器件检查电路、器件检查装置和探针卡制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种不增加成本而能够测量流过多个器件的电流的器件检查电路。盒侧检查电路(21)的供电电路(27)包括运算放大器(29)和检测电阻(30)，具有电流测量功能的电源(25)、运算放大器(29)、检测电阻(30)和DUT(26)按以上顺序串联连接，电源(25)与运算放大器(29)的同相输入端连接，并且供电电路(27)包括：负反馈电路(32)，其将检测电阻(30)和DUT(26)之间的电压施加到运算放大器(29)的反相输入端；正反馈电路(34)，其将运算放大器(29)和检测电阻(30)之间的上游检测点(33)与运算放大器(29)的同相输入端连接，正反馈电路(34)具有反馈电阻(35)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】器件检查电路、器件检查装置和探针卡
本专利技术涉及用于检测形成于基片的半导体器件的器件检查电路、器件检查装置和探针卡。
技术介绍
为了在半导体器件的制造工序中较早的阶段发现缺陷等，人们开发了为了不将形成于作为基片的半导体晶片(下面，简称为“晶片”。)的半导体器件从该晶片切下就能够进行检查的器件检查装置，也即探测器。探测器包括具有多个针状的探针的探针卡和用于载置晶片的、能够上下左右地移动的载置台，使检查探针卡的各探针与作为检查对象的半导体器件(DeviceUnderTest，下面称为“DUT”。)所具有的电极垫、焊料凸块(solderbumps)接触，将来自DUT的信号传递到设置在探测器上的LSI测试器来检查DUT的电特性(例如，参照专利文献1。)。特别是从提高检查效率提高生产量的观点出发，人们开发了同时检查形成于晶片的多个DUT的电特性的探测器。在这样的探测器中，通常，如图10图所示，设置有与DUT100逐一对应地对该DUT100供电的电源101。近年来，从晶片的大口径化、半导体器件的生产效率提高的观点出发，能够形成在晶片的DUT的数量大幅增加，例如，有时超过1000个。此情况下，由于探测器内中的布局上的限制，与DUT100的逐一对应地在探测器设置电源101这一做法比较困难，并且增加探测器的成本。另外，也存在将电源101设置在LSI测试器的情况，但是，在该情况下，由于LSI测试器内中的布局上的限制，与DUT100的逐一对应地在LSI测试器设置电源101这一做法比较困难，并且增加LSI测试器的成本。因此，如图11图所示，研究了由一个电源101对多个DUT100供电的设置。在该情况下，为了控制对各DUT100供给的电力而与各DUT100对应地设置供电电路102，不过存在对各DUT100供给的电力不足，各DUT100的施加电压降低的可能性，因此供电电路102具有用于放大从电源101供给的电力的运算放大器。然而，现有技术中流过DUT100的电流(下面称为“器件电流”。)与流过电源101的电流为相同的值，因此使用电源101所具有的电流测量功能测量流过电源101的电流作为器件电流，但是在设置供电电路102的情况下，在电源101与DUT100之间设置运算放大器，因此器件电流与流过电源101的电流不是相同的值。所以，在供电电路102中，如图12图所示，需要在运算放大器103与DUT100之间配置检测放大器104和AD转换器105，使用检测放大器104和AD转换器105直接测量从运算放大器103流向DUT100的电流。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平7-297242号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题然而，当检测放大器104和AD转换器105需要与DUT100逐一对应地设置时，在上述那样形成在晶片的DUT的数量超过1000个的情况下，由于探测器内中的布局上的限制，与DUT的数量对应地设置相同数量的检测放大器104和AD转换器105这一做法比较困难，作为结果，难以测量流过多个DUT的电流。另外，产生因存在多个检测放大器104和AD转换器105而增加探测器的成本的问题。本专利技术的目的在于提供一种不增加成本就能够测量在多个器件流过的电流的器件检查电路、器件检查装置和探针卡。用于解决技术问题的技术手段为了实现上述目的，依照本专利技术，提供一种器件检查电路，其包括具有电流测量功能的电源、运算放大器和第一电阻，上述电源、上述运算放大器、上述第一电阻和器件按以上顺序串联连接，上述电源与上述运算放大器的同相输入端连接，该器件检查电路还包括：第一反馈电路，其将上述第一电阻与上述器件之间的电压施加到上述运算放大器的反相输入端；和第二反馈电路，其将上述运算放大器和上述第一电阻之间的节点与上述运算放大器的同相输入端连接，上述第二反馈电路具有第二电阻。专利技术效果依照本专利技术，由于将第一电阻与器件之间的电压施加到运算放大器的反相输入端，因此，通过运算放大器的负反馈动作，运算放大器的同相输入端的电位与第一电阻和器件之间的电位相等。另外，第二反馈电路将运算放大器和第一电阻之间的节点与运算放大器的同相输入端连接，因此第二反馈电路中的电压降与第一电阻中的电压降相等。并且，能够使用电源所具有的电流测量功能来测量流过第二反馈电路的电流。因此，根据欧姆定律，能够基于流过第一电阻、第二电阻和第二反馈电路的电流来计算流过第一电阻的电流。其结果，不与各器件对应地设置检测放大器和AD转换器，而能够计算从第一电阻流向器件的电流。即，能够不增加成本而测量流过多个器件的电流。附图说明图1是用于概略地说明作为本专利技术的第一实施方式的器件检查装置的探测器的结构的立体图。图2是用于概略地说明图1的探测器的结构的主视图。图3是表示图2中的探针卡的结构的放大主视图。图4是表示图2中的盒侧检查电路的结构的电路图。图5是表示本专利技术的第二实施方式的器件检查电路中的供电电路的结构的电路图。图6是表示本专利技术的第三实施方式的器件检查电路中的供电电路的结构的电路图。图7是表示本专利技术的第四实施方式的器件检查电路中的供电电路的结构的电路图。图8是表示本专利技术的第五实施方式的器件检查电路中的供电电路的结构的电路图。图9是表示一个电源仅对一个DUT供电的情况下供电电路的结构的电路图。图10是用于说明现有的探测器中的电源与DUT的对应关系的电路图。图11是用于说明一个电源对多个DUT供电的情况下电源与各DUT的对应关系的电路图。图12是用于说明一个电源对多个DUT供电的情况下通常的供电电路的结构的电路图。具体实施方式下面，参照附图，对本专利技术的实施方式进行说明。首先，说明本专利技术的第一实施方式。图1是用于概略地说明作为本实施方式的器件检查装置的探测器的结构的立体图，图2是该探测器的结构的主视图。图2表示绘制为局部截面的、内置在后述的主体12、装载机13和测试盒14中的构成要素。在图1和图2中，探测器10包括：内置用于载置晶片W的载置台11的主体12；与该主体12相邻配置的装载机(loader)13；以覆盖主体12的方式配置的测试盒(testbox)14，能够同时检查形成于晶片W的多个DUT的电特性。主体12形成为内部呈空洞的壳体形状，在该内部除了配置上述的载置台11之外，还与该载置台11相对地配置探针卡15，探针卡15与晶片W相对。探针卡15包括：板状的卡板16；和配置在卡板16的与晶片W相对的下表面的探测头17。如图3图所示，探测头17具有与形成于晶片W的各DUT的电极垫、焊料凸块对应的多个针状的探针18。晶片W以不偏离相对于载置台11的相对位置的方式固定到该载置台1。载置台11能够在水平方向和上下方向移动，调整探针卡15和晶片W的相对位置以使各DUT的电极垫、焊料凸块与探测头17的各探针18正确地接触。装载机13将形成有多个DUT的晶片W从作为运送容器的FOUP(未图示)取出并载置到主体12的内部的载置台11。在探针卡15的卡板16形成有卡侧检查电路19(参照图3)，该卡侧检查电路19与探测头17连接。测试盒14包括作为配线的线束(harness)20和形成有盒侧检查电路21(器件检查电路)的测试板22。线束20连接测试盒14的测试板22与探针卡15的卡板16。在探测器10中，由卡侧检查电路19、盒本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种器件检查电路，其特征在于：包括具有电流测量功能的电源、运算放大器和第一电阻，所述电源、所述运算放大器、所述第一电阻和器件按以上顺序串联连接，所述电源与所述运算放大器的同相输入端连接，所述器件检查电路还包括：第一反馈电路，其将所述第一电阻与所述器件之间的电压施加到所述运算放大器的反相输入端；和第二反馈电路，其将所述运算放大器和所述第一电阻之间的节点与所述运算放大器的同相输入端连接，所述第二反馈电路具有第二电阻。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.12 JP 2016-1589061.一种器件检查电路，其特征在于：包括具有电流测量功能的电源、运算放大器和第一电阻，所述电源、所述运算放大器、所述第一电阻和器件按以上顺序串联连接，所述电源与所述运算放大器的同相输入端连接，所述器件检查电路还包括：第一反馈电路，其将所述第一电阻与所述器件之间的电压施加到所述运算放大器的反相输入端；和第二反馈电路，其将所述运算放大器和所述第一电阻之间的节点与所述运算放大器的同相输入端连接，所述第二反馈电路具有第二电阻。2.如权利要求1所述的器件检查电路，其特征在于：所述运算放大器、所述第一电阻、所述第一反馈电路和所述第二反馈电路构成供电电路，一个所述电源与多个所述供电电路的所述运算放大器的同相输入端连接，多个所述供电电路与多个所述器件一对一地连接。3.如权利要求2所述的器件检查电路，其特征在于：在各所述供电电路中所述第二反馈电路具有开关。4.如权利要求1至3的任一项所述的器件检查电路，其特征在于：具有绕过所述第一电阻将所述运算放大器和所述器件直接连接的旁通电路。5.如权利要求1至4的任一项所述的器件检查电路，其特征在于：还包括其他电源和晶体管，所述其他电源经由所述晶体管与所述器件连接，所述晶体管与所述第一电阻并联地配置。6.如权利要求5所述的器件检查电路，其特征在于：在所述其他电源与所述晶体管之间设有电...

【专利技术属性】
技术研发人员：成川健一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP