The invention relates to a device and a method for bonding a substrate, in which the first substrate (3) is placed on the first receiving surface (2o) of the first receiving device (1) and the second receiving surface (2o') of the second receiving device (4) receives the second substrate (8); contacts the contact surface (3k, 8k) on the bonding initiation site (20); and travels along the bonding initiation site (20) to the side of the substrate (3, 8). The first substrate (3) and/or the second substrate (8) are deformed to align the contact surface (3k, 8k) at the starting point (20) before and/or during the bonding.
【技术实现步骤摘要】
用以接合衬底的装置及方法
本申请是申请号为201380031975.4、申请日为2013-05-29、专利技术名称为“用以接合衬底的装置及方法”的专利技术专利申请的分案申请。本专利技术是涉及一种用以将第一衬底接合至第二衬底的方法及一种对应的装置。
技术介绍
微电子及微系统工程中的几乎全部零件的不断发展的小型化提供全部技术的持续发展,使用该技术可增加衬底上的各种功能单元的密度。这种功能单元包含(例如)微控制器、内存组件、MEMS、各种传感器或微流体组件。在近几年已大程度改良用以增加这个功能单元的侧向密度的技术。在微电子或微系统工程的一些分支中即使迄今为止该功能单元的侧向密度的进一步增加是不再可能的。在微芯片生产中对于待平版印刷产生的结构的最大可达成分辨率限制已达极限。在几年后,实体或技术限制因此将不再允许功能单元的侧向密度的任何增加。近年来业界经由2.5D及3D技术的发展一直企图解决此问题。使用这个技术可使相同或甚至不同类型的功能单元彼此对准、使其互相堆叠、使其彼此永久结合且经由对应印刷电路使其彼此联网。用以实施这个结构的关键技术是永久接合。永久接合所定义的方法可使衬底彼此结合,使得其仅能经由高能量消耗及衬底的相关联破坏而分离。存在不同类型的永久接合。一种最重要永久接合的方法是熔化接合,也称为直接接合或分子接合。熔化接合定义为经由形成共价连接使两个衬底永久结合的过程。熔化接合主要形成于非金属无机材料的表面上。基本上,应区分预接合与实际永久接合。预接合定义为在两个表面接触时自发形成的表面的连接;其接合强度是小于经由随后热处理产生的永久接合的接合强度。然而,经由 ...
【技术保护点】
1.一种用以将第一衬底(3)和第二衬底(8)在衬底(3、8)的接触表面(3k、8k)上接合的方法,其具有以下步骤:‑在第一接纳设备(1)的第一接纳表面(2o)上接纳所述第一衬底(3)且在第二接纳设备(4)的第二接纳表面(2o')上接纳所述第二衬底(8),‑在接合起始位点(20)上接触所述接触表面(3k、8k),‑沿着自所述接合起始位点(20)行进至所述衬底(3、8)的侧边缘(3s、8s)的接合波将所述第一衬底(3)与所述第二衬底(8)接合,其特征在于:间接地通过在其中完成接合的氛围中的气体的成分和/或密度和/或温度来控制所述接合波。
【技术特征摘要】
1.一种用以将第一衬底(3)和第二衬底(8)在衬底(3、8)的接触表面(3k、8k)上接合的方法,其具有以下步骤:-在第一接纳设备(1)的第一接纳表面(2o)上接纳所述第一衬底(3)且在第二接纳设备(4)的第二接纳表面(2o')上接纳所述第二衬底(8),-在接合起始位点(20)上接触所述接触表面(3k、8k),-沿着自所述接合起始位点(20)行进至所述衬底(3、8)的侧边缘(3s、8s)的接合波将所述第一衬底(3)与所述第二衬底(8)接合,其特征在于:间接地通过在其中完成接合的氛围中的气体的成分和/或密度和/或温度来控制所述接合波。2.如权利要求1的方法,其中选择具有轻的原子类型的气体。3.如权利要求1的方法,其中所述第一衬底(3)和/或所述第二衬底(8)的变形取决于对于所述接合波的行进的给定影响因素来实现。4.如权利要求1的方法,其中所述接合起始位点(20)布置在所述接触表面(3k、8k)的中心。5.如权利要求1-4中任一项的方法,其中所述第一衬底(3)和/或所述第二衬底(8)的变形在侧向方向上实现。6.如权利要求1-4中任一项的方法,其中所述变形经由所述第一衬底(3)和/或所述第二衬底(8)的膨胀或压缩或弯曲而实现。7.如权利要求1-4中任一项的方法,其中所述衬底(3、8)的直径(d1、d2)彼此偏离小于5mm。8.如权利要求1-4中任一项的方法,其中所述变形经由机械致动构件和/或经由所述第一和/或第二接纳设备(1、4)的温度控制而发生。9.如权利要求1-4中任一项的方法,其中将所述第一衬底(3)和/或所述第二衬底...
【专利技术属性】
技术研发人员:T瓦根莱特纳,M温普林格,P林德纳,T普拉赫,F库尔茨,
申请(专利权)人:EV集团E·索尔纳有限责任公司,
类型:发明
国别省市:奥地利,AT
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