一种片式功率二极管封装工艺制造技术

本发明专利技术公开一种片式功率二极管封装工艺，包括焊接、塑封、成型、电镀和自动检测、印字和包装，片式功率二极管封装设计尺寸为：5.8mm*2.7mm*1.8mm，PN结两级采用铜框架底部平面引脚工艺。因为铜框架散热能力强，能够长时间在高温环境中正常工作，同时在缩小器件封装体积情况下，通过减小器件的热阻，提高了器件自身的散热性能。此外，封装外形的超小型体积和超薄型器件高度，能够更方便应用在空间受限的场合下实现PCB板的插贴混装设计，提高单位面积的零件密度使整机产品做得更小更薄。

A Chip Power Diode Packaging Process

The invention discloses a chip power diode packaging process, including welding, plastic sealing, forming, electroplating and automatic detection, printing and packaging. The chip power diode packaging design size is 5.8mm*2.7mm*1.8mm, and the PN junction two stages adopt the copper frame bottom flat pin process. Because the copper frame has strong heat dissipation ability, it can work normally in high temperature environment for a long time. At the same time, by reducing the thermal resistance of the device, the heat dissipation performance of the device itself is improved. In addition, the packaging shape of the ultra-small size and ultra-thin device height, can be more convenient to use in space constraints to achieve PCB board plug-and-paste mixing design, improve the density of parts per unit area to make the whole product smaller and thinner.

【技术实现步骤摘要】
一种片式功率二极管封装工艺
本专利技术涉及一种半导体封装工艺，特别是涉及一种片式功率二极管封装工艺。
技术介绍
功率型二极管主要包括肖特基二极管、快恢复二极管和工频二极管等。随着电子产品的轻薄短小，作为基础元器件的功率二极管，也开始了小型化、集成化、高频化的趋势。目前，绿色照明一体化电子镇流器大部分使用的是规格为1A的插件式功率二极管，这是现阶段插件式功率二极管能做到1A规格的最小外形，被绿色照明生产厂家大量的运用。随着绿色照明电子产品小型化的深入发展，市场对功率二极管的要求在不断提高，传统工艺设计的产品已经无法满足其技术提升和产品升级的需要。在绿色照明领域，规格1A、1000V的插件式功率二极管是目前应用最广泛的产品，由于硅橡胶钝化工艺的局限性，其设计工作结温小于125℃，在一体化电子镇流器高温环境下其芯片处于临界和超界限工作状态，给产品的稳定性和安全性带来了隐患。插件式封装工艺的特性限制，1A的规格已是插件功率二极管体积最小的规格，已经无法满足绿色照明产品进一步小型化的发展要求。同时，在装配工艺上插件式功率二极管主要依靠手工作业，不利于对PCB板的插贴混装设计和实现全自动机械流水装备提高生产效率。有鉴于此，本专利技术人对此进行研究，专门开发出一种片式功率二极管封装工艺，本案由此产生。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种散热好、耐高温、外观尺寸小的片式功率二极管封装工艺。为了实现上述目的，本专利技术的解决方案是：一种片式功率二极管封装工艺，包括焊接、塑封、成型、电镀和自动检测、印字和包装，片式功率二极管封装设计尺寸为：5.8mm*2.7mm*1.8mm，PN结两级采用铜框架底部平面引脚工艺。所述片式功率二极管为扁平引脚，两引脚间距2.0mm～2.2mm。所述片式功率二极管顶部面积为(2.5±0.05)mm*(1.8±0.05)mm。本专利技术采用铜框架底部平面引脚工艺，因为铜框架散热能力强，能够长时间在高温环境中正常工作，同时在缩小器件封装体积情况下，通过减小器件的热阻，提高了器件自身的散热性能。此外，封装外形的超小型体积和超薄型器件高度，能够更方便应用在空间受限的场合下实现PCB板的插贴混装设计，提高单位面积的零件密度使整机产品做得更小更薄。以下结合具体实施例对本专利技术做进一步详细描述。具体实施方式实施例1一种片式功率二极管封装工艺，包括焊接、塑封、成型、电镀和自动检测、印字和包装，片式功率二极管封装设计尺寸为：5.8mm*2.7mm*1.8mm，PN结两级采用铜框架底部平面引脚工艺。所述片式功率二极管为扁平引脚，两引脚间距2.0mm。为避免测试当中打火现象，要求器件底部的顶杆采用绝缘材料。所述片式功率二极管顶部面积为2.45mm*1.75mm。通过提高定位精度对该区域进行激光雕刻产品标识。目前市场上常规的铜引线框架尺寸为0.20MM规格的，由于受到本体高度限制，考虑采用厚度为最薄规格的0.15mm的铜引线框架。20cm长的引线框架，大部分厂家芯片装载标准为50颗。采用本专利技术所述的封装工艺，可以将装载的颗数提高到了72颗，有效的提高了材料的利用率和作业效率，降低了产品成本。实施例2一种片式功率二极管封装工艺，包括焊接、塑封、成型、电镀和自动检测、印字和包装，片式功率二极管封装设计尺寸为：5.8mm*2.7mm*1.8mm，PN结两级采用铜框架底部平面引脚工艺。所述片式功率二极管为扁平引脚，两引脚间距2.2mm。为避免测试当中打火现象，要求器件底部的顶杆采用绝缘材料。所述片式功率二极管顶部面积为2.55mm*1.85mm。通过提高定位精度对该区域进行激光雕刻产品标识。目前市场上常规的铜引线框架尺寸为0.20mm规格的，由于受到本体高度限制，考虑采用厚度为最薄规格的0.15mm的铜引线框架。20cm长的引线框架，大部分厂家芯片装载标准为50颗。采用本专利技术所述的封装工艺，可以将装载的颗数提高到了72颗，有效的提高了材料的利用率和作业效率，降低了产品成本。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种片式功率二极管封装工艺，包括焊接、塑封、成型、电镀和自动检测、印字和包装，其特征在于：所述片式功率二极管封装设计尺寸为：5.8mm*2.7mm*1.8mm，PN结两级采用铜框架底部平面引脚工艺；所述片式功率二极管为扁平引脚，两引脚间距2.0mm～2.2mm。

【技术特征摘要】
1.一种片式功率二极管封装工艺，包括焊接、塑封、成型、电镀和自动检测、印字和包装，其特征在于：所述片式功率二极管封装设计尺寸为：5....

【专利技术属性】
技术研发人员：吴强德，
申请(专利权)人：嘉兴柴薪科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33