一种常压多层CVD反应器制造技术

本发明专利技术公开了一种常压多层CVD反应器，包括用于放置镀件并进行气相反应的炉体，炉体内设有进气管和排气管，进气管左右横向放置并沿上下方向设有多个，上下相邻两个进气管之间形成用于放置镀件的反应层，并且上下进气管上相对镀件的位置分别设有一组朝向镀件的进气口，进气管的前后两侧分别设有排气管，排气管纵向设置，排气管上与每个反应层相对的位置处分别设有一组排气口，炉体内还设有用于分别给每个反应层加热的加热装置，常压多层CVD反应器还包括用于与每个镀件电连接并向镀件加载电磁场的磁场发生装置。本发明专利技术采用分层通气体，分层排气，分层温控，对多个镀件同时进行CVD反应，生产效率高，而且结构简单，造价低。

【技术实现步骤摘要】
一种常压多层CVD反应器
本专利技术涉及一种常压多层CVD反应器。
技术介绍
CVD是指高温下的气相反应，CVD反应器是一种常见的化学镀膜装备，通常有管式或扁平式两种，扁平式大面积的设备大部分采用真空形式，其存在着效率低，造价高的缺点。本专利技术就是基于这种情况作出的。
技术实现思路
本专利技术目的是克服了现有技术的不足，提供一种结构简单、效率高的常压多层CVD反应器。本专利技术是通过以下技术方案实现的：一种常压多层CVD反应器，包括用于放置镀件10并供镀件10在内进行气相反应的炉体1，所述炉体1内设有进气管2和排气管3，其特征在于：所述进气管2左右横向放置并沿上下方向设有多个，上下相邻两个所述进气管2之间形成用于放置镀件10的反应层4，并且上下进气管2上相对镀件10的位置分别设有一组朝向镀件10的进气口21，所述进气管2的前后两侧分别设有排气管3，所述排气管3纵向设置，所述排气管3上与每个反应层4相对的位置处分别设有一组排气口31，所述炉体1内还设有用于分别给每个反应层4加热的加热装置，所述常压多层CVD反应器还包括用于与每个镀件10电连接并向镀件10加载电磁场的磁场发生装置。如上所述的一种常压多层CVD反应器，其特征在于：每个所述进气管2上沿左右方向设有多组分别对应多个镀件10的进气口21，位于所述进气管2前后两侧的排气管3各设有一排，每排的排气管3有多个。如上所述的一种常压多层CVD反应器，其特征在于：每个镀件10的周围均设有4个排气管3，其中两个排气管3位于前排，另外两个排气管3位于后排。如上所述的一种常压多层CVD反应器，其特征在于：所述加热装置包括与外部温控系统电连接的加热棒5，每个所述进气管2的前后两侧均设有加热棒5，所述加热棒5平行于进气管2放置于镀件10上方或者下方。如上所述的一种常压多层CVD反应器，其特征在于：所述进气管2沿前后方向设有n排，所述排气管3沿前后方向设有m排，其中n，m为正整数。如上所述的一种常压多层CVD反应器，其特征在于：同排的所述进气管2的一端设有同时与各个进气管2相连通并与外部供气设备连接的供气总管6，同排的所述排气管3的一端设有同时与各个排气管3相连通并与外部排气设备连接的排气总管7。如上所述的一种常压多层CVD反应器，其特征在于：每组所述排气口31有多个并绕排气管3的轴线均匀排列。如上所述的一种常压多层CVD反应器，其特征在于：所述排气口31位于上下相邻两个进气管2的中间位置。如上所述的一种常压多层CVD反应器，其特征在于：每组所述进气口21有三个并呈朝外散开状斜向镀件10，三个所述进气口21相互之间呈120度均匀分布。如上所述的一种常压多层CVD反应器，其特征在于：所述进气口21与水平面的夹角为45度。与现有技术相比，本专利技术有如下优点：1、本专利技术采用分层通气体，分层排气，分层温控，对多个镀件10同时进行CVD反应，生产效率高，可在常压形式进行CVD反应，而且结构简单，造价低，设备易于制造和推广使用。2、本专利技术采用多个所述进气管2左右横着并上下排列在炉体1内，形成多层反应层4，在每个反应层4内装入镀件10，所述进气管2外接供气设备，每个反应层4间的上进气管2位于镀件10上侧的进气口21进气，下进气管2位于镀件10下侧的进气口21进气，实现分层进气，使每个反应层4进气充分均匀，且镀件10上下两侧供气均衡；所述加热装置分别给每个反应层4加热进行分层温控，使每个反应层4加热均匀，每个镀件10的反应温度一致性好；并通过磁场发生装置给每个镀件10加载电磁场，以促进催化剂生长，提升效率；气体从进气口21进入反应层4，流经镀件10反应后从每层相对的排气口31进入排气管3中排出，降低反应后的气体流到其他反应层造成的相互影响上，保证每个镀件10充分的接触从进气口21进入的新鲜气体，提高反应速度和产品品质。【附图说明】下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步详细说明，其中：图1是本专利技术的结构示意图；图2是本专利技术的单排进气管与相关的排气管的组合结构示意图；图3是本专利技术的进气管、排气管和加热棒的组合结构的主视图；图4是本专利技术的进气管、排气管、加热棒和磁场发生装置的组合结构的俯视图。【具体实施方式】下面结合附图对本专利技术作进一步描述：如图1至图4所示的一种常压多层CVD反应器，包括用于放置镀件10并供镀件10在内进行气相反应的炉体1，所述炉体1优选常压箱式结构，使用温度200-900℃，所述炉体1内设有进气管2和排气管3，所述进气管2左右横向放置并沿上下方向设有多个，上下相邻两个所述进气管2之间形成用于放置镀件10的反应层4，并且上下进气管2上相对镀件10的位置分别设有一组朝向镀件10的进气口21，所述进气管2的前后两侧分别设有排气管3，所述排气管3纵向设置，所述排气管3上与每个反应层4相对的位置处分别设有一组排气口31，所述炉体1内还设有用于分别给每个反应层4加热的加热装置，所述常压多层CVD反应器还包括用于与每个镀件10电连接并向镀件10加载电磁场的磁场发生装置。多个所述进气管2左右横着并上下排列在炉体1内，形成多层反应层4，在每个反应层4内装入镀件10，炉体1包括放置镀件10的支承结构，该支撑结构为现有结构，可以是卡槽或者挂钩等，所述进气管2外接供气设备，如天然气热丝分解炉11，天然气经天然气热丝分解炉11后进入多个所述进气管2，每个反应层4间的上进气管2位于镀件10上侧的进气口21进气，下进气管2位于镀件10下侧的进气口21进气，实现分层进气，使每个反应层4进气充分均匀，且镀件10上下两侧供气均衡；所述加热装置分别给每个反应层4加热进行分层温控，使每个反应层4加热均匀，每个镀件10的反应温度一致性好；并通过磁场发生装置给每个镀件10加载电磁场，以促进催化剂生长，提升效率；气体从进气口21进入反应层4，流经镀件10反应后从每层相对的排气口31进入排气管3中排出，降低反应后的气体流到其他反应层造成的相互影响上，保证每个镀件10充分的接触从进气口21进入的新鲜气体，提高反应速度和产品品质。上述CVD反应器采用分层通气体，分层排气，分层温控，对多个镀件10同时进行CVD反应，生产效率高，可在常压形式进行CVD反应，而且结构简单，造价低，设备易于制造。该CVD反应器可进行大、小片工件，单、双面材料的镀膜工艺，单面材料镀膜时，将两个工件不需要镀膜的一面贴靠，工件需要镀膜的一面朝外，形成一个镀件10，放入反应层4进行CVD反应即可。优选地，所述气体为无腐蚀性气体，所述进气管2为不锈钢管，所述排气管3为石英玻璃管。优选地，每个反应层4能够横向排列放置多个镀件10，每个所述进气管2上沿左右方向设有多组分别对应多个镀件10的进气口21，位于所述进气管2前后两侧的排气管3各设有一排，每排的排气管3有多个，形成单排多列的反应结构，提高一次生产的件数，提高生产效率。优选地，每个镀件10的周围均设有4个排气管3，其中两个排气管3位于前排，另外两个排气管3位于后排，使每个镀件10周围的进气和排气系统相对均衡，更进一步地，所述排气口31位于上下相邻两个进气管2的中间位置，使镀件10上下两侧的进气和排气系统相均衡，以保证镀件10上下两侧镀膜的均衡性。为便于各个不同方位的气体进入排气管3，每组所述排气本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种常压多层CVD反应器，包括用于放置镀件(10)并供镀件(10)在内进行气相反应的炉体(1)，所述炉体(1)内设有进气管(2)和排气管(3)，其特征在于：所述进气管(2)左右横向放置并沿上下方向设有多个，上下相邻两个所述进气管(2)之间形成用于放置镀件(10)的反应层(4)，并且上下进气管(2)上相对镀件(10)的位置分别设有一组朝向镀件(10)的进气口(21)，所述进气管(2)的前后两侧分别设有排气管(3)，所述排气管(3)纵向设置，所述排气管(3)上与每个反应层(4)相对的位置处分别设有一组排气口(31)，所述炉体(1)内还设有用于分别给每个反应层(4)加热的加热装置，所述常压多层CVD反应器还包括用于与每个镀件(10)电连接并向镀件(10)加载电磁场的磁场发生装置。

【技术特征摘要】
1.一种常压多层CVD反应器，包括用于放置镀件(10)并供镀件(10)在内进行气相反应的炉体(1)，所述炉体(1)内设有进气管(2)和排气管(3)，其特征在于：所述进气管(2)左右横向放置并沿上下方向设有多个，上下相邻两个所述进气管(2)之间形成用于放置镀件(10)的反应层(4)，并且上下进气管(2)上相对镀件(10)的位置分别设有一组朝向镀件(10)的进气口(21)，所述进气管(2)的前后两侧分别设有排气管(3)，所述排气管(3)纵向设置，所述排气管(3)上与每个反应层(4)相对的位置处分别设有一组排气口(31)，所述炉体(1)内还设有用于分别给每个反应层(4)加热的加热装置，所述常压多层CVD反应器还包括用于与每个镀件(10)电连接并向镀件(10)加载电磁场的磁场发生装置。2.根据权利要求1所述的一种常压多层CVD反应器，其特征在于：每个所述进气管(2)上沿左右方向设有多组分别对应多个镀件(10)的进气口(21)，位于所述进气管(2)前后两侧的排气管(3)各设有一排，每排的排气管(3)有多个。3.根据权利要求2所述的一种常压多层CVD反应器，其特征在于：每个镀件(10)的周围均设有4个排气管(3)，其中两个排气管(3)位于前排，另外两个排气管(3)位于后排。4.根据权利要求1所述的一种常压多层CVD...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨少明，其他发明人请求不公开姓名，
申请(专利权)人：广东双虹新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44