一种单晶硅片多片单面腐蚀装置制造方法及图纸

一种单晶硅片多片单面腐蚀装置，涉及硅片技术领域，包括卡块、支撑板、立柱、旋钮、固定圈、第一卡槽、第二卡槽、固定杆和螺纹，在支撑板上设有立柱，立柱的两端分别设有卡块和固定杆，固定杆上设有旋钮、螺纹和固定圈，固定圈上设有第一卡槽和第二卡槽；本实用新型专利技术结构简单、实用性强，不但可以在工作中减轻工作人员的工作量，而且快速高效地完成了多片硅片的单面腐蚀工作，有效降低了生产成本，提高了生产效率。

A Single Side Corrosion Device for Single Crystal Silicon Wafers

A single-sided etching device for single crystal silicon wafers involves the technical field of silicon wafers, including clamps, supporting plates, pillars, knobs, fixing rings, first chuck, second chuck, fixing rods and threads. On the support plate, there are pillars, clamps and fixing rods at both ends of the pillars, knobs, threads and fixing rings on the fixing rings, and first chuck and second chuck on the fixing rings. The utility model has the advantages of simple structure and strong practicability, which can not only reduce the workload of workers, but also quickly and efficiently complete the single-sided corrosion work of multiple silicon wafers, effectively reduce the production cost and improve the production efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅片多片单面腐蚀装置
本技术涉及硅片
，尤其是涉及一种单晶硅片多片单面腐蚀装置。
技术介绍
公知的，硅片腐蚀是利用氢氧化钠对多晶硅腐蚀作用，去除硅片在多线切割锯切片时产生的表面损伤层，同时利用氢氧化钠对硅腐蚀的各向异性，争取表面较低反射率较低的表面织构，目前硅片在进行腐蚀处理的时候通常是将硅片直接投放到腐蚀液中去，然而有些程序中硅片的使用和后续的工艺中只需要硅片的单面处理，例如研制各种微型传感器、微执行器和微机械结构等，因此，在腐蚀这一步骤中只需要进行单面腐蚀就可以满足硅片的使用，并且双面腐蚀降低了硅片的厚度、浪费了化学品药液，最终导致了整个生产工艺的能耗高、效率低。
技术实现思路
为了克服
技术介绍
中的不足，本技术公开了一种单晶硅片多片单面腐蚀装置，本技术通过在支撑板上设置多个立柱，在立柱上设置固定圈，在固定圈内设置第一卡槽和第二卡槽，以此来达到对多片硅片同时进行单面腐蚀的目的。为了实现所述技术目的，本技术采用如下技术方案：一种单晶硅片多片单面腐蚀装置，包括卡块、支撑板、立柱、旋钮、固定圈、第一卡槽、第二卡槽、固定杆和螺纹，在支撑板上设有立柱，立柱的两端分别设有卡块和固定杆，固定杆上设有旋钮、螺纹和固定圈，固定圈上设有第一卡槽和第二卡槽。所述支撑板为长方型结构，支撑板上设有若干个孔，孔内设有立柱。所述立柱为圆柱型结构，立柱的顶部面上设有卡块，卡块为长方型、多边型、圆型或椭圆型结构，卡块和立柱为一体结构，立柱穿过支撑板上的孔向下，卡块卡在支撑板上的孔的上部。所述立柱的底部设有固定杆，固定杆为圆柱型结构，固定杆的顶部面与立柱的底部面连接，固定杆和立柱处在同一直线上，固定杆的外侧壁上设有螺纹。所述固定杆的外部设有旋钮，旋钮为圆型结构，旋钮的中部设有孔，固定杆穿过旋钮上的孔与旋钮连接，旋钮上的孔的内壁设有与固定杆外壁的螺纹相匹配的螺纹。所述固定杆的底部设有固定圈，固定圈为圆环型结构，固定圈的外壁与固定杆呈垂直结构连接，固定圈的外壁上设有一个开口，固定杆设置在开口处的中点线上。所述固定圈的内壁上设有第一卡槽和第二卡槽，第一卡槽和第二卡槽均为圆型结构，第一卡槽和第二卡槽对称分布在固定圈的内壁上，第一卡槽和第二卡槽呈平行结构设置，第一卡槽和第二卡槽均与固定圈的侧边平行。由于采用了上述技术方案，本技术具有如下有益效果：本技术所述的一种单晶硅片多片单面腐蚀装置，包括卡块、支撑板、立柱、旋钮、固定圈、第一卡槽、第二卡槽、固定杆和螺纹，通过在支撑板上设置多个立柱，在立柱上设置固定圈，在固定圈内设置第一卡槽和第二卡槽，以此来达到对多片硅片同时进行单面腐蚀的目的；本技术结构简单、实用性强，不但可以在工作中减轻工作人员的工作量，而且快速高效地完成了多片硅片的单面腐蚀工作，有效降低了生产成本，提高了生产效率。附图说明图1为本技术的结构示意图；图2为本技术的固定圈的内壁结构示意图；图3为本技术固定圈与旋钮的连接结构示意图；图4为本技术旋钮与固定杆的连接结构示意图；图中：1、卡块；2、支撑板；3、立柱；4、旋钮；5、固定圈；6、第一卡槽；7、第二卡槽；8、固定杆；9、螺纹。具体实施方式通过下面的实施例可以详细的解释本技术，公开本技术的目的旨在保护本技术范围内的一切技术改进。结合附图1~4所述的一种单晶硅片多片单面腐蚀装置，包括卡块1、支撑板2、立柱3、旋钮4、固定圈5、第一卡槽6、第二卡槽7、固定杆8和螺纹9，在支撑板2上设有立柱3，立柱3的两端分别设有卡块1和固定杆8，固定杆8上设有旋钮4、螺纹9和固定圈5，固定圈5上设有第一卡槽6和第二卡槽7。所述支撑板2为长方型结构，支撑板2上设有若干个孔，孔内设有立柱3。所述立柱3为圆柱型结构，立柱3的顶部面上设有卡块1，卡块1为长方型、多边型、圆型或椭圆型结构，卡块1和立柱3为一体结构，立柱3穿过支撑板2上的孔向下，卡块1卡在支撑板2上的孔的上部。所述立柱3的底部设有固定杆8，固定杆8为圆柱型结构，固定杆8的顶部面与立柱3的底部面连接，固定杆8和立柱3处在同一直线上，固定杆8的外侧壁上设有螺纹9。所述固定杆8的外部设有旋钮4，旋钮4为圆型结构，旋钮4的中部设有孔，固定杆8穿过旋钮4上的孔与旋钮4连接，旋钮4上的孔的内壁设有与固定杆8外壁的螺纹9相匹配的螺纹。所述固定杆8的底部设有固定圈5，固定圈5为圆环型结构，固定圈5的外壁与固定杆8呈垂直结构连接，固定圈5的外壁上设有一个开口，固定杆8设置在开口处的中点线上。所述固定圈5的内壁上设有第一卡槽6和第二卡槽7，第一卡槽6和第二卡槽7均为圆型结构，第一卡槽6和第二卡槽7对称分布在固定圈5的内壁上，第一卡槽6和第二卡槽7呈平行结构设置，第一卡槽6和第二卡槽7均与固定圈5的侧边平行。实施例1，所述的一种单晶硅片多片单面腐蚀装置，在使用的时候，先在支撑板2上设置若干个孔，在孔内设置立柱3，在立柱3的顶部设置卡块1，使得立柱3通过卡块1固定在支撑板2上，然后在立柱3的底部设置固定杆8，在固定杆8上设置好螺纹9和旋钮4，在固定杆8的底部设置固定圈5，固定圈5内设有第一卡槽6和第二卡槽7，在每个固定圈5内放置两个硅片，使得两个硅片的边缘分别卡在第一卡槽6和第二卡槽7内，然后转动旋钮4，使得旋钮4在固定杆8上拧紧，旋钮4拧紧后固定圈5的开口处紧闭，就使得第一卡槽6和第二卡槽7内的硅片被固定，此时第一卡槽6和第二卡槽7内的硅片与固定圈5的内壁共同形成一个封闭的空间与外部隔绝，以上步骤全部设置好之后，通过操作支撑板2就可以将整个装置进行移动和翻转，最后通过将固定圈5浸入到腐蚀液里，使得固定圈5内的两个硅片相背的两个面分别与腐蚀液接触，而固定圈5内两个硅片相向的两个面与外部隔绝不会被腐蚀液浸泡，这样就完成了多个硅片同时进行单片腐蚀的操作了。本技术未详述部分为现有技术，尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本技术，具体实现该技术方案方法和途径很多，以上所述仅是本技术的优选实施方式，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本技术的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本技术做出各种变化，均为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶硅片多片单面腐蚀装置，包括卡块、支撑板、立柱、旋钮、固定圈、第一卡槽、第二卡槽、固定杆和螺纹，其特征是：在支撑板上设有立柱，立柱的两端分别设有卡块和固定杆，固定杆上设有旋钮、螺纹和固定圈，固定圈上设有第一卡槽和第二卡槽。

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅片多片单面腐蚀装置，包括卡块、支撑板、立柱、旋钮、固定圈、第一卡槽、第二卡槽、固定杆和螺纹，其特征是：在支撑板上设有立柱，立柱的两端分别设有卡块和固定杆，固定杆上设有旋钮、螺纹和固定圈，固定圈上设有第一卡槽和第二卡槽。2.根据权利要求1所述的一种单晶硅片多片单面腐蚀装置，其特征是：所述支撑板为长方型结构，支撑板上设有若干个孔，孔内设有立柱。3.根据权利要求1所述的一种单晶硅片多片单面腐蚀装置，其特征是：所述立柱为圆柱型结构，立柱的顶部面上设有卡块，卡块为长方型、多边型、圆型或椭圆型结构，卡块和立柱为一体结构，立柱穿过支撑板上的孔向下，卡块卡在支撑板上的孔的上部。4.根据权利要求1所述的一种单晶硅片多片单面腐蚀装置，其特征是：所述立柱的底部设有固定杆，固定杆为圆柱型结构，固定杆的顶部面与立柱的底部面连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐信富，郭金娥，周银平，杜亮，韩进军，王建伟，徐茂圣，苗战彪，
申请(专利权)人：洛阳市鼎晶电子材料有限公司，
类型：新型
国别省市：河南,41