一种锑化镓单晶片侧边打磨设备制造技术

本发明专利技术涉及一种锑化镓单晶片侧边打磨设备，包括底座，其左上端设置有柜体，柜体的上端设置有支撑架，支撑架上安装有侧面打磨机构；侧面打磨机构包括第一电机、与第一电机输出轴相连的转轴、设置在转轴末端的打磨盘；底座的上端设置有固定板，固定板上固定设置支撑座，支撑座上设置有直线导轨，直线导轨上安装有升降座，升降座与升降机构连接实现上下升降，升降座上设置有第二电机，第二电机的输出轴连接真空吸盘，锑化镓单晶片安装在真空吸盘上。本发明专利技术能够对2‑5mm厚的锑化镓单晶片进行快速夹装和对锑化镓单晶片侧面进行快速打磨，打磨效果好，效率高，解决了传统手工打磨不均，打磨效率低等缺陷。

【技术实现步骤摘要】
一种锑化镓单晶片侧边打磨设备
本专利技术涉及一种锑化镓单晶片侧边打磨设备。
技术介绍
锑化镓是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,对它的研究远不如其他半导体材料(如GaAs,InP等)那样深入。但近些年来这种材料越来越引起人们兴趣,这主要是光纤通信技术的发展,对新器件的潜在需求而引起的。在光通信中为了减少传输中的损耗,总是尽可能采用较长波长的光,最早使用0.8μm波长的光,现在使用1.55μm波长的光。据估计下一代光纤通信将采用更长波长的光。研究表明某些非硅材料光纤在波长为(2～4)μm的范围时传输损耗更小。在所有Ⅲ-Ⅴ族材料中,锑化镓作为衬底材料引起了更多的注意,因为它可以与各种Ⅲ-Ⅴ族材料的三元、四元固熔体合金的晶格常数相匹配,这些材料光谱的范围在(0.8～4.0)μm之间,正好符合要求。另外,利用锑化镓基材料超晶格的带间吸收也可以制造更长波长(8～14)μm范围的探测器。现有仪器中对锑化镓单晶片表面光滑度越来越讲究，而对锑化镓单晶片表面的打磨大多采用手工打磨，手工打磨存在打磨不均匀，打磨效率低等缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对以上问题，提供一种锑化镓单晶片侧边打磨设备，结构简单，自动化程度高，能够对2-5mm厚的锑化镓单晶片进行快速夹装和对锑化镓单晶片侧面进行快速打磨，打磨效果好，效率高，解决了传统手工打磨不均，打磨效率低等缺陷。为实现以上目的，本专利技术采用的技术方案是：它包括底座，其左上端设置有柜体，柜体的上端设置有支撑架，支撑架上安装有侧面打磨机构；侧面打磨机构包括第一电机、与第一电机输出轴相连的转轴、设置在转轴末端的打磨盘；底座的上端设置有固定板，固定板上固定设置支撑座，支撑座上设置有直线导轨，直线导轨上安装有升降座，升降座与升降机构连接实现上下升降，升降座上设置有第二电机，第二电机的输出轴连接真空吸盘，锑化镓单晶片安装在真空吸盘上。进一步的，升降机构包括滚珠丝杆和第三电机，滚珠丝杆与第三电机的输出轴连接，滚珠丝杆的螺母与升降座固定连接。进一步的，固定板通过螺栓连接在底座上，且固定板在底座上左右位置可以进行调节。进一步的，第一电机和真空吸盘的顶部设置有保护罩。本专利技术的有益效果：本专利技术提供了一种锑化镓单晶片侧边打磨设备，结构简单，自动化程度高，能够对2-5mm厚的锑化镓单晶片进行快速夹装和对锑化镓单晶片侧面进行快速打磨，打磨效果好，效率高，解决了传统手工打磨不均，打磨效率低等缺陷。本专利技术第三电机旋转带动滚珠丝杆旋转，使升降座上下升降，升降座上升过程中的同时，第一电机带动打磨盘高速旋转，锑化镓单晶片在上升过程中实现侧面快速打磨，提高了生产效率。本专利技术中固定板通过螺栓连接在底座上，且固定板在底座上左右位置可以进行调节，该结构的设置可以调节固定板在底座上的位置，从而实现锑化镓单晶片的侧面打磨厚度的调节。附图说明图1为本专利技术的结构示意图。图中所述文字标注表示为：1、第三电机；2、固定板；3、第二电机；4、底座；7、柜体；9、支撑架；10、第一电机；11、转轴；12、打磨盘；13、吸尘罩；14、锑化镓单晶片；15、真空吸盘；16、直线导轨；17、滚珠丝杆；18、升降座；19、支撑座；20、保护罩。具体实施方式为了使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图对本专利技术进行详细描述，本部分的描述仅是示范性和解释性，不应对本专利技术的保护范围有任何的限制作用。如图1所示，本专利技术的具体结构为：它包括底座4，其左上端设置有柜体7，柜体7的上端设置有支撑架9，支撑架9上安装有侧面打磨机构；侧面打磨机构包括第一电机10、与第一电机10输出轴相连的转轴11、设置在转轴11末端的打磨盘12；底座4的上端设置有固定板2，固定板2上固定设置支撑座19，支撑座19上设置有直线导轨16，直线导轨16上安装有升降座18，升降座18与升降机构连接实现上下升降，升降座18上设置有第二电机3，第二电机3的输出轴连接真空吸盘15，锑化镓单晶片14安装在真空吸盘15上。优选的，升降机构包括滚珠丝杆17和第三电机1，滚珠丝杆17与第三电机1的输出轴连接，滚珠丝杆17的螺母与升降座18固定连接。优选的，固定板2通过螺栓连接在底座4上，且固定板2在底座4上左右位置可以进行调节。优选的，第一电机10和真空吸盘15的顶部设置有保护罩20。本专利技术与现有技术相比，具有以下方面的优势：本专利技术结构简单，自动化程度高，能够对2-5mm厚的锑化镓单晶片进行快速夹装和对锑化镓单晶片侧面进行快速打磨，同时打磨过程产生的粉尘可以被吸尘装置吸收，保护了周边的生产环境。本专利技术第三电机旋转带动滚珠丝杆旋转，使升降座上下升降，升降座上升过程中的同时，第一电机带动打磨盘高速旋转，锑化镓单晶片在上升过程中实现侧面快速打磨，提高了生产效率。本专利技术中固定板通过螺栓连接在底座上，且固定板在底座上左右位置可以进行调节，该结构的设置可以调节固定板在底座上的位置，从而实现锑化镓单晶片的侧面打磨厚度的调节。需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。本文中应用了具体个例对本专利技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实例的说明只是用于帮助理解本专利技术的方法及其核心思想。以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，由于文字表达的有限性，而客观上存在无限的具体结构，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进、润饰或变化，也可以将上述技术特征以适当的方式进行组合；这些改进润饰、变化或组合，或未经改进将专利技术的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种锑化镓单晶片侧边打磨设备，其特征在于，它包括底座(4)，其左上端设置有柜体(7)，柜体(7)的上端设置有支撑架(9)，支撑架(9)上安装有侧面打磨机构；侧面打磨机构包括第一电机(10)、与第一电机(10)输出轴相连的转轴(11)、设置在转轴(11)末端的打磨盘(12)；底座(4)的上端设置有固定板(2)，固定板(2)上固定设置支撑座(19)，支撑座(19)上设置有直线导轨(16)，直线导轨(16)上安装有升降座(18)，升降座(18)与升降机构连接实现上下升降，升降座(18)上设置有第二电机(3)，第二电机(3)的输出轴连接真空吸盘(15)，锑化镓单晶片(14)安装在真空吸盘(15)上。

【技术特征摘要】
1.一种锑化镓单晶片侧边打磨设备，其特征在于，它包括底座(4)，其左上端设置有柜体(7)，柜体(7)的上端设置有支撑架(9)，支撑架(9)上安装有侧面打磨机构；侧面打磨机构包括第一电机(10)、与第一电机(10)输出轴相连的转轴(11)、设置在转轴(11)末端的打磨盘(12)；底座(4)的上端设置有固定板(2)，固定板(2)上固定设置支撑座(19)，支撑座(19)上设置有直线导轨(16)，直线导轨(16)上安装有升降座(18)，升降座(18)与升降机构连接实现上下升降，升降座(18)上设置有第二电机(3)，第二电机(3)的输出轴连接真空吸盘...

【专利技术属性】
技术研发人员：王歆，吴秀丽，陈琳，
申请(专利权)人：湖南大合新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43