升举装置、化学气相沉积装置及方法制造方法及图纸

本公开提供一种升举装置，用以在一化学气相沉积装置中升举一基板。上述升举装置包括一驱动机构、一升举组件、一耦合构件及一遮蔽构件。升举组件配置用于在驱动机构的驱动下升举基板以从承载平台上卸载基板。耦合构件配置用于耦合升举组件与驱动机构。遮蔽构件配置用于遮蔽耦合构件且避免耦合构件暴露于化学气相沉积装置中的加工气体。

Lifting device, chemical vapor deposition device and method

The present disclosure provides a lifting device for lifting a substrate in a chemical vapor deposition device. The lifting device comprises a driving mechanism, a lifting component, a coupling component and a shielding component. The lifting component is configured to lift the substrate under the drive of the driving mechanism to unload the substrate from the bearing platform. Coupling component configuration is used to couple lifting component and driving mechanism. The shielding member configuration is used to shield the coupling member and avoid the exposure of the coupling member to the processing gas in the chemical vapor deposition device.

【技术实现步骤摘要】
升举装置、化学气相沉积装置及方法
本公开实施例涉及一种半导体技术，特别涉及一种升举装置、化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，CVP)装置及方法。
技术介绍
半导体装置被用于多种电子应用，例如个人电脑、行动电话、数码相机以及其他电子设备。半导体装置的制造通常是通过在半导体基板上依序沉积绝缘或介电层材料、导电层材料以及半导体层材料，接着使用光刻工艺图案化所形成的各种材料层，以形成电路组件和零件于此半导体基板之上。随着集成电路的材料及其设计上的技术进步，已发展出多个世代的集成电路。相较于前一个世代，每一世代具有更小且更复杂的电路。然而，这些发展提升了加工及制造集成电路的复杂度。为了使这些发展得以实现，在集成电路的制造以及生产上相似的发展也是必须的。举例而言，高密度等离子体化学气相沉积(High-DensityPlasmaChemicalVaporDeposition，HDPCVD)是一种利用高密度等离子体来进行化学气相沉积的技术。为了形成高密度等离子体，通常会利用射频电力来激发气体混合物，并引导等离子体离子至半导体基板表面上来形成薄膜。高密度等离子体化学气相沉积主要的优点为，可以在较低温(例如约300℃至约400℃)时形成均匀度佳的薄膜，故被广泛应用在例如晶体管的内连线介电层的制造。虽然现有的化学气相沉积技术及设备已经足以应付其需求，然而仍未全面满足。因此，需要提供一种改善沉积工艺的方案。
技术实现思路
本公开一些实施例提供一种升举装置，用以在一化学气相沉积装置中升举一基板。上述升举装置包括一驱动机构、一升举组件、一耦合构件及一遮蔽构件。升举组件配置用于在驱动机构的驱动下升举基板。耦合构件配置用于耦合升举组件与驱动机构。遮蔽构件配置用于遮蔽耦合构件且避免耦合构件暴露于化学气相沉积装置中的加工气体。本公开一些实施例提供一种化学气相沉积装置，包括一加工腔室、一承载平台、一气体供应单元、一排气单元、一升举组件、一耦合构件及一遮蔽构件。承载平台配置用于在加工腔室中支撑一基板。气体供应单元配置用于供应一加工气体至加工腔室中以形成一薄膜于基板上。排气单元配置用于从加工腔室中移除加工气体。升举组件配置用于在一驱动机构的驱动下升举基板以从承载平台上卸载基板。耦合构件配置用于耦合升举组件与驱动机构。遮蔽构件配置用于包覆耦合构件暴露于加工气体的一部分。本公开一些实施例提供一种化学气相沉积方法。上述方法包括放置一基板于一加工腔室中。上述方法亦包括供应一加工气体至加工腔室中以于基板上执行一沉积工艺，其中基板由一承载平台支撑。上述方法还包括在沉积工艺之后，通过一驱动机构驱动一升举组件以从承载平台上卸载基板，其中升举组件与驱动机构之间由一耦合构件耦合，且耦合构件由一遮蔽构件遮蔽而避免暴露于加工气体。此外，上述方法包括移除加工腔室中的加工气体。附图说明图1显示根据一些实施例的一化学气相沉积装置的示意图。图2显示在沉积工艺之后，图1中的升举组件将基板从承载平台上卸载的示意图。图3显示根据一些实施例的升举组件与驱动机构的组装方式的示意图。图4显示图3中的升举组件与驱动机构组装后的另一视角的局部示意图。图5A显示根据一些实施例的一耦合构件的放大示意图。图5B显示根据一些实施例的一遮蔽构件的放大示意图。图6显示根据一些实施例的一遮蔽构件的示意图。图7显示根据一些实施例的一遮蔽构件的示意图。图8显示根据一些实施例的一化学气相沉积方法的流程图。附图标记说明：1～化学气相沉积装置；10～加工腔室；10A～外壳；10B～气体入口；10C～气体出口；11～承载平台；11A～机轴；11B～旋转机构；11C～环形穿透孔；12～喷淋头；12A～开口；13～气体供应单元；14～排气单元；15～等离子体产生单元；15A～射频电力来源；15B～导电元件；16～升举组件；16A～基架；16B～升举顶针；16C～连接部；16D～卡槽结构；17～驱动机构；17A～驱动部；17B～杆部；18～耦合构件/螺丝；18A～头部；18B～螺牙部；18C～第一螺纹；19、19’、19”～遮蔽构件；19A～第二螺纹；19B～表面特征；19C～侧边；19D～侧边；19E～卡榫结构；80～化学气相沉积方法；81～84～操作；F～气流；G～气体扩散路径；H～螺丝孔；P～等离子体；S1～第一端面；S2～第二端面；W～基板。具体实施方式以下公开内容提供许多不同的实施例或范例以实施本案的不同特征。以下公开内容叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以简化说明。当然，这些特定的范例并非用以限定。例如，若实施例中叙述了一第一特征形成于一第二特征之上或上方，即表示其可能包含上述第一特征与上述第二特征是直接接触的情况，亦可能包含了有附加特征形成于上述第一特征与上述第二特征之间，而使得上述第一特征与第二特征未直接接触的情况。在下文中所使用的空间相关用词，例如“在…下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”及类似的用词，是为了便于描述图示中一个元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系。除了在附图中绘示的方位之外，这些空间相关用词也意欲包含使用中或操作中的装置的不同方位。装置可能被转向不同方位(旋转90度获其他方位)，而在此所使用的空间相关用词也可依此相同解释。此外，以下不同实施例中可能重复使用相同的元件标号及/或文字，这些重复是为了简化与清晰的目的，并非用以限定所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。在附图中，结构的形状或厚度可能扩大，以简化或便于标示。必须了解的是，未特别描述或图示的元件可以本领域技术人士所熟知的各种形式存在。图1显示根据一些实施例的一化学气相沉积装置1的示意图。化学气相沉积装置1适用于在一基板W上执行一化学气相沉积工艺(以下简称沉积工艺)。基板W可包括半导体层、导电层、以及/或者绝缘层。在一些实施例中，基板W包括层叠的半导体层。举例而言，基板W包括在一绝缘体上的半导体层的层叠，例如硅晶体管结构在绝缘体之上(SOI)、硅晶体管结构在蓝宝石基板之上、或硅锗结构在绝缘体之上；或者，基板W包括在一玻璃上的半导体层的层叠，以形成薄膜晶体管。根据一些实施例，化学气相沉积装置1是一种等离子体化学气相沉积装置，例如为高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVP)装置、等离子体增强型化学气相沉积(Plasma-EnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)装置或其他利用等离子体来协助化学气相沉积工艺的装置。化学气相沉积装置1包括一加工腔室10、一承载平台11、一喷淋头12、一气体供应单元13、一排气单元14、一等离子体产生单元15、一升举组件16及一驱动机构17。上述化学气相沉积装置1的元件/部件可以添加或省略，并且本公开不应受到实施例的限制。在图1的实施例中，加工腔室10是一等离子体工艺腔室，可用于在其中产生等离子体，以协助沉积工艺。加工腔室10包括一可气密地密封的外壳10A，配置用于收容一或多个待加工的基板W。虽然未图示，外壳10A上设有一可开闭的闸门，允许基板W通过一基板搬运装置(例如机械手臂)而被送入或移出加工腔室10。承载平台11配置用于在加工腔室10中支撑至少一基板W。在一些实施例中，承载平台11包括一静电吸盘(elec本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种升举装置，用以在一化学气相沉积装置中升举一基板，包括：一驱动机构；一升举组件，配置用于在该驱动机构的驱动下升举该基板；一耦合构件，配置用于耦合该升举组件与该驱动机构；以及一遮蔽构件，配置用于遮蔽该耦合构件且避免该耦合构件暴露于该化学气相沉积装置中的一加工气体。

【技术特征摘要】
1.一种升举装置，用以在一化学气相沉积装置中升举一基板，包括：一驱动机构；一升举组件，配置用于在该驱动机构的驱动下升举该基板；一耦合构件，配置用于耦合该升举组件与该驱动机构；以及一遮蔽构件，配置用于遮蔽该耦合构件且避免该耦合构件暴露于该化学气相沉积装置中的一加工气体。2.如权利要求1所述的升举装置，其中该耦合构件为一螺丝，而该遮蔽构件为一保护罩，且配置用于遮蔽该螺丝暴露于该加工气体的一头部。3.如权利要求2所述的升举装置，其中该保护罩以可拆卸方式包覆该螺丝的该头部。4.如权利要求3所述的升举装置，其中该螺丝的该头部的一外周面上形成有一第一螺纹，而该保护罩的一内周面上形成有一第二螺纹，对应于该第一螺纹。5.如权利要求2所述的升举装置，其中该保护罩以可活动方式耦合于该升举组件，且配置用于遮蔽该螺丝的该头部。6.如权利要求1至5中任一项所述的升举装置，其中该遮蔽构件由一陶瓷材料制作。7.如权利要求1所述的升举装置，其中该耦合构件为一螺丝，而该遮蔽构件为一耐热胶带，且配置用于粘着及包覆在该螺丝暴露于该加工气体的一头部之外。8.一种化学气相沉积装置，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾银彬，吕育颖，王俊权，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71