半导体IC元器件尺寸测量方法、装置及终端设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体IC元器件尺寸测量方法、装置及终端设备，其中，该半导体IC元器件尺寸测量方法包括：获取标定块的实际尺寸，以及通过视觉测量模块测量标定块的像素尺寸；根据所述标定块的实际尺寸、标定块的像素尺寸，确定像素尺寸与实际尺寸的转换关系；获取元器件的像素尺寸，结合所述转换关系，计算得到所述元器件的实际尺寸。由此，通过标定块的实际尺寸、标定块的像素尺寸，以确定像素尺寸与实际尺寸的转换关系，再通过元器件的像素尺寸与转换关系的结合，便可简单准确计算得到元器件的实际尺寸。

【技术实现步骤摘要】
半导体IC元器件尺寸测量方法、装置及终端设备
本申请属于机器视觉识别领域，尤其涉及一种半导体IC元器件尺寸测量方法、装置及终端设备。
技术介绍
在元器件的生产加工过程中，为了保证元器件的精密度，通常需要对元器件，比如各种半导体芯片进行检测。目前较为常用的方式一般是通过视觉检测系统，比如3D5S视觉检测系统对半导体产品或材料的各个方面进行检量或测量。但是，通过视觉检测系统，比如3D5S光学模组对元器件进行检测时，3D5S光线模组实际获取的尺寸并非元器件的实际尺寸，所以要先对3D5S光学模组进行标定。然而传统标定算法在这里并不适用，一是因为3D5S光学模组的视野通常只有几个毫米，无法使用标定板进行标定。二是因为3D5S光学模组使用了设定角度的镜片(比如42度)，在成像时会使得站高的投影拉长，从而无法准确的测量元器件的尺寸。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例提供了一种半导体IC元器件尺寸测量方法、装置及终端设备，以解决现有技术中测量元器件尺寸不准确的问题。本申请实施例的第一方面提供了一种半导体IC元器件尺寸测量方法，包括：获取标定块的实际尺寸，以及通过视觉测量模块测量标定块的像素尺寸；根据所述标定块的实际尺寸、标定块的像素尺寸，确定像素尺寸与实际尺寸的转换关系；获取元器件的像素尺寸，结合所述转换关系，计算得到所述元器件的实际尺寸。结合第一方面，在第一方面的第一种可能实现方式中，所述获取标定块的实际尺寸的步骤中，包括：使所述标定块包括测量参照平台及凸出于所述测量参照平台的测量凸部；获取所述标定块的A、B、C1、C2、D，其中：A为所述测量凸部的实际长度、B为所述测量凸部的实际宽度、C1为所述测量凸部的第一侧端相对于所述测量参照平台的第一侧端的实际距离、C2为所述测量凸部的第二侧端相对于所述测量参照平台的第二侧端的实际距离、D为所述测量凸部的第三侧端相对于所述测量参照平台的第三侧端的实际距离；所述通过视觉测量模块测量标定块的像素尺寸的步骤包括：获取所述标定块的图像中的H、L1、L2、L3、L4、S1、S2，并计算所述标定块的图像中的夹角f1、f2、f3、f4，其中：H为所述标定块的俯视图的所述测量凸部的像素长度、L1为所述标定块的左视图的所述测量凸部的像素长度、L2为所述标定块的右视图的所述测量凸部的像素长度、L3为所述标定块的前视图的所述测量凸部的像素宽度、L4为所述标定块的后视图的所述测量凸部的像素宽度、S1为所述标定块的左视图的所述测量凸部相对于所述测量参照平台的像素距离、S2为所述标定块的右视图的所述测量凸部相对于所述测量参照平台的像素距离、f1为所述标定块的左视图的所述测量凸部相对于竖直方向线的像素夹角、f2为所述标定块的右视图的所述测量凸部相对于竖直方向线的像素夹角、f3为所述标定块的前视图的所述测量凸部相对于竖直方向线的像素夹角、f4为所述标定块的后视图的所述测量凸部相对于竖直方向线的像素夹角。结合第一方面，在第一方面的第二种可能实现方式中，所述确定像素尺寸与实际尺寸的转换关系的步骤中，包括：步骤S301、计算求像素比例值：k＝A/H；k1＝A/L1；k2＝A/L2；k3＝B/L3；k4＝B/L4；步骤S302、计算求左右镜面投射角弧度值(rad)：G1＝atan(E/D)+asin(S1*K1/SQR(D^2+E^2))；G2＝atan(E/D)+asin(S2*K2/SQR(D^2+E^2))。结合第一方面，在第一方面的第三种可能实现方式中，所述计算得到所述元器件的实际尺寸的步骤中，包括计算所述元器件的长度的步骤、以及计算所述元器件的高度的步骤；其中，计算所述元器件的长度的步骤，包括：步骤S401、获取交点像素坐标值：P1(XP1,YP1)；P2(XP2,YP2)；P3(XP3,YP3)；P4(XP4,YP4)；P5(XP5,YP5)；P6(XP6,YP6)；P7(XP7,YP7)；P8(XP8,YP8)；P9(XP9,YP9)；P10(XP10,YP10)；P11(XP11,YP11)；其中，塑封体圆角修正值为R，而默认值R＝0.11mm；步骤S402、求交点像素坐标值：Q1(Xq1,Yq1)Xq1＝(TAN(f1)*Xp1-TAN(f3)*(Xp5+R/K3)+Yp5-Yp1+R/K1)/(TAN(f1)-TAN(f3))Yq1＝(TAN(f1)*Yp5-TAN(f3)*(Yp1-R/K1)+TAN(f1)*TAN(f3)*(XP1-Xp5-R/K3))/(TAN(f1)-TAN(f3))Q2(Xq2,Yq2)Xq2＝(TAN(f1)*Xp2-TAN(f4)*(Xp7+R/K4)+Yp7-Yp2-R/K1)/(TAN(f1)-TAN(f4))Yq2＝(TAN(f1)*Yp7-TAN(f4)*(Yp2+R/K1)+TAN(f1)*TAN(f4)*(XP2-Xp7-R/K4))/(TAN(f1)-TAN(f4))Q3(Xq3,Yq3)Xq3＝(TAN(f2)*Xp3-TAN(f3)*(Xp6-R/K3)+Yp6-Yp3+R/K2)/(TAN(f2)-TAN(f3))Yq3＝(TAN(f2)*Yp6-TAN(f3)*(Yp3-R/K2)+TAN(f2)*TAN(f3)*(XP3-Xp6+R/K3))/(TAN(f2)-TAN(f3))Q4(Xq4,Yq4)Xq4＝(TAN(f2)*Xp4-TAN(f4)*(Xp8-R/K4)+Yp8-Yp4-R/K2)/(TAN(f2)-TAN(f4))Yq4＝(TAN(f2)*Yp8-TAN(f4)*(Yp4+R/K2)+TAN(f2)*TAN(f4)*(XP4-Xp8+R/K4))/(TAN(f2)-TAN(f4))；步骤S403、坐标向量比例放大计算：Q1’(X’q1,Y’q1)X’q1＝(Xq1-320)*k3/k+320Y’q1＝(Yq1+240)*k1/k-240Q2’(X’q2,Y’q2)X’q2＝(Xq2-320)*k4/k+320Y’q2＝(Yq2+240)*k1/k-240Q3’(X’q3,Y’q3)X’q3＝(Xq3-320)*k3/k+320Y’q3＝(Yq3+240)*k2/k-240Q4’(X’q4,Y’q4)X’q4＝(Xq4-320)*k4/k+320Y’q4＝(Yq4+240)*k2/k-240步骤S403、计算所述元器件的长度：Mp9＝abs((Xp9-X’q1)*(Y’q1-Y’q2)-(Yp9-Y’q1)*(X’q1-X’q2))/sqrt((Y’q1-Y’q2)^2+(X’q1-X’q2)^2)Mp10＝abs((Xp10-X’q3)*(Y’q3-Y’q4)-(Yp10-Y’q3)*(X’q3-X’q4))/sqrt((Y’q3-Y’q4)^2+(X’q3-X’q4)^2)Mp11＝abs((Xp11-X’q3)*(Y’q3-Y’q4)-(Yp11-Y’q3)*(X’q3-X’q4))/sqrt((Y’q3-Y’q4)^2+(X’q3-X’q4)^2)计算所述元器件的高度的步骤，包括：步骤S501、获取像素值：N1、N2、N3；步骤S502、计算所述元器件的高度：Hy1＝((N1*k1+R)/cos(G1)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体IC元器件尺寸测量方法，其特征在于，包括：获取标定块的实际尺寸，以及通过视觉测量模块测量标定块的像素尺寸；根据所述标定块的实际尺寸、标定块的像素尺寸，确定像素尺寸与实际尺寸的转换关系；获取元器件的像素尺寸，结合所述转换关系，计算得到所述元器件的实际尺寸。

【技术特征摘要】
1.一种半导体IC元器件尺寸测量方法，其特征在于，包括：获取标定块的实际尺寸，以及通过视觉测量模块测量标定块的像素尺寸；根据所述标定块的实际尺寸、标定块的像素尺寸，确定像素尺寸与实际尺寸的转换关系；获取元器件的像素尺寸，结合所述转换关系，计算得到所述元器件的实际尺寸。2.根据权利要求1所述的半导体IC元器件尺寸测量方法，其特征在于，所述获取标定块的实际尺寸的步骤中，包括：使所述标定块包括测量参照平台及凸出于所述测量参照平台的测量凸部；获取所述标定块的A、B、C1、C2、D，其中：A为所述测量凸部的实际长度、B为所述测量凸部的实际宽度、C1为所述测量凸部的第一侧端相对于所述测量参照平台的第一侧端的实际距离、C2为所述测量凸部的第二侧端相对于所述测量参照平台的第二侧端的实际距离、D为所述测量凸部的第三侧端相对于所述测量参照平台的第三侧端的实际距离；所述通过视觉测量模块测量标定块的像素尺寸的步骤包括：获取所述标定块的图像中的H、L1、L2、L3、L4、S1、S2，并计算所述标定块的图像中的夹角f1、f2、f3、f4，其中：H为所述标定块的俯视图的所述测量凸部的像素长度、L1为所述标定块的左视图的所述测量凸部的像素长度、L2为所述标定块的右视图的所述测量凸部的像素长度、L3为所述标定块的前视图的所述测量凸部的像素宽度、L4为所述标定块的后视图的所述测量凸部的像素宽度、S1为所述标定块的左视图的所述测量凸部相对于所述测量参照平台的像素距离、S2为所述标定块的右视图的所述测量凸部相对于所述测量参照平台的像素距离、f1为所述标定块的左视图的所述测量凸部相对于竖直方向线的像素夹角、f2为所述标定块的右视图的所述测量凸部相对于竖直方向线的像素夹角、f3为所述标定块的前视图的所述测量凸部相对于竖直方向线的像素夹角、f4为所述标定块的后视图的所述测量凸部相对于竖直方向线的像素夹角。3.根据权利要求2所述的半导体IC元器件尺寸测量方法，其特征在于，所述确定像素尺寸与实际尺寸的转换关系的步骤中，包括：步骤S301、计算求像素比例值：k＝A/H；k1＝A/L1；k2＝A/L2；k3＝B/L3；k4＝B/L4；步骤S302、计算求左右镜面投射角弧度值(rad)：G1＝atan(E/D)+asin(S1*K1/SQR(D^2+E^2))；G2＝atan(E/D)+asin(S2*K2/SQR(D^2+E^2))。4.根据权利要求3所述的半导体IC元器件尺寸测量方法，其特征在于，所述计算得到所述元器件的实际尺寸的步骤中，包括计算所述元器件的长度的步骤、以及计算所述元器件的高度的步骤；其中，计算所述元器件的长度的步骤，包括：步骤S401、获取交点像素坐标值：P1(XP1,YP1)；P2(XP2,YP2)；P3(XP3,YP3)；P4(XP4,YP4)；P5(XP5,YP5)；P6(XP6,YP6)；P7(XP7,YP7)；P8(XP8,YP8)；P9(XP9,YP9)；P10(XP10,YP10)；P11(XP11,YP11)；其中，塑封体圆角修正值为R，而默认值R＝0.11mm；步骤S402、求交点像素坐标值：Q1(Xq1,Yq1)Xq1＝(TAN(f1)*Xp1-TAN(f3)*(Xp5+R/K3)+Yp5-Yp1+R/K1)/(TAN(f1)-TAN(f3))Yq1＝(TAN(f1)*Yp5-TAN(f3)*(Yp1-R/K1)+TAN(f1)*TAN(f3)*(XP1-Xp5-R/K3))/(TAN(f1)-TAN(f3))Q2(Xq2,Yq2)Xq2＝(TAN(f1)*Xp2-TAN(f4)*(Xp7+R/K4)+Yp7-Yp2-R/K1)/(TAN(f1)-TAN(f4))Yq2＝(TAN(f1)...

【专利技术属性】
技术研发人员：张伟峰，黎前军，
申请(专利权)人：东莞市北井光控科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44