来的二次电子，避免二次电子轰击到基材上，二次电子所携带的能量传递到基材上会导致基材温度攀升，有效降低了镀膜系统对基材的热效应，辅助阳极有效吸收二次电子的功能可对基材起到至关重要的保护作用，实现了更低的等离子体热效应，在基材耐温性不变的工艺前提下，可提升更高的溅射功率密度，实现更高的溅射镀膜效率。附图说明图1是本技术实施例1的结构示意图。图2是本技术实施例2的结构示意图。具体实施方式下面将结合附图和具体实施方式来对本技术做进一步详细的说明。为了便于统一查看说明书附图里面的各个附图标记，现对说明书附图里出现的附图标记统一说明如下：1为磁控靶，2为辅助阳极，3为水冷鼓，4为放卷辊，5为柔性基材，6为第一导辊，7为第二导辊，8为收卷辊，9为片状基材。实施例1结合图1所示，配置辅助阳极的低温沉积设备，包括真空室和均置于真空室内的柔性基材、放卷辊、第一导辊、水冷鼓、第二导辊、收卷辊、多对磁控靶、多个辅助阳极。柔性基材依次绕过放卷辊、第一导辊、水冷鼓、第二导辊、收卷辊；即放卷辊、第一导辊、水冷鼓、第二导辊、收卷辊沿着柔性基材的运行路线依次设置。多对磁控靶沿着水冷鼓圆周表面的圆周方向依次布置，即每对磁控靶均匀布置在水冷鼓圆周表面的外侧的圆弧上。每对磁控靶之间布置一个辅助阳极，如图1所示，两个相邻的磁控靶称为一对磁控靶，两个磁控靶之间布置一个辅助阳极。每对磁控靶和辅助阳极距离水冷鼓的圆周表面有合适的距离。第一导辊和第二导辊对称设置在真空室内，放卷辊和收卷辊对称设置在真空室内，水冷鼓设置在真空室的中心。低温沉积设备还包括动力机构，动力机构的输出端连接在收卷辊上。动力机构图中未画出。磁控靶为平面磁控靶或圆柱磁控靶。所述磁控靶的磁场为发散型磁场。真空室呈方形。本实施例的低温沉积设备的工作原理：动力机构驱动收卷辊转动，放卷辊将柔性基材放出来，然后柔性基材依次沿着第一导辊、水冷鼓、第二导辊的圆周表面滑动，最终到达收卷辊，在柔性基材经过水冷鼓的圆周表面时，等离子体会轰击磁控靶的靶材，然后磁控靶对柔性基材进行镀膜，而辅助阳极则吸收等离子体轰击靶材时所发射出来的二次电子，避免二次电子轰击到基材上，二次电子所携带的能量传递到基材上会导致基材温度攀升。平面磁控溅射即传统的磁控溅射，是在阴极靶材背后放置与外环磁场强度相等或相近的永磁体或电磁线圈，在靶材表面形成与电场方向垂直的磁场。然后在沉积室充入一定量的工作气体，通常为Ar，在高压作用下Ar粒子电离成为Ar+离子和电子，产生辉光放电，Ar+离子经电场加速轰击靶材，溅射出靶材原子、离子和二次电子等。实施例2结合图2所示，配置辅助阳极的低温沉积设备，包括真空室和均设置在真空室内的片状基材、输送机构、多对磁控靶、多个辅助阳极。片状基材放置在输送机构上，输送机构输送片状基材，片状基材的上方和下方均设置多对磁控靶，片状基材上方的多对磁控靶和下方的多对磁控靶均沿着输送机构的输送方向依次设置，每对磁控靶之间布置一个辅助阳极。如图2所示，两个相邻的磁控靶称为一对磁控靶，两个磁控靶之间布置一个辅助阳极。每对磁控靶和辅助阳极距离片状基材有合适的距离。低温沉积设备还包括机架，机架设置在真空室内，输送机构安装在机架上。机架支撑整个输送机构。机架图中未画出。输送机构为传送带机构。输送机构图中未画出。输送机构为滚筒机构，滚筒机构上有多根滚筒，多根滚筒沿着片状基材的运行方向依次设置。片状基材可以方便地在滚筒上运行。一对磁控靶由两个磁控靶组成，两个磁控靶之间设置一个辅助阳极。本实施例的低温沉积设备的工作原理：在片状基材经过输送机构时，等离子体会轰击磁控靶的靶材，然后磁控靶对片状基材进行镀膜，而辅助阳极则吸收等离子体轰击靶材时所发射出来的二次电子，避免二次电子轰击到基材上，二次电子所携带的能量传递到基材上会导致基材温度攀升。上述实施例为本技术较佳的实施方式，但本技术的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本技术的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.配置辅助阳极的低温沉积设备，其特征在于：包括真空室和均置于真空室内的柔性基材、放卷辊、第一导辊、水冷鼓、第二导辊、收卷辊、多对磁控靶、多个辅助阳极；柔性基材依次绕过放卷辊、第一导辊、水冷鼓、第二导辊、收卷辊；多对磁控靶沿着水冷鼓圆周表面的圆周方向依次布置，每对磁控靶之间布置一个辅助阳极；第一导辊和第二导辊对称设置在真空室内，放卷辊和收卷辊对称设置在真空室内，水冷鼓设置在真空室的中心。

【技术特征摘要】
1.配置辅助阳极的低温沉积设备，其特征在于：包括真空室和均置于真空室内的柔性基材、放卷辊、第一导辊、水冷鼓、第二导辊、收卷辊、多对磁控靶、多个辅助阳极；柔性基材依次绕过放卷辊、第一导辊、水冷鼓、第二导辊、收卷辊；多对磁控靶沿着水冷鼓圆周表面的圆周方向依次布置，每对磁控靶之间布置一个辅助阳极；第一导辊和第二导辊对称设置在真空室内，放卷辊和收卷辊对称设置在真空室内，水冷鼓设置在真空室的中心。2.按照权利要求1所述的配置辅助阳极的低温沉积设备，其特征在于：低温沉积设备还包括动力机构，动力机构的输出端连接在收卷辊上。3.按照权利要求1所述的配置辅助阳极的低温沉积设备，其特征在于：磁控靶为平面磁控靶或圆柱磁控靶。4.按照权利要求1所述的配置辅助阳极的低温沉积设备，其特征在于：所述磁控靶的磁场为发散型磁场。5.按照权利要求1所述的配置辅助阳极的低温沉积设备，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱刚毅，朱刚劲，朱文廓，
申请(专利权)人：广东腾胜真空技术工程有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44