柔韧印刷基板用铜箔、使用了该铜箔的覆铜层叠体、柔韧印刷基板和电子设备制造技术

本发明专利技术提供一种弯曲性优异的柔韧印刷基板用铜箔。一种柔韧印刷基板用铜箔，其是包含99.0质量%以上的Cu、和余量的不可避免的杂质的铜箔，该铜箔的电导率超过75%IACS，铜箔表面的KAM值的构成比=(KAM值为0～0.875的区域A)/(KAM值为0～5的区域B)为0.98以上。

【技术实现步骤摘要】
柔韧印刷基板用铜箔、使用了该铜箔的覆铜层叠体、柔韧印刷基板和电子设备
本专利技术涉及适用于柔韧印刷基板等的布线部件的铜箔、使用了该铜箔的覆铜层叠体、柔韧布线板、和电子设备。
技术介绍
柔韧印刷基板(柔韧布线板、以下称作“FPC”)因具有挠性而广泛用于电子电路的弯曲部或可动部。例如，在HDD或DVD和CD-ROM等圆盘相关设备的可动部、或折叠式便携电话的弯曲部等使用FPC。FPC是指通过将铜箔和树脂层叠得到的覆铜层叠体(CopperCladLaminate、以下称作CCL)蚀刻而形成布线、再用被称作覆盖层的树脂层包覆其上而得到的基板。在层叠覆盖层的前阶段，作为用于提高铜箔和覆盖层的粘附性的表面改质工序的一环，进行铜箔表面的蚀刻。另外，为了减小铜箔的厚度以提高弯曲性，有时还会进行薄壁蚀刻。然而，随着电子设备的小型、薄型、高性能化，要求在这些设备的内部以高密度安装FPC，为了进行高密度安装，则需要将FPC弯曲收纳在小型化的设备内部、即要求高的弯曲性。另一方面，开发了一种改善了IPC弯曲性所代表的高循环弯曲性的铜箔(专利文献1、2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010-100887号公报；专利文献2：日本特开2009-111203号公报。
技术实现思路
专利技术所要解决的课题然而，如上所述，为了以高密度安装FPC，需要提高MIT耐折性所代表的弯曲性，以往的铜箔存在弯曲性的改善尚不充分的问题。本专利技术为了解决上述课题而提出，其目的在于：提供一种弯曲性优异的柔韧印刷基板用铜箔、使用了该铜箔的覆铜层叠体、柔韧印刷基板和电子设备。用于解决课题的手段本专利技术人进行了各种研究，结果发现：通过将铜箔的最终冷轧前的晶体粒径微细化，冷轧中向铜箔各区域的转位的蓄积变得均匀，在重结晶后即使在铜箔的任一区域，应变也均得到开放，因此可以兼具KAM值的降低和断裂伸长率的提高，进而可以提高弯曲性。通常，KAM值越大，则在重结晶后粒内应变越蓄积，在KAM值大(粒内应变的蓄积大)的区域和KAM值小(粒内应变的蓄积少)的区域，因弯曲时的塑性变形行为不同而断裂。因此，如果增加KAM值小的区域，则铜箔内的弯曲时的塑性变形行为变得均匀，弯曲性提高。即，本专利技术的柔韧印刷基板用铜箔是包含99.0质量%以上的Cu、和余量的不可避免的杂质的铜箔，电导率超过75%IACS，上述铜箔表面的KAM值的构成比=(KAM值为0～0.875的区域A)/(KAM值为0～5的区域B)为0.98以上。在本专利技术的柔韧印刷基板用铜箔中，将板厚设为x[μm]时，优选断裂伸长率y[%]为式1：[y=-0.0365(%·(μm)-2)x2+2.1352(%·(μm)-1)x-5.7219(%)]以上。在本专利技术的柔韧印刷基板用铜箔中，优选包含JIS-H3100(C1100)中所规范的韧铜(TPC)或JIS-H3100(C1020)的无氧铜(OFC)。本专利技术的柔韧印刷基板用铜箔中，优选还分别单独或两种以上含有以下的元素而形成的铜箔：0.03质量%以下的P、0.05质量%以下的Ag、0.14质量%以下的Sb、0.163质量%以下的Sn、0.288质量%以下的Ni、0.058质量%以下的Be、0.812质量%以下的Zn、0.429质量%以下的In、和0.149质量%以下的Mg。本专利技术的柔韧印刷基板用铜箔为轧制铜箔，优选300℃×30分钟退火(其中，升温速度为100℃/分钟～300℃/分钟)后，电导率超过75%IACS，并且上述构成比为0.98以上。本专利技术的覆铜层叠体是将上述柔韧印刷基板用铜箔和树脂层层叠而形成的。本专利技术的柔韧印刷基板是在上述覆铜层叠体的上述铜箔上形成电路而构成的。本专利技术的电子设备是使用上述柔韧印刷基板而形成的。专利技术效果根据本专利技术，可得到弯曲性优异的柔韧印刷基板用铜箔。附图简述[图1]是显示实施例和比较例的铜箔厚度与断裂伸长率的关系的图。[图2]是显示实施例和比较例的通过EBSD测定得到的晶体方位分布(map)的图。具体实施方式以下，对本专利技术所涉及的铜箔的实施方式进行说明。需要说明的是，在本专利技术中，只要没有特别说明，则“%”表示“质量%”。＜组成＞本专利技术所涉及的铜箔包含99.0质量%以上的Cu、和余量的不可避免的杂质。如上所述，通过将铜箔的最终冷轧前的晶体粒径微细化，冷轧中向铜箔各区域的转位的蓄积变得均匀，在重结晶后即使在铜箔的任一区域，应变也均得到开放，因此可以兼具KAM值的降低和断裂伸长率的提高，进而弯曲性提高。通常，KAM值越大，则在重结晶后粒内应变越蓄积，在KAM值大(粒内应变的蓄积大)的区域和KAM值小(粒内应变的蓄积少)的区域，因弯曲时的塑性变形行为不同而断裂。因此，如果增加KAM值小的区域，则不仅铜箔内的弯曲时的塑性变形行为变得均匀，而且弯曲性也提高。但是，在上述的Cu为99.0质量%以上的纯铜系组成的情况下，由于在铜箔的重结晶后难以减小KAM值，因此通过在冷轧时的初期(反复进行退火和冷轧时的初期的冷轧时)进行重结晶退火，可以通过冷轧大量地导入加工应变，在重结晶后增加KAM值小的区域的同时提高断裂伸长率，可以进一步提高弯曲性。另外，为了在铜箔的重结晶后兼具KAM值的降低和断裂伸长率的提高，在反复进行冷轧和退火的工序之中，优选将最终退火后所进行的最终冷轧前的晶体粒径设为10μm以上～不足15μm。在晶体粒径为15μm以上的情况下，无法兼具KAM值的降低和断裂伸长率的提高，弯曲性变差。另一方面，在晶体粒径为小于10μm的情况下，兼具KAM值的降低和断裂伸长率的提高的效果达到饱和。在最终冷轧前的晶体粒径为15μm以上的情况下，由于加工时的转位的缠结局部性地变小，而使应变的蓄积减少，因此在重结晶后应变并未得到释放，难以兼具KAM值的降低和断裂伸长率的提高。在最终冷轧前的晶体粒径为小于10μm的情况下，在铜箔的几乎整个区域都会产生加工时的转位缠结，无法形成在其以上的缠结，兼具重结晶后的KAM值降低和断裂伸长率提高的效果达到饱和。而且，轧制成本升高。因此，将最终冷轧前的晶体粒径的下限设为10μm。作为将铜箔的最终冷轧前的晶体粒径微细化的方法，可以列举：使最终退火温度大于400℃且在500℃以下、且将即将最终退火前的冷轧加工度η设为0.91以上且1.6以下。另外，作为减小重结晶后的KAM值的添加元素，相对于上述组成，若分别单独或两种以上含有以下的元素，则可以容易地减小KAM值：0.0005质量%以上且0.03质量%以下的P、0.0005质量%以上且0.05质量%以下的Ag、0.0005质量%以上且0.14质量%以下的Sb、0.0005质量%以上且0.163质量%以下的Sn、0.0005质量%以上且0.288质量%以下的Ni、0.0005质量%以上且0.058质量%以下的Be、0.0005质量%以上且0.812质量%以下的Zn、0.0005质量%以上且0.429质量%以下的In、和0.0005质量%以上且0.149质量%以下的Mg。由于P、Ag、Sb、Sn、Ni、Be、Zn、In和Mg在冷轧时会增加转位的缠结频率，因此在重结晶后可以兼具KAM值的降低和断裂伸长率的提高。另外，如果在冷轧时的初期仅进行一次重结晶退火、以后不再进行重结晶退火，则通过冷轧使转位的缠结增加，由此本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.柔韧印刷基板用铜箔，其是包含99.0质量%以上的Cu、和余量的不可避免的杂质的铜箔，该铜箔的电导率超过75%IACS，上述铜箔表面的KAM值的构成比=(KAM值为0～0.875的区域A)/(KAM值为0～5的区域B)为0.98以上。

【技术特征摘要】
2017.08.03 JP 2017-1506271.柔韧印刷基板用铜箔，其是包含99.0质量%以上的Cu、和余量的不可避免的杂质的铜箔，该铜箔的电导率超过75%IACS，上述铜箔表面的KAM值的构成比=(KAM值为0～0.875的区域A)/(KAM值为0～5的区域B)为0.98以上。2.权利要求1所述的柔韧印刷基板用铜箔，将板厚设为x[μm]时，断裂伸长率y[%]为式1：[y=-0.0365(%・(μm)-2)x2+2.1352(%・(μm)-1)x-5.7219(%)]以上。3.权利要求1或2所述的柔韧印刷基板用铜箔，该铜箔包含JIS-H3100(C1100)中所规范的韧铜或JIS-H3100(C1020)的无氧铜。4.权利要求1～3的任一项所述的柔韧印刷基板用铜箔，该...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂东慎介，
申请(专利权)人：捷客斯金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP