低压升降杆腔硬件制造技术

本文公开的实施例总的来说涉及用于等离子体处理设备的泵送系统。所述泵送系统包括：第一泵路径、第二泵路径、第一阀和第二阀。第一泵路径将处理腔室的基板支撑组件的开口耦接至处理腔室的排气口。第二泵路径将基板支撑组件的开口耦接至处理腔室的抽气区域。第一阀位于第一泵路径中。第一阀可在第一状态和第二状态之间配置。第二阀位于第二泵路径中。第二阀可在第一状态和第二状态之间配置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】低压升降杆腔硬件
本文所述的实施例总的来说涉及等离子体处理设备，且更具体地涉及用于等离子体处理设备的泵送系统。
技术介绍
通常通过一系列的工艺步骤制造电子器件(诸如平板显示器和集成电路)，其中将层沉积在基板上，并将所沉积的材料蚀刻成所希望的图案。工艺步骤通常包括物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强CVD(PECVD)和其他等离子体处理。具体而言，等离子体工艺包括将工艺气体混合物供应到真空腔室，以及施加电功率或电磁功率(RF功率)以将工艺气体激发成等离子体状态。等离子体将气体混合物分解成执行所希望的沉积或蚀刻工艺的离子物质。在某些蚀刻应用中，处理设备以非常高的偏压功率运行，这导致经配置用于支撑基板的下电极中演生出大的RF电压。下电极包括形成在其中的开口，所述开口允许升降杆穿过下电极。当高RF电压与开口中的高压结合时，所述高RF电压会导致下电极中的不希望的等离子体放电(即“点亮(lightup)”)或电弧，这会造成灾难性故障。常规的系统在开口和泵之间形成泵路径，以在处理期间降低开口中的压力。然而，这样的连续泵送(诸如当不再存在有基板时)引起泵送等离子体副产品，这会导致对腔室部件的侵蚀。因此，需要改进的泵送系统。
技术实现思路
本文公开的实施例总的来说涉及用于等离子体处理设备的泵送系统。所述泵送系统包括：第一泵路径、第二泵路径、第一阀和第二阀。所述第一泵路径将所述处理腔室的基板支撑组件的开口耦接至所述处理腔室的排气口。所述第二泵路径将所述基板支撑组件的开口耦接至所述处理腔室的抽气区域。所述第一阀位于所述第一泵路径中。所述第一阀在第一状态和第二状态之间配置。所述第二阀位于所述第二泵路径中。所述第二阀可在第一状态和第二状态之间配置。在另一个实施例中，本文公开了一种等离子体处理设备。所述等离子体处理设备包括盖组件、腔室主体、基板支撑组件、排气组件、排气口和泵送系统。所述盖组件和腔室主体包围处理区域。所述基板支撑组件设置在所述腔室主体中。所述基板支撑组件具有形成在所述基板支撑组件中的开口。所述排气组件限定所述腔室主体内的抽气区域。所述腔室主体包括绕所述基板支撑组件的中心轴对称设置的多个通道，所述多个通道将所述处理区域与所述抽气区域流体连接。所述排气口穿过腔室主体形成。所述泵送系统包括：第一泵路径、第二泵路径、第一阀和第二阀。所述第一泵路径将所述基板支撑组件的所述开口耦接至所述处理腔室的所述排气口。所述第二泵路径将所述基板支撑组件的所述开口耦接至所述处理腔室的所述抽气区域。所述第一阀位于所述第一泵路径中。所述第一阀可在第一状态和第二状态之间配置。所述第二阀位于所述第二泵路径中。所述第二阀可在第一状态和第二状态之间配置。在另一个实施例中，本文公开了一种处理基板的方法。打开第一泵路径，所述第一泵路径被界定在等离子体处理设备的基板支撑组件的开口与所述等离子体处理设备的排气口之间。对所述基板施行处理步骤。关闭所述第一泵路径并打开第二泵路径，所述第二泵路径界定在所述基板支撑组件的所述开口至所述等离子体处理设备的抽气区域之间。在所述等离子体处理设备中施行清洗工艺。附图说明为了以能够详细理解本专利技术的以上记载特征的方式，可以通过参考实施例来对以上简要概括的本公开文本的实施例进行更具体的描述，这些实施例中的一些在所附附图中被示出。然而，值得注意的是，附图仅示出了本公开文本的典型实施例，而由于本公开文本可允许其他等效的实施例，因此附图并不会视为对本公开文本范围的限制。图1示出根据一个实施例的具有改进泵送系统的处理腔室的截面图。图2示出根据一个实施例的图1的处理腔室的简化示图。图3是根据一个实施例的处理基板的方法的流程图。图4示出根据一个实施例的计算平台。为了清楚起见，在可适用的情况下，使用相同的参考标记代表附图之间相同的元件。另外，一个实施例的元件可以有利地适用于在本文中所述的其他实施例中的使用。具体实施方式图1是根据一个实施例的等离子体处理设备100的示意性截面图，所述等离子体处理设备100具有耦接至升降杆体积的泵送系统150。等离子体处理设备100可以是等离子体蚀刻腔室、等离子体增强化学气相沉积腔室、物理气相沉积腔室、等离子体处理腔室、离子植入腔室或其他合适的真空处理腔室，诸如可自加州圣克拉拉的应用材料公司购得的Sym3处理腔室。等离子体处理设备100总的来说包括源模块110、腔室主体组件140和排气组件190，所述源模块110、腔室主体组件140和排气组件190共同地包围处理区域102和抽气区域104。在实践中，将处理气体引入处理区域102中，并使用RF功率将处理气体点燃(ignite)为等离子体。基板105位于基板支撑组件160上并暴露于处理区域102中所产生的等离子体，以对基板105施行等离子体工艺(诸如蚀刻、化学气相沉积、物理气相沉积、植入、等离子体退火、等离子体处理、消除或其他等离子体工艺)。通过排气组件190在处理区域102中保持真空，所述排气组件将所耗费的处理气体和副产品通过抽气区域104从等离子体工艺去除。在一个实施例中，源模块110可以是电感耦合等离子体源。源模块110总的来说包括上电极112(或阳极)，所述上电极112与腔室主体组件140和腔室盖件114隔离且由腔室主体组件140和腔室盖件114支撑，所述腔室盖件114包围上电极112。上电极112可包括外线圈组件120和内线圈组件122。外线圈组件120和内线圈组件122可连接至射频(RF)电源124。可沿着腔室主体组件140的中心轴(CA)设置气体入口管126。所述气体入口管可与气体源132耦接以将一种或多种处理气体供应至处理区域102。腔室主体组件140包括腔室主体142，所述腔室主体142由耐抗处理环境的导电材料制成。基板支撑组件160居中地设置在腔室主体142内。所述基板支撑组件经定位以在处理区域102中绕中心轴对称地支撑基板105。通过设置在腔室主体142中的狭缝阀管道(tunnel)141进出处理区域102，所述狭缝阀管道141允许基板105进入及移除。上衬垫组件144具有穿过所述上衬垫组件144设置的槽151，所述槽151与狭缝阀管道141匹配以允许基板105穿过所述槽151。腔室主体组件140包括狭缝阀门组件191，所述狭缝阀门组件191包括致动器152，所述致动器152经定位及配置以使狭缝阀门153垂直地延伸以密封狭缝阀管道141和槽151，并且使狭缝阀门153垂直地缩回以允许经由狭缝阀管道141和槽151进出。可提供背衬垫，所述背衬垫附接于上衬垫组件144的槽并覆盖上衬垫组件144的槽。背衬垫还与上衬垫组件144导电接触，以保持与上衬垫组件144的电接触和热接触。基板支撑组件160总的来说包括下电极161(或阴极)和中空基座162。基板支撑组件160由中心支撑构件157支撑，所述中心支撑构件157设置在中心区域156中并由腔室主体142支撑。通过匹配网络(未图示)和缆线(未图示)将下电极161耦接至RF电源124，所述缆线被布线穿过基座162。当将RF功率供应给上电极112和下电极161时，在上电极112和下电极161之间形成的电场将处理区域102中存在的处理气体点燃成为等离子体。将中心支撑构件157(诸如通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于等离子体处理设备的泵送系统，包括：第一泵路径，所述第一泵路径将所述处理腔室的基板支撑组件的开口耦接至所述处理腔室的排气口；第二泵路径，所述第二泵路径将所述基板支撑组件的所述开口耦接至所述处理腔室的抽气区域；第一阀，所述第一阀位于所述第一泵路径中，所述第一阀可在第一状态和第二状态之间配置；以及第二阀，所述第二阀位于所述第二泵路径中，所述第二阀可在所述第一状态和所述第二状态之间配置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.26 US 62/380,0841.一种用于等离子体处理设备的泵送系统，包括：第一泵路径，所述第一泵路径将所述处理腔室的基板支撑组件的开口耦接至所述处理腔室的排气口；第二泵路径，所述第二泵路径将所述基板支撑组件的所述开口耦接至所述处理腔室的抽气区域；第一阀，所述第一阀位于所述第一泵路径中，所述第一阀可在第一状态和第二状态之间配置；以及第二阀，所述第二阀位于所述第二泵路径中，所述第二阀可在所述第一状态和所述第二状态之间配置。2.如权利要求1所述的泵送系统，其特征在于，进一步包括：第一泵管路，所述第一泵管路将所述基板支撑组件的所述开口耦接至所述第一阀和所述第二阀。3.如权利要求2所述的泵送系统，其特征在于，进一步包括：第二泵管路，所述第二泵管路将所述第一阀耦接至所述等离子体处理设备中的所述排气口以形成第一泵路径。4.如权利要求2所述的泵送系统，其特征在于，进一步包括：第二泵管路，所述第二泵管路将所述第二阀耦接至所述处理腔室中的所述抽气区域以形成第二泵路径。5.如权利要求1所述的泵送系统，其特征在于，所述第一阀处于所述第一状态，并且所述第二阀处于所述第二状态。6.如权利要求5所述的泵送系统，其特征在于，所述第一状态是将所述基板支撑组件的所述开口流体耦接至所述排气口的打开状态，并且其中所述第二状态是不允许所述基板支撑件组件与所述抽气区域之间有流体连通的关闭状态。7.一种等离子体处理设备，包括：盖组件和腔室主体，所述盖组件和所述腔室主体包围处理区域；基板支撑组件，所述基板支撑组件设置在所述腔室主体中，所述基板支撑组件具有形成在所述基板支撑组件中的开口；排气组件，所述排气组件界定所述腔室主体内的抽气区域，其中所述腔室主体包括绕所述基板支撑组件的中心轴对称设置的多个通道，所述多个通道将所述处理区域与所述抽气区域流体连接；排气口，所述排气口穿过所述腔室主体形成；以及用于等离子体处理设备的泵送系统，所述泵送系统包括：第一泵路径，所述第一泵路径将所述基板支撑组件的所述开口耦接至所述处理腔室的所述排...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·T·尼科尔斯，I·尤瑟夫，J·A·奥马利三世，S·E·巴巴扬，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US