一种显示设备及其制备方法技术

本发明专利技术属于显示器件领域，提供了显示设备及其制备方法。本发明专利技术提供的显示设备，在发光器件和封装结构之间引入了还原氧化石墨烯层，还原氧化石墨烯层为二氨基吡啶功能化的氧化石墨烯，在器件发热散出的热量驱动下，还原氧化石墨烯层将吸收热量，电子跃迁至LUMO能级，随后发生辐射跃迁产生蓝光，从而在降低器件热量的同时实现蓝光补偿，有利于提高器件寿命稳定性并形成全彩色显示。

【技术实现步骤摘要】
一种显示设备及其制备方法
本专利技术属于显示器件领域，尤其涉及一种显示设备及其制备方法。
技术介绍
量子点(Quantumdot，QD)由于具有尺寸可调谐的发光、发光线宽窄、光致发光效率高和热稳定性等特点，因此以量子点作为发光层的量子点发光二极管(QLED)是极具潜力的下一代显示和固态照明光源。量子点发光二极管因具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点近年来在照明和显示领域获得了广泛的关注与研究。经过多年的发展，QLED技术获得了巨大的发展。从公开报道的文献资料来看，目前最高的红色和绿色QLED的外量子效率已经超过或者接近20％，表明红绿QLED的内量子效率实际上已经接近100％的极限。然而，作为高性能全彩显示不可或缺的蓝色QLED目前不论是在电光转换效率还是在使用寿命上都远低于红绿QLED，从而限制了QLED在全彩显示方面的应用。再者，从国际上各研究机构和相关公司公布的数据来看，目前很难做到QLED的性能有很好的重复性，这就导致了QLED的大规模实用化生产还有很多的问题需要解决。因此，现有的发光器件存在蓝光发光效率低和使用寿命短的问题，从而限制了发光器件在全彩显示方面的应用以及大规模实用化生产。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种显示设备及其制备方法，旨在解决现有的发光器件由于蓝光发光效率低和使用寿命短而限制了发光器件在全彩显示方面的应用以及大规模实用化生产的问题。本专利技术提供了一种显示设备，包括：基板；发光器件，所述发光器件设置在所述基板上；还原氧化石墨烯层，所述还原氧化石墨烯层覆盖所述发光器件，所述还原氧化石墨烯层的材料包括二氨基吡啶功能化的氧化石墨烯；封装结构，所述封装结构设置在所述基板和被还原氧化石墨烯层覆盖的发光器件上，所述封装结构覆盖所述被还原氧化石墨烯层覆盖的发光器件。本专利技术还提供了一种显示设备的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供基板；在所述基板上形成发光器件；在所述发光器件上沉积还原氧化石墨烯层，使所述还原氧化石墨烯层覆盖所述发光器件，其中所述还原氧化石墨烯层的材料包括二氨基吡啶功能化的氧化石墨烯；在所述基板及被还原氧化石墨烯层覆盖的发光器件上形成封装结构，使所述封装结构覆盖所述被还原氧化石墨烯层覆盖的发光器件。本专利技术提供的显示设备，在发光器件和封装结构之间引入了还原氧化石墨烯层，还原氧化石墨烯层为二氨基吡啶功能化的氧化石墨烯，在器件发热散出的热量驱动下，还原氧化石墨烯层吸收热量，电子跃迁至LUMO能级，随后发生辐射跃迁产生蓝光，从而在降低器件热量的同时实现蓝光补偿，有利于提高器件寿命稳定性并形成全彩色显示。本专利技术提供的显示设备的制备方法，制备工艺简单，成本低，可实现大规模生产。附图说明图1是本专利技术的实施例提供的显示设备的结构示意图；图2是本专利技术的实施例提供的发光器件的结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。请参阅图1，图1为本专利技术实施例提供的显示设备的结构示意图。该显示设备包括基板1、设置在基板上的发光器件2、形成在发光器件2上表面的还原氧化石墨烯层3以及包覆发光器件2和还原氧化石墨烯层3的封装结构4，其中，还原氧化石墨烯层3的材料包括二氨基吡啶功能化的氧化石墨烯，还原氧化石墨烯层3在吸收热量后将于蓝光范围内发光。在本专利技术实施例中，基板1的选用不受限制，可以采用刚性基板，也可以采用柔性基板。其中，刚性基板包括但不限于玻璃、金属箔片中的一种或多种；柔性基板包括但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚醚酮(PEEK)、聚苯乙烯(PS)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚芳基酸酯(PAT)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚氯乙烯(PV)、聚乙烯(PE)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、纺织纤维中的一种或多种。在本专利技术实施例中，发光器件2具有常规结构(请参阅图2)，包括设置在基板1上的底电极201和依次设置在底电极201上的第一功能层202、发光层203、第二功能层204、顶电极205。发光器件2不受器件结构的限制，可以是正型结构的器件，也可以为反型结构的器件。当发光器件2的结构为正型结构时，则底电极201为阳极，第一功能层202为空穴功能层，第二功能层204为电子功能层，顶电极205为阴极；当发光器件2的结构为反型结构时，则底电极201为阴极，第一功能层202为电子功能层，第二功能层204为空穴功能层，顶电极205为阳极。在其中一个实施例中，以发光器件2的结构为正型结构对器件进行解释说明，需要说明的是，本实施例对阳极、空穴功能层、电子功能层以及阴极的描述并不只限于对正型结构的描述，同样适用于对反型结构的器件阳极、空穴功能层、电子功能层以及阴极的描述。进一步地，底电极201为阳极，沉积在基板1上，底电极201材料的选用不受限制，可选自掺杂金属氧化物，包括但不限于铟掺杂氧化锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、锑掺杂氧化锡(ATO)、铝掺杂氧化锌(AZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)、铟掺杂氧化锌(IZO)、镁掺杂氧化锌(MZO)、铝掺杂氧化镁(AMO)中的一种或多种，也可以选自掺杂或非掺杂的透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，包括但不限于AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2中的一种或多种。进一步地，第一功能层202为空穴功能层，用于注入和传输空穴，包括但不限于设置在底电极上的至少一层空穴传输层。在本实施例中，空穴传输层的厚度对膜层的导电性和空穴的注入效率影响较大，太薄则导电性较弱，且导致空穴电子不平衡，发光区可能在电子传输层而不在发光层；太厚则不利于注入。为了使膜层具有较强的导电性和较高的空穴注入效率，优选地，空穴传输层的厚度为0nm-100nm，更优先地，为40nm-50nm。具体地，空穴传输层可选自具有空穴传输能力的有机材料和/或具有空穴传输能力的无机材料。其中，具有空穴传输能力的有机材料包括但不限于聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)(poly-TPD)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)(PFB)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示设备，其特征在于，包括：基板；发光器件，所述发光器件设置在所述基板上；还原氧化石墨烯层，所述还原氧化石墨烯层覆盖所述发光器件，所述还原氧化石墨烯层的材料包括二氨基吡啶功能化的还原氧化石墨烯；封装结构，所述封装结构设置在所述基板和被还原氧化石墨烯层覆盖的发光器件上，所述封装结构覆盖所述被还原氧化石墨烯层覆盖的发光器件。

【技术特征摘要】
1.一种显示设备，其特征在于，包括：基板；发光器件，所述发光器件设置在所述基板上；还原氧化石墨烯层，所述还原氧化石墨烯层覆盖所述发光器件，所述还原氧化石墨烯层的材料包括二氨基吡啶功能化的还原氧化石墨烯；封装结构，所述封装结构设置在所述基板和被还原氧化石墨烯层覆盖的发光器件上，所述封装结构覆盖所述被还原氧化石墨烯层覆盖的发光器件。2.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述还原氧化石墨烯层的折射率大于所述封装结构的折射率。3.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述还原氧化石墨烯层的折射率大于2。4.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述还原氧化石墨烯层的厚度为5nm-30nm。5.如权利要求1-4任一项所述的显示设备，其特征在于，所述发光器件为正型结构发光器件或者为反型结构发光器件。6.如权利要求5所述的显示设备，其特征在于，所述发光器件包括发光层，所述发光层的厚度为10nm-100nm；和/或所述发光层的材料为无机半导体纳米晶、IV族单质半导体发光材料、钙钛矿纳米晶和有机发光材料中的至少一种。7.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘佳，曹蔚然，梁柱荣，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44