语音合成集成电路制造技术

本发明专利技术涉及一种语音合成集成电路，包括直流电源、第一电容、第二电容、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、按钮开关、第一二极管、第二二极管、扬声器、语音合成集成芯片、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻和第九电阻。本发明专利技术为一种语音合成集成电路，具有电路结构简单、采用元件少、体积小、成本低和容易制作等优点，而且合成的音量音质和音量都很好，运用范围广。

【技术实现步骤摘要】
语音合成集成电路
本专利技术涉及一种集成电路，尤其涉及一种语音合成集成电路。
技术介绍
现有技术中的语音合成集成电路，电路结构复杂、采用元件多、体积庞大，制作成本高并且不容易制作，而且语音合成集成电路中扬声器的音量小，运用性不强。
技术实现思路
本专利技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种语音合成集成电路。本专利技术通过以下技术方案来实现上述目的：本专利技术包括直流电源、第一电容、第二电容、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、按钮开关、第一二极管、第二二极管、扬声器、语音合成集成芯片、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻和第九电阻，所述直流电源的正极同时与所述第一电阻的第一端、所述按钮开关的第一端和所述第二电阻的第一端连接，所述直流电源的负极同时与所述第一电容的第一端和所述第三电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端同时与所述第一电容的第二端和所述语音合成集成芯片的振荡输入端连接，所述第二电阻的第二端同时与所述第一三极管的集电极和所述第三三极管的集电极连接，所述第三电阻的第二端同时与所述第二三极管的发射极、所述语音合成集成芯片的电源负极端和所述第四三极管的发射极连接，所述第四电阻的第一端与所述第一二极管的负极连接，所述第四电阻的第二端与所述第九电阻的第一端连接，所述第五电阻的第一端同时与所述语音合成集成芯片的第一输出端和所述第一二极管的正极连接，所述第五电阻的第二端与所述第一三极管的基极连接，所述第六电阻的第一端与所述语音合成集成芯片的第二输出端和所述第二二极管的正极连接，所述第六电阻的第二端与所述第二三极管的基极连接，所述第七电阻的第一端与所述第二二极管的负极连接，所述第七电阻的第二端与所述第八电阻的第一端连接，所述第八电阻的第二端与所述第三三极管的基极连接，所述第九电阻的第二端与所述第四三极管的基极连接，所述按钮开关的第二端与所述语音合成集成芯片的触发端连接，所述第一三极管的发射极同时与所述第二三极管的集电极、所述扬声器的第一端和所述第二电容的第一端连接，所述第三三极管的发射极与所述第四三极管的集电极连接，所述第二电容的第二端与所述扬声器的第二端连接。本专利技术的有益效果在于：本专利技术为一种语音合成集成电路，具有电路结构简单、采用元件少、体积小、成本低和容易制作等优点，而且合成的音量音质和音量都很好，运用范围广。附图说明图1是本专利技术的电路结构原理图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图和具体实施例对本专利技术做进一步说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1所示：本专利技术包括直流电源E、第一电容C1、第二电容C2、第一三极管VT1、第二三极管VT2、第三三极管VT3、第四三极管VT4、按钮开关SB、第一二极管VD1、第二二极管VD2、扬声器BL、语音合成集成芯片IC、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8和第九电阻R9，直流电源E的正极同时与第一电阻R1的第一端、按钮开关SB的第一端和第二电阻R2的第一端连接，直流电源E的负极同时与第一电容C1的第一端和第三电阻R3的第一端连接，第一电阻R1的第二端同时与第一电容C1的第二端和语音合成集成芯片IC的振荡输入端连接，第二电阻R2的第二端同时与第一三极管VT1的集电极和第三三极管VT3的集电极连接，第三电阻R3的第二端同时与第二三极管VT2的发射极、语音合成集成芯片IC的电源负极端和第四三极管VT4的发射极连接，第四电阻R4的第一端与第一二极管VD1的负极连接，第四电阻R4的第二端与第九电阻R9的第一端连接，第五电阻R5的第一端同时与语音合成集成芯片IC的第一输出端和第一二极管VD1的正极连接，第五电阻R5的第二端与第一三极管VT1的基极连接，第六电阻R6的第一端与语音合成集成芯片IC的第二输出端和第二二极管VD2的正极连接，第六电阻R6的第二端与第二三极管VT2的基极连接，第七电阻R7的第一端与第二二极管VD2的负极连接，第七电阻R7的第二端与第八电阻R8的第一端连接，第八电阻R8的第二端与第三三极管VT3的基极连接，第九电阻R9的第二端与第四三极管VT4的基极连接，按钮开关SB的第二端与语音合成集成芯片IC的触发端连接，第一三极管VT1的发射极同时与第二三极管VT2的集电极、扬声器BL的第一端和第二电容C2的第一端连接，第三三极管VT3的发射极与第四三极管VT4的集电极连接，第二电容C2的第二端与扬声器BL的第二端连接。以上所述实施例仅表达了本专利技术的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本专利技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本专利技术的保护范围。因此，本专利技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种语音合成集成电路，其特征在于：包括直流电源、第一电容、第二电容、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、按钮开关、第一二极管、第二二极管、扬声器、语音合成集成芯片、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻和第九电阻，所述直流电源的正极同时与所述第一电阻的第一端、所述按钮开关的第一端和所述第二电阻的第一端连接，所述直流电源的负极同时与所述第一电容的第一端和所述第三电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端同时与所述第一电容的第二端和所述语音合成集成芯片的振荡输入端连接，所述第二电阻的第二端同时与所述第一三极管的集电极和所述第三三极管的集电极连接，所述第三电阻的第二端同时与所述第二三极管的发射极、所述语音合成集成芯片的电源负极端和所述第四三极管的发射极连接，所述第四电阻的第一端与所述第一二极管的负极连接，所述第四电阻的第二端与所述第九电阻的第一端连接，所述第五电阻的第一端同时与所述语音合成集成芯片的第一输出端和所述第一二极管的正极连接，所述第五电阻的第二端与所述第一三极管的基极连接，所述第六电阻的第一端与所述语音合成集成芯片的第二输出端和所述第二二极管的正极连接，所述第六电阻的第二端与所述第二三极管的基极连接，所述第七电阻的第一端与所述第二二极管的负极连接，所述第七电阻的第二端与所述第八电阻的第一端连接，所述第八电阻的第二端与所述第三三极管的基极连接，所述第九电阻的第二端与所述第四三极管的基极连接，所述按钮开关的第二端与所述语音合成集成芯片的触发端连接，所述第一三极管的发射极同时与所述第二三极管的集电极、所述扬声器的第一端和所述第二电容的第一端连接，所述第三三极管的发射极与所述第四三极管的集电极连接，所述第二电容的第二端与所述扬声器的第二端连接。...

【技术特征摘要】
1.一种语音合成集成电路，其特征在于：包括直流电源、第一电容、第二电容、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、按钮开关、第一二极管、第二二极管、扬声器、语音合成集成芯片、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻和第九电阻，所述直流电源的正极同时与所述第一电阻的第一端、所述按钮开关的第一端和所述第二电阻的第一端连接，所述直流电源的负极同时与所述第一电容的第一端和所述第三电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端同时与所述第一电容的第二端和所述语音合成集成芯片的振荡输入端连接，所述第二电阻的第二端同时与所述第一三极管的集电极和所述第三三极管的集电极连接，所述第三电阻的第二端同时与所述第二三极管的发射极、所述语音合成集成芯片的电源负极端和所述第四三极管的发射极连接，所述第四电阻的第一端与所述第一二极管的负极连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪越，
申请(专利权)人：仪征市坤翎铝业有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32