火花塞制造技术

技术编号:20519528 阅读:44 留言:0更新日期:2019-03-06 03:32
本发明专利技术涉及火花塞。提供能够确保导体的机械强度并且能够提高噪声衰减特性的火花塞。火花塞具备具有轴孔的绝缘体以及配置于轴孔内的端子配件与中心电极之间的连接部。连接部具备:磁体,包含含Fe氧化物;导体,在磁体的外周配置成螺旋状并且与端子配件和中心电极电连接;以及中间构件,所述中间构件配置于磁体和导体与绝缘体的内周面之间且导电性低于导体。导体具备基材和导电层,该导电层配置于基材的外周并且导电性高于基材,导电层的厚度大于0.1μm且为25μm以下。

【技术实现步骤摘要】
火花塞
本专利技术涉及火花塞,特别涉及内置了磁体的火花塞。
技术介绍
已知有一种火花塞,该火花塞为了抑制放电时产生的电波噪声,内置了嵌入有螺旋状导体的铁素体(专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2015-225793号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题然而,在上述现有技术中,为了确保机械强度而使导体的线径变粗时电流密度降低,因此噪声衰减特性有可能降低。本专利技术是为了解决上述课题而完成的,其目的在于,提供能够在确保导体的机械强度的同时提高噪声衰减特性的火花塞。用于解决课题的手段为了实现该目的,本专利技术的火花塞具备:绝缘体,具有从前端侧朝后端侧沿轴线方向延伸的轴孔;中心电极,配置于轴孔的前端侧;端子配件,配置于轴孔的后端侧;以及连接部,配置于轴孔内的端子配件与中心电极之间。连接部具备:磁体,包含含Fe氧化物;导体,在磁体的外周配置成螺旋状并且与端子配件和中心电极电连接;以及中间构件,所述中间构件与磁体、导体和绝缘体的内周面接触并且配置于磁体和导体与绝缘体的内周面之间,且导电性低于导体。导体具备基材和导电层,该导电层配置于基材的外周并且导电性高于基材,导电层的厚度大于0.1μm且为25μm以下。专利技术效果根据方案1所述的火花塞,在磁体的外周配置成螺旋状并且与端子配件和中心电极电连接的导体在基材的外周配置有厚度为25μm以下且大于0.1μm的导电层。导电层的导电性高于基材,因此能够在利用基材确保导体的机械强度的同时提高导体的电流密度。其结果,能够提高磁体和导体带来的噪声衰减性能。根据方案2所述的火花塞,基材和中间构件中的至少一方含有Si、B和P中的至少一种,因此能够提高含有Si、B和P中的至少一种的构件的致密性。因此,除了方案1的效果以外,还能够使得难以发生因振动导致的导体的断线。根据方案3所述的火花塞,中间构件含有含Fe氧化物,因此利用含Fe氧化物带来的磁损耗能够消耗噪声的能量。因此,除了方案1或方案2的效果以外,还能够进一步提高噪声衰减效果。根据方案4所述的火花塞,导电层自身的至少一部分含有含Fe氧化物并且与配置于基材的磁性层接触。由于利用磁性层的磁损耗能够消耗噪声的能量,因此除了方案1~3中任一项所述的效果以外,还能够进一步提高噪声衰减效果。根据方案5所述的火花塞,基材含有含Fe氧化物,因此利用基材中包含的含Fe氧化物带来的磁损耗能够消耗噪声的能量。其结果,除了方案1~4中任一项所述的效果以外,还能够进一步提高噪声衰减效果。根据方案6所述的火花塞,基材含有导电材料5体积%~30体积%。由此,当电流在导电层中流动从而磁场发生变化时,涡电流在含有导电材料的基材中流动,从而能够消耗噪声的能量。因此,除了方案1~5中任一项所述的效果以外,还能够进一步提高噪声衰减效果。根据方案7所述的火花塞,导电层由Ni或Ni基合金形成,因此除了方案1~6中任一项所述的效果以外,还能够在确保导电层的耐热性的同时提高耐腐蚀性。另外,利用Ni能够提高导电层的导磁率,因此能够提高噪声衰减效果。附图说明图1是本专利技术第一实施方式中的火花塞的单侧剖视图。图2是连接部的剖视图。图3是第二实施方式中火花塞的复合部的剖视图。具体实施方式以下,参照附图对本专利技术的优选实施方式进行说明。图1是本专利技术第一实施方式中的火花塞10的以轴线O为边界的单侧剖视图。在图1中,将纸面下侧称为火花塞10的前端侧,将纸面上侧称为火花塞10的后端侧(在图2和图3中也相同)。火花塞10具备绝缘体11、中心电极15和端子配件16。绝缘体11是利用机械特性、高温下的绝缘性优异的氧化铝等形成的构件,轴孔沿轴线O贯通而形成内周面13。在内周面13中,朝向后端侧的后端朝向面14设置于前端侧。后端朝向面14向着前端而内径逐渐变小。中心电极15是沿轴线O延伸的棒状构件,铜芯材或以铜作为主要成分的芯材被镍或镍基合金覆盖。中心电极15卡定于内周面13的后端朝向面14,前端从绝缘体11的轴孔露出。端子配件16是连接于高压电缆(未图示)的棒状构件,由具有导电性的金属材料(例如低碳钢等)形成。端子配件16以前端侧插入绝缘体11的轴孔中的状态被固定于绝缘体11的后端。绝缘体11在外周固定有主体配件17。主体配件17是利用具有导电性的金属材料(例如低碳钢等)形成的大致圆筒状的构件。主体配件17具备:主体部18,包围绝缘体11的前端侧的外周;以及座部20,与主体部18的后端侧连接,并且朝主体部18的径向外侧呈凸缘状伸出。在主体部18的外周面形成有外螺纹19。主体配件17通过使外螺纹19与内燃机(汽缸盖)的螺纹孔(未图示)连结而被固定。接地电极21是与主体配件17的前端接合的金属制(例如镍基合金制)构件。在本实施方式中,接地电极21形成为棒状,前端侧弯曲并且与中心电极15对置。在接地电极21与中心电极15之间形成火花间隙。连接部30是将中心电极15与端子配件16电连接的部位,配置于轴孔中。连接部30具备:复合部33,包含磁体34和导体35(将在后面叙述);第一密封部31,与中心电极15和复合部33接触;以及第二密封部32,与复合部33和端子配件16接触。第一密封部31和第二密封部32例如由包含B2O3-SiO2类、BaO-B2O3类、SiO2-B2O3-CaO-BaO类等玻璃粒子和金属粒子(Cu、Fe等)的组合物形成,且具有导电性。复合部33是用于抑制放电时产生的电波噪声的部位。图2是连接部30的包含轴线O(参照图1)的剖视图。在图2中,省略了配置于绝缘体11外周的主体配件17的图示。在连接部30中,第一密封部31、复合部33和第二密封部32串联连接。复合部33具备:棒状磁体34,包含含Fe氧化物;导体35,在磁体34的外周配置成螺旋状;以及中间构件41,其与磁体34、导体35和绝缘体11的内周面13接触并且配置于磁体34和导体35与内周面13之间。与导体35的轴线O方向(图2上下方向)的下端连接的末端38与第一密封部31接触,与导体35的上端连接的末端39与第二密封部32接触。磁体34是含有铁氧化物的构件,在本实施方式中形成为圆柱状。对于磁体34,可以优选使用以铁氧化物为主要成分的尖晶石型、石榴石型等的铁素体。对于磁体34,可以用例如加压成形、注射成形、挤出成形等公知方法进行成形并进行焙烧而得到。磁体34利用自身的阻抗、磁损耗而阻断或吸收在放电时在第一密封部31与第二密封部32之间流动的电流中的成为电波噪声原因的频带。对于铁素体,可以例举例如MnxFe2-xO4、NixFe2-xO4、CuxFe2-xO4、ZnxFe2-xO4、CoxFe2-xO4、FexFe2-xO4、CaxFe2-xO4、MgxFe2-xO4、Y3Fe5O12、Dy3Fe5O12、Lu3Fe5O12、Yb3Fe5O12、Tm3Fe5O12、Er3Fe5O12、Ho3Fe5O12、Tb3Fe5O12、Gd3Fe5O12、Sm3Fe5O12等单元铁素体;这些单元铁素体以任意比率彼此固溶而成的(Mn1-xZnx)Fe2O4、(Ni1-xZnx)Fe2O4等复合铁素体。可以适当地选择这些铁素体中一种或多种而使用。导体35具备:形成为螺旋状的基材36以及配置于基材36外周的导电层37。导电层37的导电性高于基材36,导电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种火花塞(10),具备:绝缘体(11),具有从前端侧朝后端侧沿轴线方向延伸的轴孔;中心电极(15),配置于所述轴孔的前端侧;端子配件(16),配置于所述轴孔的后端侧;以及连接部(30),配置于所述轴孔内的所述端子配件(16)与所述中心电极(15)之间,其中,所述连接部(30)具备:磁体(34,44),包含含Fe氧化物;导体(35,45),在所述磁体(34,44)的外周配置成螺旋状并且与所述端子配件(16)和所述中心电极(15)电连接;以及中间构件(41,50),所述中间构件(41,50)与所述磁体(34,44)、所述导体(35,45)和所述绝缘体(11)的内周面(13)接触,并且配置于所述磁体(34,44)和所述导体(35,45)与所述内周面(13)之间,且导电性低于所述导体(35,45),所述导体(35,45)具备基材(36,46)和导电层(37,47),所述导电层(37,47)配置于所述基材(36,46)的外周并且导电性高于所述基材(36,46),所述导电层(37,47)的厚度大于0.1μm且为25μm以下。

【技术特征摘要】
2017.08.22 JP 2017-1590091.一种火花塞(10),具备:绝缘体(11),具有从前端侧朝后端侧沿轴线方向延伸的轴孔;中心电极(15),配置于所述轴孔的前端侧;端子配件(16),配置于所述轴孔的后端侧;以及连接部(30),配置于所述轴孔内的所述端子配件(16)与所述中心电极(15)之间,其中,所述连接部(30)具备:磁体(34,44),包含含Fe氧化物;导体(35,45),在所述磁体(34,44)的外周配置成螺旋状并且与所述端子配件(16)和所述中心电极(15)电连接;以及中间构件(41,50),所述中间构件(41,50)与所述磁体(34,44)、所述导体(35,45)和所述绝缘体(11)的内周面(13)接触,并且配置于所述磁体(34,44)和所述导体(35,45)与所述内周面(13)之间,且导电性低于所述导体(35,45),所述导体(35,45)具备基材(36,46)和导...

【专利技术属性】
技术研发人员:黑泽和浩高冈胜哉横山广大田中邦治黑野启一上垣裕则
申请(专利权)人:日本特殊陶业株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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