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堆叠嵌入式封装结构制造技术

技术编号:20687569 阅读:42 留言:0更新日期:2019-03-27 20:44
本实用新型专利技术揭示了一种堆叠嵌入式封装结构,封装结构包括:封装基板,具有相对设置的基板上表面及基板下表面,封装基板具有腔室;第一芯片,设置于腔室内,第一下表面具有若干第一电极;第二芯片,设置于封装基板的上方,第二下表面具有若干第二电极;若干互连结构,用于导通若干第一电极及若干第二电极,且部分互连结构贯穿第一芯片而导通第一电极。本实用新型专利技术利用封装技术将两个不同的芯片封装于同一封装基板,可以实现多芯片的高度集成,提高封装基板的利用率,且将半导体芯片封装及半导体封装体同时在封装基板完成封装加工,省略了两者复杂、繁琐的标准和工艺对接,减少电子制造的流通中转,节约人力物力,可进一步降低电子产品的成本。

【技术实现步骤摘要】
堆叠嵌入式封装结构
本技术涉及半导体封装领域,尤其涉及一种堆叠嵌入式封装结构。
技术介绍
堆叠式半导体芯片封装是实现微型高密度系统级封装的一种重要3D封装形式,它有利于提高封装集成度和封装器件性能。目前,业内有如下主要结构和工艺方法实现堆叠式芯片互连:(1)首先完成裸芯片的多层堆叠,再通过引线的方式进行相关多芯片电气互连以完成基本的堆叠芯片系统互连;(2)半导体封装器件在线路板上的组装通常采用表面贴装工艺完成。上述现有工艺存在的不足之处在于:(1)半导体电子封装和半导体封装器件之间对接标准和工艺是复杂和繁琐的;(2)在表面贴装上,通常通过焊锡连接将半导体封装器件与线路板进行电气互连;(3)目前表面贴装的焊锡连接需要半导体封装器件的焊盘和焊盘间距较大,如焊盘/间距分别为280微米/400微米,不够精密,而且焊锡连接需要进行较为复杂的焊锡回流工艺控制;(4)半导体封装器件在线路板上使用表面贴装的方式进行组装,由于半导体封装器件面积加大,将占据线路板较大的表面面积,阻碍半导体封装器件组装的微型化发展。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种堆叠嵌入式封装结构。为实现上述技术目的之一,本技术一实施方式提供一种堆叠嵌入式封装结构,包括:封装基板,具有相对设置的基板上表面及基板下表面,所述封装基板具有腔室;第一芯片,设置于所述腔室内,所述第一芯片具有相对设置的第一上表面及第一下表面,所述第一上表面与所述基板上表面位于同侧,且所述第一下表面具有若干第一电极;第二芯片,设置于所述封装基板的上方,所述第二芯片具有相对设置的第二上表面及第二下表面,所述第二下表面与所述基板上表面面对面设置,且所述第二下表面具有若干第二电极;若干互连结构,用于导通若干第一电极及若干第二电极,且部分所述互连结构贯穿所述第一芯片而导通第一电极。作为本技术一实施方式的进一步改进,所述第一上表面与所述基板上表面齐平。作为本技术一实施方式的进一步改进,所述基板下表面的一侧具有若干外部引脚,所述封装基板具有若干通孔,所述互连结构通过所述通孔而导通所述第一电极、所述第二电极及所述外部引脚。作为本技术一实施方式的进一步改进,所述互连结构包括金属柱及电镀层结构,所述金属柱连接于所述第二电极的下方,所述电镀层结构包括相互导通的上重布线层及下重布线层,所述上重布线层位于所述封装基板的上方且连接所述金属柱,且所述上重布线层通过所述第一芯片上的孔洞导通所述第一电极,所述下重布线层通过所述通孔导通所述上重布线层,且所述下重布线层延伸至所述封装基板的下方而导通所述第一电极及所述外部引脚。作为本技术一实施方式的进一步改进,所述下重布线层包括第一下重布线层及第二下重布线层,所述封装结构包括第一绝缘层、第二绝缘层及第三绝缘层,所述第一绝缘层包覆所述基板下表面及所述第一下表面,所述第一下重布线层位于所述第一绝缘层的下方并通过所述第一绝缘层的孔洞及通孔导通所述第一电极及所述上重布线层,所述第二绝缘层包覆所述第一绝缘层及所述第一下重布线层,所述第二下重布线层位于所述第二绝缘层的下方并通过所述第二绝缘层的孔洞导通所述第一下重布线层,所述外部引脚连接所述第二下重布线层,所述第三绝缘层包覆所述第二下重布线层及所述第二绝缘层并暴露出所述外部引脚。作为本技术一实施方式的进一步改进,所述上重布线层连接所述基板上表面及所述第一上表面,所述封装结构还包括位于所述封装基板远离所述基板下表面的一侧的第一塑封层,所述第一塑封层包覆所述第二芯片的周围区域。作为本技术一实施方式的进一步改进,所述第一芯片与所述腔室的间隙处设有第二塑封层。与现有技术相比,本技术的有益效果在于:本技术一实施方式的利用封装技术将两个不同的芯片封装于同一封装基板,可以实现多芯片的高度集成,提高封装基板的利用率,进而实现封装结构的小型化,第一芯片内嵌设置于腔室中,使得封装基板的表面面积得到充分释放,可以实现系统组装面积大幅缩减,缩减比例可以超过50%,将半导体芯片封装及半导体封装体同时在封装基板完成封装加工,省略了以往两者之间复杂、繁琐的标准和工艺对接,减少电子制造的流通中转,节约人力物力,可进一步降低电子产品的成本。附图说明图1是本技术一实施方式的堆叠嵌入式封装结构示意图;图2是本技术一实施方式的堆叠嵌入式封装结构的制造方法步骤图;图3a至图3z-5是本技术一实施方式的堆叠嵌入式封装结构的制造方法的示意图。具体实施方式以下将结合附图所示的具体实施方式对本技术进行详细描述。但这些实施方式并不限制本技术,本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本技术的保护范围内。在本申请的各个图示中,为了便于图示,结构或部分的某些尺寸会相对于其它结构或部分夸大,因此,仅用于图示本申请的主题的基本结构。另外,本文使用的例如“上”、“上方”、“下”、“下方”等表示空间相对位置的术语是出于便于说明的目的来描述如附图中所示的一个单元或特征相对于另一个单元或特征的关系。空间相对位置的术语可以旨在包括设备在使用或工作中除了图中所示方位以外的不同方位。例如,如果将图中的设备翻转,则被描述为位于其他单元或特征“下方”或“之下”的单元将位于其他单元或特征“上方”。因此,示例性术语“下方”可以囊括上方和下方这两种方位。设备可以以其他方式被定向(旋转90度或其他朝向),并相应地解释本文使用的与空间相关的描述语。参图1,为本技术一实施方式的堆叠嵌入式封装结构100的剖视图。封装结构100包括封装基板10、第一芯片20、第二芯片30及若干互连结构40。封装结构100为半导体封装体。封装基板10具有相对设置的基板上表面11及基板下表面12,封装基板10具有腔室101。这里,封装基板10为承载芯片的承载板,封装基板10可以是有机树脂制成的印刷电路板,也可以是玻璃基板或陶瓷基板等等。腔室101可以是贯穿封装基板10的贯穿孔,但不以此为限。第一芯片20设置于腔室101内,第一芯片20具有相对设置的第一上表面21及第一下表面22,第一上表面21与基板上表面11位于同侧,且第一下表面22具有若干第一电极221。第一电极221朝远离第一上表面21的方向凸伸出第一下表面22,但不以此为限。第二芯片30设置于封装基板10的上方,第二芯片30具有相对设置的第二上表面31及第二下表面32,第二下表面32与基板上表面11面对面设置,且第二下表面32具有若干第二电极321。第二电极321朝远离第二上表面31的方向凸伸出第二下表面32,但不以此为限。若干互连结构40用于导通若干第一电极221及若干第二电极321,且部分互连结构40贯穿第一芯片20而导通第一电极221。这里,“若干互连结构40用于导通若干第一电极221及若干第二电极321”是指第一电极221与第二电极321之间电性连接,即实现第二芯片30与第一芯片20的互连。“部分互连结构40贯穿第一芯片20而导通第一电极221”是指至少部分互连结构40是由第一上表面21延伸至第一下表面22而导通至少部分第一电极221的。本实施方式利用封装技术将两个不同的芯片(第一芯片20及第二芯片30)封装于同一封装基板10,可以实现多芯片的高度集本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种堆叠嵌入式封装结构,其特征在于,包括:封装基板,具有相对设置的基板上表面及基板下表面,所述封装基板具有腔室;第一芯片,设置于所述腔室内,所述第一芯片具有相对设置的第一上表面及第一下表面,所述第一上表面与所述基板上表面位于同侧,且所述第一下表面具有若干第一电极;第二芯片,设置于所述封装基板的上方,所述第二芯片具有相对设置的第二上表面及第二下表面,所述第二下表面与所述基板上表面面对面设置,且所述第二下表面具有若干第二电极;若干互连结构,用于导通若干第一电极及若干第二电极,且部分所述互连结构贯穿所述第一芯片而导通第一电极。

【技术特征摘要】
1.一种堆叠嵌入式封装结构,其特征在于,包括:封装基板,具有相对设置的基板上表面及基板下表面,所述封装基板具有腔室;第一芯片,设置于所述腔室内,所述第一芯片具有相对设置的第一上表面及第一下表面,所述第一上表面与所述基板上表面位于同侧,且所述第一下表面具有若干第一电极;第二芯片,设置于所述封装基板的上方,所述第二芯片具有相对设置的第二上表面及第二下表面,所述第二下表面与所述基板上表面面对面设置,且所述第二下表面具有若干第二电极;若干互连结构,用于导通若干第一电极及若干第二电极,且部分所述互连结构贯穿所述第一芯片而导通第一电极。2.根据权利要求1所述的堆叠嵌入式封装结构,其特征在于,所述第一上表面与所述基板上表面齐平。3.根据权利要求1所述的堆叠嵌入式封装结构,其特征在于,所述基板下表面的一侧具有若干外部引脚,所述封装基板具有若干通孔,所述互连结构通过所述通孔而导通所述第一电极、所述第二电极及所述外部引脚。4.根据权利要求3所述的堆叠嵌入式封装结构,其特征在于,所述互连结构包括金属柱及电镀层结构,所述金属柱连接于所述第二电极的下方,所述电镀层结构包括相互导通的上重布线层及下重布线层,所述上重布线层位于所述封装基板的上方且连接所述金属柱,且所述上重布...

【专利技术属性】
技术研发人员:蔡亲佳
申请(专利权)人:蔡亲佳
类型:新型
国别省市:江苏,32

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