一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板，包括基板、遮光层以及薄膜晶体管；其中，遮光层上形成有一开口向上的凹槽，且该薄膜晶体管位于凹槽内。实施本发明专利技术，通过遮光层上的凹槽设计，能够完全避免光线进入多晶硅层，从而消除光对多晶硅层的影响。

A preparation method of array substrate, display device and array substrate

The invention provides an array substrate comprising a substrate, a light shielding layer and a thin film transistor, wherein an open upward groove is formed on the light shielding layer and the thin film transistor is located in the groove. By designing grooves on the shading layer, the invention can completely avoid light entering the polycrystalline silicon layer, thereby eliminating the influence of light on the polycrystalline silicon layer.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法
本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法。
技术介绍
与传统A-Si(非晶硅薄膜晶体管)技术相比，LTPS(低温多晶硅，LowTemperaturePoly-silicon)技术具有更高的载流子迁移率，被广泛用于中小尺寸高分辨率的TFTLCD(薄膜晶体管液晶显示器，ThinFilmTransistorliquidcrystaldisplay)和AMOLED(有源矩阵有机发光二极体，Active-matrixorganiclightemittingdiode)面板的制作。鉴于LTPS技术架构的薄膜晶体管上的多晶硅层在背光源的照射下，尤其是背光源中的蓝光波段照射下，会使得光生载流子增加，容易造成阈值电压偏移，因此通常会在基板上设置遮光层，且该遮光层设置的位置与多晶硅层的沟道区相对应，用于防止多晶硅层被背光源照射。在现有技术中，一般采用钼(Mo)等金属作为遮光层。虽然现有的遮光层能够遮挡背光源，但是层间光源会由金属制成的源漏极或者金属制成的遮光层反射到多晶硅层的沟道区，从而对多晶硅层造成不良影响，导致薄膜晶体管器件性能下降。因此，有必要进行一定的技术改进来避免光线进入多晶硅层，从而消除光对多晶硅层的影响。
技术实现思路
本专利技术实施例所要解决的技术问题在于，提供一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法，能够完全避免光线进入多晶硅层，从而消除光对多晶硅层的影响。为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括基板、遮光层以及薄膜晶体管；其中，遮光层上形成有一开口向上的凹槽，且所述薄膜晶体管位于所述凹槽内。其中，所述遮光层由金属遮光材料或绝缘非金属遮光材料制备而成。其中，所述绝缘非金属遮光材料包括非氢化非晶硅材料、有色一元/复合金属氧化物材料和/或黑色有机材料；所述金属遮光材料包括Mo、Cr、Ti、Ni及Mo-Ti。其中，所述薄膜晶体管包括半导体层、栅绝缘层、栅极、间绝缘层、源极、漏极。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括前述的阵列基板。本专利技术实施例又提供了一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：步骤S1、提供一基板；步骤S2、在所述基板上制备出遮光层，且使得所述遮光层上形成有一开口向上的凹槽；步骤S3、在所述遮光层的凹槽内制备出由半导体层、栅绝缘层、栅极、间绝缘层、源极、漏极形成的薄膜晶体管。其中，所述步骤S2具体包括：在所述基板的上表面溅射一层金属遮光材料形成具有一定厚度的金属膜层，并在该金属膜层上表面涂抹正向光刻胶后，采用能量为12Kw，波长位于340nm～460nm的UV光通过透光率为25％的半透明光罩对正向光刻胶曝光、显影、蚀刻制程，制备出具有开口向上的凹槽的遮光层。其中，所述步骤S2还进一步包括：在所述基板的上表面涂抹一定厚度的绝缘非金属遮光材料，并在该绝缘非金属遮光材料上表面涂抹反向光刻胶后，采用能量为12Kw，波长位于340nm～460nm的UV光通过透光率为25％的半透明光罩对反向光刻胶曝光、显影、蚀刻制程，制备出具有开口向上的凹槽的遮光层。其中，所述薄膜晶体管包括半导体层、栅绝缘层、栅极、间绝缘层、源极及漏极。实施本专利技术实施例，具有如下有益效果：本专利技术的阵列基板上的遮光层形成有一开口向上的凹槽，且该凹槽内容纳有薄膜晶体管，使得层间光源无法由源漏极或遮光层反射到薄膜晶体管的半导体层上，特别是对于LTPS结构的薄膜晶体管，能够完全避免光线进入该LTPS结构的薄膜晶体管的多晶硅层，从而消除光对多晶硅层的影响。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，根据这些附图获得其他的附图仍属于本专利技术的范畴。图1为本专利技术实施例一中提供的阵列基板的剖面结构示意图；图2为本专利技术实施例三中提供的阵列基板的制备方法的流程图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。如图1所示，为本专利技术实施例一中，提供的一种阵列基板，包括：基板1；设置于基板1上的遮光层2；其中，遮光层2上形成有一开口向上的凹槽21；以及设置于遮光层2凹槽21内薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括半导体层3、栅绝缘层4、栅极5、间绝缘层6、源极7及漏极8；其中，薄膜晶体管为非晶硅a-Si技术结构的薄膜晶体管时，半导体层3为有源层；薄膜晶体管为LTPS技术结构的薄膜晶体管时，半导体层为多晶硅层。可以理解的是，由于遮光层2凹槽21内容纳有薄膜晶体管，使得背光源无法从基板1下方照射到半导体层3，同时也使得层间光源也无法从金属制成的源极7、漏极8或者金属制成的遮光层2反射到半导体层3上，从而能够完全避免光线进入半导体层3，从而消除光对半导体层3的影响；尤其是能够消除光对LTPS技术结构的薄膜晶体管的多晶硅层的影响。在本专利技术实施例一中，遮光层2由金属遮光材料或绝缘非金属遮光材料制备而成；其中，金属遮光材料包括Mo、Cr、Ti、Ni及Mo-Ti；绝缘非金属遮光材料包括非氢化非晶硅材料、有色一元/复合金属氧化物材料和/或黑色有机材料。在一个实施例中，遮光层2采用金属Mo通过电子束蒸发、溅射等技术形成金属膜层，并在该金属膜层上表面涂抹正向光刻胶后，采用能量为12Kw，波长位于340nm～460nm的UV光通过透光率为25％的半透明光罩对正向光刻胶曝光、显影、蚀刻制程，得到具有凹槽21的遮光层2。在另一个实施例中，遮光层2采用黑色有机材料通过棒涂覆法、旋转涂覆法、喷雾涂覆法、喷墨法、网版印刷等技术形成，如采用有机基材(如纤维素乙酯酸、聚对笨二甲酸乙酯醇PET、聚苯乙烯PS、聚醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯PC、环氧树脂、苯氧树脂、聚醚砜PES、聚丙烯酸酯等)加上黑色粒子(如碳黑、铜、钴、锰、铬、钛等氧化物及其所构成的复合氧化物粒子)形成，并在该黑色有机材料上表面涂抹反向光刻胶后，采用能量为12Kw，波长位于340nm～460nm的UV光通过透光率为25％的半透明光罩对反向光刻胶曝光、显影、蚀刻制程，得到具有凹槽21的遮光层2。相应于本专利技术实施例一中的阵列基板，本专利技术实施例二还提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例一中的阵列基板。由于本专利技术实施例二中的阵列基板与本专利技术实施例一中的阵列基板具有相同的结构及连接关系，具体请参见本专利技术实施例一中的阵列基板的相关内容，在此不再一一赘述。如图2所示，为本专利技术实施例三中，提供的一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：步骤S1、提供一基板；步骤S2、在所述基板上制备出遮光层，且使得所述遮光层上形成有一开口向上的凹槽；步骤S3、在所述遮光层的凹槽内制备出薄膜晶体管。具体过程为，在步骤S1中，选定一由玻璃、石英或透明塑料制备而成的透明基板作为基板；在步骤S2中，在基板上采用金属遮光材料或绝缘非本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，包括基板（1）、遮光层（2）以及薄膜晶体管；其特征在于，所述遮光层（2）上形成有一开口向上的凹槽（21），且所述薄膜晶体管位于所述凹槽（21）内。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括基板（1）、遮光层（2）以及薄膜晶体管；其特征在于，所述遮光层（2）上形成有一开口向上的凹槽（21），且所述薄膜晶体管位于所述凹槽（21）内。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层（2）由金属遮光材料或绝缘非金属遮光材料制备而成。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘非金属遮光材料包括非氢化非晶硅材料、有色一元/复合金属氧化物材料和/或黑色有机材料；所述金属遮光材料包括Mo、Cr、Ti、Ni及Mo-Ti。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括半导体层（3）、栅绝缘层（4）、栅极（5）、间绝缘层（6）、源极（7）及漏极（8）。5.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-4中任一项所述的阵列基板。6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供一基板；步骤S2、在所述基板上制备出遮光层，且使得所述遮光层上形成有一开口...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙立志，徐向阳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44