一种水半夏的培植方法技术

一种水半夏的培植方法，是一种采用水半夏块茎组织培养为水半夏植株的工艺，通过预处理、初培、分化、生根、成株的流程来将水半夏块茎培养出水半夏植株。本发明专利技术培养流程短，植株成活率高，能很快的培养出大批优秀的幼苗植株，便于进行水半夏的大规模种植。

A Cultivation Method of Pinellia ternata

A cultivation method of Pinellia ternata is a process of using tuber tissue culture of Pinellia ternata as a plant of Pinellia ternata. The tuber of Pinellia ternata can be cultured into the plant of Pinellia ternata ternata through pretreatment, primary culture, differentiation, rooting and adult process. The cultivation process of the invention is short, the survival rate of the plant is high, and a large number of excellent seedling plants can be quickly cultivated, which is convenient for large-scale planting of Pinellia ternata.

【技术实现步骤摘要】
一种水半夏的培植方法
本专利技术涉及药材种植技术，尤其涉及水半夏的培养种植工艺。
技术介绍
水半夏又名土半夏、半夏、田七、三七，一般生于田边、山溪或低洼湿地，性温，味辛；有毒，主治燥湿，化痰，止咳。随着环境的恶劣和人们对中药材的掠夺性开采，天然的水半夏越来越少，为了保证我国中医中药材的正常供应，人们开始对水半夏进行人工种植。按照现有工艺，人们对水半夏幼苗的培植多采用无性繁殖，即将块茎种植下去，也有采用有性繁殖，即将水半夏种子培植出幼苗，但有性繁殖成活率低。但是，就现有的无性繁殖而言，培植工艺太过简单，受环境影响很大，水半夏块茎浪费严重，依然需要人们去寻找更好的培植方法。
技术实现思路
本专利技术所解决的技术问题在于提供一种水半夏的培植方法，以解决上述
技术介绍
中的缺点。本专利技术所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：一种水半夏的培植方法，是通过预处理、初培、分化、生根、成株的流程来将水半夏块茎培养出水半夏植株的，其具体流程如下：（1）预处理：选取干净无伤痕的水半夏块茎，清除表皮后，以酒精溶液浸洗1min，再用蒸馏水清洗至水半夏块茎上无酒精残留；（2）初培：将经过消毒清洗过的水半夏块茎切除外皮，切成0.5cm2的小块，接种于出芽培养基；（3）分化：水半夏块茎经过出芽培养基的培养后，会长出芽头，待芽头长成0.1~0.3cm高时，将水半夏块茎分切，使每个分切后的水半夏块茎上都有1~2个芽头，然后将这些水半夏块茎接种到新的出芽培养基中，使水半夏块茎上萌生芽头的地方长出新芽；（4）生根：待分化后的水半夏块茎上芽头生长至3~4cm时，移入生根培养基中培养，促进其生根；（5）成株：经过上步骤的培养，水半夏植株长成7~8cm时，其根系已经生长完全，即可移栽出去，培养时间在20天到一个月。在本专利技术中，所述出芽培养基为1L的MS培养基中，添加2mg的6-苄氨基嘌呤、0.3mg的α-萘乙酸、30g蔗糖和7g琼脂，混合均匀制成，pH为5.5~6。在本专利技术中，所述生根培养基为1L的MS培养基中，添加0.4mg的吲哚丁酸、0.3mg的α-萘乙酸、0.3g的活性炭、30g蔗糖和7g琼脂，混合均匀制成，pH为5.5~6。在本专利技术中，每个步骤中的培养环境为常温常压，正常光照。有益效果：本专利技术培养流程短，植株成活率高，能很快的培养出大批优秀的幼苗植株，便于进行水半夏的大规模种植。具体实施方式下面举实例对本专利技术进行详细描述。（1）预处理：选取干净无伤痕的水半夏块茎，清除表皮后，以75%de酒精溶液浸洗1min，再用蒸馏水清洗至水半夏块茎上无酒精残留；（2）初培：将经过消毒清洗过的水半夏块茎切除外皮，切成0.5cm2的小块，接种于出芽培养基。培养环境为温度25±5℃的常温，室外光照，光照时间8~12小时，培养时间15~20天；（3）分化：水半夏块茎经过出芽培养基的培养后，会长出芽头，每个块茎上大概4~6个芽头，待芽头长成0.1~0.3cm高时，将水半夏块茎分切，使每个分切后的水半夏块茎上都有1~2个芽头，然后将这些水半夏块茎接种到新的出芽培养基中，使水半夏块茎上萌生芽头的地方长出新芽。培养环境为温度25±5℃的常温，室外光照，光照时间8~12小时，培养时间15~20天；（4）生根：待分化后的水半夏块茎上芽头生长至3~4cm，并且有叶片展开时，移入生根培养基中培养，促进其生根。培养环境为温度25±5℃的常温，室外光照，光照时间8~12小时，培养时间20~30天；（5）成株：经过上步骤的培养，水半夏植株长成7~8cm时，其根系已经生长完全，即可移栽出去。以上显示和描述了本专利技术的基本原理和主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种水半夏的培植方法，其特征在于，是通过预处理、初培、分化、生根、成株的流程来将水半夏块茎培养出水半夏植株的，其具体流程如下：（1）预处理：选取干净无伤痕的水半夏块茎，清除表皮后，以酒精溶液浸洗1min，再用蒸馏水清洗至水半夏块茎上无酒精残留；（2）初培：将经过消毒清洗过的水半夏块茎切除外皮，切成0.5cm2 的小块，接种于出芽培养基；（3）分化：水半夏块茎经过出芽培养基的培养后，会长出芽头，待芽头长成0.1~0.3cm高时，将水半夏块茎分切，使每个分切后的水半夏块茎上都有1~2 个芽头，然后将这些水半夏块茎接种到新的出芽培养基中，使水半夏块茎上萌生芽头的地方长出新芽；（4）生根：待分化后的水半夏块茎上芽头生长至3~4cm 时，移入生根培养基中培养，促进其生根；（5）成株：经过上步骤的培养，水半夏植株长成7~8cm 时，其根系已经生长完全，即可移栽出去，培养时间在20 天到一个月。

【技术特征摘要】
1.一种水半夏的培植方法，其特征在于，是通过预处理、初培、分化、生根、成株的流程来将水半夏块茎培养出水半夏植株的，其具体流程如下：（1）预处理：选取干净无伤痕的水半夏块茎，清除表皮后，以酒精溶液浸洗1min，再用蒸馏水清洗至水半夏块茎上无酒精残留；（2）初培：将经过消毒清洗过的水半夏块茎切除外皮，切成0.5cm2的小块，接种于出芽培养基；（3）分化：水半夏块茎经过出芽培养基的培养后，会长出芽头，待芽头长成0.1~0.3cm高时，将水半夏块茎分切，使每个分切后的水半夏块茎上都有1~2个芽头，然后将这些水半夏块茎接种到新的出芽培养基中，使水半夏块茎上萌生芽头的地方长出新芽；（4）生根：待分化后的水半夏块茎上芽头生长至3...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵玉喜，
申请(专利权)人：赵玉喜，
类型：发明
国别省市：甘肃,62