一种载盘的清洁处理方法技术

本发明专利技术公开了一种载盘的清洁处理方法，包含以下步骤：S102、将待处理的载盘表面进行喷砂处理；S104、将完成喷砂处理的待处理的载盘进行研磨处理；S106、将完成研磨处理的待处理的载盘进行吹扫处理；S108、将完成吹扫处理的待处理的载盘放置到一预设温度环境中进行烘烤处理；S110、将完成烘烤处理的待处理的载盘从高温真空炉中取出，完成对载盘的清洁。本发明专利技术能够有效去除载盘表面的覆盖层，大大降低异常覆盖层载盘的报废几率，节约生产成本。

A Cleaning Method for Carrier Disk

The invention discloses a cleaning treatment method for the carrier plate, which comprises the following steps: S102, sand blasting treatment for the surface of the carrier plate to be treated; S104, grinding treatment for the carrier plate to be treated after sand blasting treatment; S106, sweeping treatment for the carrier plate to be processed after grinding treatment; S108, placing the carrier plate to be processed after the blowing treatment into a preset temperature environment. For baking treatment, S110 will complete the baking treatment of the tray to be removed from the high-temperature vacuum furnace, complete the cleaning of the tray. The invention can effectively remove the overlay on the surface of the carrier plate, greatly reduce the scrapping probability of the carrier plate with abnormal overlay, and save the production cost.

【技术实现步骤摘要】
一种载盘的清洁处理方法
本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种载盘的清洁处理方法。
技术介绍
GaN(氮化镓)外延在生长过程中，不仅会在衬底表面气相反应生成GaN外延层，也会在石墨载盘表面进行化合生成。同时随外延工艺需要，会掺杂In(铟)，Al(铝)，Mg(镁)等元素，会复合生成更为复杂三元或四元GaN化合物。这些化合物也会同样附着在石墨载盘上。在石墨载盘表面形成一层覆盖层(coating)。工艺生长结束后，为了重复使用石墨载盘，现有技术中是将石墨载盘放入高温真空炉内进行烘烤。正常情况下，高温真空炉在1350摄氏度左右通入N2(氮气)或N2(氮气)与H2(氢气)一定比例的混合气体，能够将附着在石墨载盘表面的覆盖层烘烤蒸发掉，随高温真空炉内的分压高纯氮吹扫干净。但若高温真空炉或GaN生长工艺出现异常，例如高温真空炉有异常漏点导致外界大气环境有水汽泄露进入真空炉，不仅会导致生长的外延片出现异常，也会导致石墨载盘覆盖层成分及厚度异常。即使高温真空炉及时维护恢复正常，再次烘烤异常石墨载盘，仍有很大概率无法将异常状况生长的覆盖层完全蒸发掉，石墨载盘表面无法完全干净。一则影响下一轮外延生长时过程参数的监控准确度，二则覆盖层残留物将在下一轮工艺生长中，扮演凝结核，生长过程中更容易在石墨载盘表面形成更厚更难处理干净的覆盖层造成二次污染，进而影响外延晶体的正常生长，如图1A及1B所示，分别表示能够正常使用的石墨载盘及带有覆盖层的异常石墨载盘；再如图2A及图2B所示，分别表示在X1000倍显微镜下干净的石墨载盘的表面及带有覆盖层的异常石墨载盘的表面。这些二次残留的覆盖层，是无法经过上述的石墨载盘清洁方案清除掉的。因此，对这部分异常石墨载盘的处理措施，外延厂通常只能做报废处理，这样对外延厂来说，生产成本提供。因此，为了降低生产成本，并且提高石墨载盘的使用寿命，需要对现有的石墨载盘清洁方案进行改进。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种载盘的清洁处理方法，能够有效去除载盘表面的覆盖层，大大降低异常覆盖层载盘的报废几率，节约生产成本。为了达到上述目的，本专利技术通过以下技术方案实现：一种载盘的清洁处理方法，其特点是，包含以下步骤：S102、将待处理的载盘表面进行喷砂处理；S104、将完成喷砂处理的待处理的载盘进行研磨处理；S106、将完成研磨处理的待处理的载盘进行吹扫处理；S108、将完成吹扫处理的待处理的载盘放置到一预设温度环境中进行烘烤处理；S110、将完成烘烤处理的待处理的载盘从高温真空炉中取出，完成对载盘的清洁。优选地，待处理的载盘为一种石墨载盘。优选地，所述的步骤S102之前，还包含一步骤S100，所述的步骤S100包含：将待处理的载盘放置到高温真空炉内进行烘烤处理，将未蒸发掉覆盖层的待处理的载盘执行步骤S102。优选地，所述的步骤S106中，还包含判断待处理的载盘的表面覆盖层是否研磨干净，若是，则执行步骤S108；若否，则执行步骤S104。优选地，所述的步骤S102中，对待处理的载盘表面进行喷砂处理时，喷砂为小于或等于200目的石英砂磨料。优选地，所述的步骤S102中，对待处理的载盘表面进行喷砂处理时，喷砂枪与待处理的载盘距离为8-15cm。优选地，所述的步骤S102中，对待处理的载盘表面进行喷砂处理时，喷砂枪的喷砂角度与待处理的载盘的夹角为15-60度。优选地，所述的步骤S102中，对待处理的载盘表面进行喷砂处理时，喷砂枪对每平方厘米的待处理的载盘表面喷砂时间为2-5秒。优选地，所述的步骤S106中，对待处理的载盘采用氮气进行吹扫处理；进行吹扫处理的气体的压力为20-50psi。优选地，所述的步骤S108中，将待处理的载盘放置到高温真空炉中进行烘烤处理，并且高温真空炉的温度为1360-1400摄氏度。本专利技术一种载盘的清洁处理方法与现有技术相比具有以下优点：通过喷砂后进行研磨处理的工艺，有效清除异常载盘表面的覆盖层，大大降低异常覆盖层载盘的报废几率，节约生产成本。附图说明图1A为正常使用的石墨载盘的示意图；图1B带有覆盖层的异常石墨载盘的示意图；图2A为在X1000倍显微镜下干净的石墨载盘的表面的示意图；图2B为在X1000倍显微镜下带有覆盖层的异常石墨载盘的示意图；图3为本专利技术一种石墨载盘清洁方法的流程图；图4A为在X1000倍显微镜下处理前的石墨载盘示意图；图4B为在X1000倍显微镜下处理后的石墨载盘示意图。具体实施方式以下结合附图，通过详细说明一个较佳的具体实施例，对本专利技术做进一步阐述。本专利技术提供的一种载盘的清洁处理方法，在本实施例是以石墨载盘清洁方法进行示例，如图3所示，其包含以下步骤：S102、将待处理的石墨载盘表面进行喷砂处理。在本实施例中，对待处理的石墨载盘表面进行喷砂处理时，喷砂为小于或等于200目的石英砂磨料；喷砂枪与待处理的石墨载盘距离为8-15cm；喷砂枪的喷砂角度与待处理的石墨载盘的夹角为15-60度；喷砂枪对每平方厘米的待处理的石墨载盘表面喷砂时间为2-5秒。S104、将完成喷砂处理的待处理的石墨载盘进行研磨处理。在本实施例中，通过对待处理的石墨载盘的表面进行研磨处理，有效去除石墨载盘表面的覆盖层。S106、将完成研磨处理的待处理的石墨载盘进行吹扫处理。在本实施例中，采用氮气进行吹扫处理，将研磨掉的覆盖层随氮气吹扫干净，较佳地，进行吹扫处理的气体的压力为20-50psi；优选地，还包含一判断步骤，判断待处理的石墨载盘的表面覆盖层是否研磨干净，若是，则执行步骤S108；若否，则执行步骤S104。S108、将完成吹扫处理的待处理的石墨载盘放置到一预设温度环境中进行烘烤处理。在本实施例中，通过将待处理的石墨载盘放置到高温真空炉中进行烘烤处理，并且高温真空炉的温度为1360-1400摄氏度。这一步骤类似于现有技术中对石墨载盘清洁工艺。S110、将完成烘烤处理的待处理的石墨载盘从高温真空炉中取出，完成对石墨载盘的清洁。在本专利技术的较佳实施例中，步骤S102之前，还包含一步骤S100，所述的步骤S100包含：将待处理的石墨载盘放置到高温真空炉内进行烘烤处理，将未蒸发掉覆盖层的待处理的石墨载盘执行步骤S102。在本专利技术中，可以先将待处理的石墨载盘采用现有技术中的清洁工艺进行处理，对于不能够有效去除覆盖层的异常的石墨载盘再执行步骤S102～S110；或者是不进行现有技术中的清洁工艺，直接执行步骤S102～S110结合图4A及图4B所示，分别为在X1000倍显微镜下处理前的石墨载盘示意图及处理后的石墨载盘示意图。对比图4A和图4B可知，该处理结果可以完全去除掉异常残留的覆盖层，且不影响外延的正常生长过程；经过本专利技术处理后的异常覆盖层石墨载盘可重新投入生产使用，处置成功率在80％以上，大大降低异常覆盖层石墨载盘的报废几率，节约生产成本。尽管本专利技术的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本专利技术的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本专利技术的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本专利技术的保护范围应由所附的权利要求来限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种载盘的清洁处理方法，其特征在于，包含以下步骤：S102、将待处理的载盘表面进行喷砂处理；S104、将完成喷砂处理的待处理的载盘进行研磨处理；S106、将完成研磨处理的待处理的载盘进行吹扫处理；S108、将完成吹扫处理的待处理的载盘放置到一预设温度环境中进行烘烤处理；S110、将完成烘烤处理的待处理的载盘从高温真空炉中取出，完成对载盘的清洁。

【技术特征摘要】
1.一种载盘的清洁处理方法，其特征在于，包含以下步骤：S102、将待处理的载盘表面进行喷砂处理；S104、将完成喷砂处理的待处理的载盘进行研磨处理；S106、将完成研磨处理的待处理的载盘进行吹扫处理；S108、将完成吹扫处理的待处理的载盘放置到一预设温度环境中进行烘烤处理；S110、将完成烘烤处理的待处理的载盘从高温真空炉中取出，完成对载盘的清洁。2.如权利要求1所述的一种载盘的清洁处理方法，其特征在于，待处理的载盘为一种石墨载盘。3.如权利要求1所述的一种载盘的清洁处理方法，其特征在于，所述的步骤S102之前，还包含一步骤S100，所述的步骤S100包含：将待处理的载盘放置到高温真空炉内进行烘烤处理，将未蒸发掉覆盖层的待处理的载盘执行步骤S102。4.如权利要求1所述的一种载盘的清洁处理方法，其特征在于，所述的步骤S106中，还包含判断待处理的载盘的表面覆盖层是否研磨干净，若是，则执行步骤S108；若否，则执行步骤S104。5.如权利要求1所述的一种载盘的清洁处理方法，其特征在于，所述的步骤S...

【专利技术属性】
技术研发人员：马后永，
申请(专利权)人：映瑞光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31