微发光二极管转移基板及转移方法、显示面板及制备方法技术

本申请公开了微发光二极管转移基板及转移方法、显示面板及制备方法，用以简化微发光二极管器件制备的工艺复杂度。本申请实施例提供的一种微发光二极管的转移基板，所述转移基板包括：第一衬底基板以及位于所述第一衬底基板之上的电致变形层；所述电致变形层用于：使得每次需要转移的所述微发光二极管对应区域的电致变形层的厚度，大于该次不需要转移的所述微发光二极管对应区域的电致变形层的厚度。

【技术实现步骤摘要】
微发光二极管转移基板及转移方法、显示面板及制备方法
本申请涉及显示
，尤其涉及微发光二极管转移基板及转移方法、显示面板及制备方法。
技术介绍
近几年，微发光二极管(MicroLED)的显示研究成为热点。微发光二极管(MicroLED)是一种尺寸在几微米到几百微米之间的器件，由于其较普通LED的尺寸要小很多，从而使得单一的LED作为像素(Pixel)用于显示成为可能，MicroLED显示器便是一种以高密度的MicroLED阵列作为显示像素阵列来实现图像显示的显示器，每一个像素可定址、单独驱动点亮，可以看成是户外LED显示屏的缩小版，将像素点距离从毫米级降低至微米级。目前，MicroLED器件需在供给基板上生长，然后通过微转印技术将MicroLED转移到有电路图案的接收基板上，现有技术中的微转印技术需要使用具有图案化的传送头将MicroLED从供给基板吸附，在将传送头与接收基板对位并将MicroLED贴付到接收基板的预设位置上，再将传送头剥离即可完成MicroLED的转移。上述通过微转印技术转移MicroLED的过程中，需要使用图案化的传送头，传送头结构复杂且制造图案化的传送头需要额外的工艺。并且还需要对传送头进行特殊处理实现对MicroLED的物理贴合，与接收基板完成贴合后，还需要通过紫外照射实现剥离(debonding)。综上，现有技术制备MicroLED器件的工艺复杂。
技术实现思路
本申请实施例提供了微发光二极管转移基板及转移方法、显示面板及制备方法，用以简化微发光二极管器件制备的工艺复杂度。本申请实施例提供的一种微发光二极管的转移基板，所述转移基板包括：第一衬底基板以及位于所述第一衬底基板之上的电致变形层；所述电致变形层用于：使得每次需要转移的所述微发光二极管对应区域的电致变形层的厚度，大于该次不需要转移的所述微发光二极管对应区域的电致变形层的厚度。本申请实施例提供的微发光二极管的转移基板，由于设置有电致变形层，对电致变形层加电便可以改变电致变形层的高度，使得每次需要转移的所述微发光二极管对应区域的电致变形层的厚度，大于该次不需要转移的所述微发光二极管对应区域的电致变形层的厚度，可以保证需要转移的所述微发光二极管与接受基板接触的同时，不需要转移的微发光二极管不会与接收基板接触，实现对转移基板之上的微发光二极管进行批量转移。这样，无需额外设置拾取微发光二极管的传送头，也无需对传送头图形化，从而可以简化微发光二极管的转移流程。并且，在利用本申请实施例提供的转移基板对微发光二极管转移的过程中，可以通过对电致变形层加电的方式实现对微发光二极管的自由选择，可以满足不同像素结构设计对微发光二极管的选取，还可以避免对显示异常的微发光二极管进行选择，可以提高微发光二极管转移良率。可选地，所述电致变形层包括：位于所述第一衬底基板之上的第一电极层、以及位于所述第一电极层之上的电活性聚合物层、以及位于所述电活性聚合物层之上的第二电极层。可选地，所述第一电极层为整层设置的面状电极；所述第二电极层为整层设置的面状电极或者所述第二电极层包括多个子电极；所述子电极与所述微发光二极管一一对应。可选地，所述转移基板还包括：位于所述电致变形层之上的贴合胶层。本申请实施例提供的一种微发光二极管的转移方法，该方法包括：提供本申请实施例提供的上述转移基板；在所述转移基板上形成微发光二极管阵列；按照所述微发光二极管的转移顺序，依次对所述电致变形层加电，使得每次需要转移的所述微发光二极管对应区域的电致变形层的厚度，大于该次不需要转移的所述微发光二极管对应区域的电致变形层的厚度，将每次需要转移的所述微发光二极管转移到接受基板。可选地，所述转移基板包括位于所述电致变形层之上的贴合胶层；所述在所述转移基板上形成微发光二极管阵列，具体包括：在生长基板上形成微发光二极管膜层以及位于所述微发光二极管膜层之上的驱动电极层；剥离所述生长基板并将所述微发光二极管层和所述驱动电极层转移到所述转移基板，使得所述驱动电极层通过贴合胶层与所述转移基板贴合；至少图形化所述驱动电极层、所述微发光二极管膜层、以及所述贴合胶层，形成微发光二极管阵列。可选地，所述电致变形层包括：位于第一衬底基板之上的第一电极层、位于所述第一电极层之上的电活性聚合物层、位于所述电活性聚合物层之上的第二电极层；所述第二电极层为整层设置的面状电极，至少图形化所述驱动电极层、所述微发光二极管膜层、以及所述贴合胶层，形成微发光二极管阵列具体包括：至少图形化所述驱动电极层、所述微发光二极管膜层、所述贴合胶层以及所述第二电极层，形成微发光二极管阵列以及在所述第二电极层形成多个子电极。可选地，所述电致变形层包括：位于第一衬底基板之上的第一电极层、位于所述第一电极层之上的电活性聚合物层、位于所述电活性聚合物层之上的第二电极层；所述接收基板包括引出电极；所述按照所述微发光二极管的转移顺序，依次对所述电致变形层加电，使得每次需要转移的所述微发光二极管对应区域的电致变形层的厚度，大于该次不需要转移的所述微发光二极管对应区域的电致变形层的厚度，将每次需要转移的所述微发光二极管转移到接受基板，具体包括：按照所述微发光二极管的转移顺序，依次对需要转移的所述微发光二极管对应区域的第一电极层和第二电极层加电，使得每次需要转移的所述微发光二极管对应区域的电活性聚合物层在垂直于所述第一衬底基板的方向上延伸，将每次需要转移的所述微发光二极管对应的驱动电极与所述引出电极键合，并将所述微发光二极管与所述贴合胶剥离。本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法，该方法包括：形成阵列基板，所述阵列基板划分为多种颜色的子像素区；按照预设颜色转移顺序，采用本申请实施例提供的上述微发光二极管转移的方法，将与所述子像素区颜色相对应的微发光二极管转移至所述阵列基板的所述子像素区。本申请实施例提供的一种显示面板，所述显示面板采用本申请实施例提供的上述显示面板制备方法制得。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的一种微发光二极管的转移基板的结构示意图；图2为本申请实施例提供的另一种微发光二极管的转移基板的结构示意图；图3为本申请实施例提供的又一种微发光二极管的转移基板的结构示意图；图4为本申请实施例提供的又一种微发光二极管的转移基板的结构示意图；图5为本申请实施例提供的一种微发光二极管的转移方法示意图；图6为本申请实施例提供的另一种微发光二极管的转移方法示意图；图7为本申请实施例提供的又一种微发光二极管的转移方法示意图；图8为本申请实施例提供的又一种微发光二极管的转移方法示意图；图9为采用本申请实施例提供的一种微发光二极管的转移方法在转移基板上形成微发光二极管阵列的示意图；图10为本申请实施例提供的一种显示面板制备方法示意图。具体实施方式本申请实施例提供了一种微发光二极管的转移基板，如图1所示，所述转移基板包括：第一衬底基板1以及位于所述第一衬底基板1之上的电致变形层2；所述电致变形层2用于：使得每次需要转移的所述微本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微发光二极管的转移基板，其特征在于，所述转移基板包括：第一衬底基板以及位于所述第一衬底基板之上的电致变形层；所述电致变形层用于：使得每次需要转移的所述微发光二极管对应区域的电致变形层的厚度，大于该次不需要转移的所述微发光二极管对应区域的电致变形层的厚度。

【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管的转移基板，其特征在于，所述转移基板包括：第一衬底基板以及位于所述第一衬底基板之上的电致变形层；所述电致变形层用于：使得每次需要转移的所述微发光二极管对应区域的电致变形层的厚度，大于该次不需要转移的所述微发光二极管对应区域的电致变形层的厚度。2.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述电致变形层包括：位于所述第一衬底基板之上的第一电极层、以及位于所述第一电极层之上的电活性聚合物层、以及位于所述电活性聚合物层之上的第二电极层。3.根据权利要求2所述的转移基板，其特征在于，所述第一电极层为整层设置的面状电极；所述第二电极层为整层设置的面状电极或者所述第二电极层包括多个子电极；所述子电极与所述微发光二极管一一对应。4.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述转移基板还包括：位于所述电致变形层之上的贴合胶层。5.一种微发光二极管的转移方法，其特征在于，该方法包括：提供根据权利要求1～4任一项所述的转移基板；在所述转移基板上形成微发光二极管阵列；按照所述微发光二极管的转移顺序，依次对所述电致变形层加电，使得每次需要转移的所述微发光二极管对应区域的电致变形层的厚度，大于该次不需要转移的所述微发光二极管对应区域的电致变形层的厚度，将每次需要转移的所述微发光二极管转移到接受基板。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述转移基板包括位于所述电致变形层之上的贴合胶层；所述在所述转移基板上形成微发光二极管阵列，具体包括：在生长基板上形成微发光二极管膜层以及位于所述微发光二极管膜层之上的驱动电极层；剥离所述生长基板并将所述微发光二极管层和所述驱动电极层转移到所述转移基板，使得所述驱动电极层通过贴合胶层与所述转移基板贴合；至少图形化所述驱动电极层、所述微发光二极管膜层、以及所述贴合胶层，形成微发光二极管阵列...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄华，赵承潭，朱小研，谢昌翰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11