一种显示设备及其制备方法技术

技术编号:20450575 阅读:29 留言:0更新日期:2019-02-27 03:55
本发明专利技术属于显示器件领域,提供了显示设备及其制备方法。本发明专利技术提供的显示设备,包括基板、发光器件、封装结构以及复合材料层。封装结构形成在基板和发光器件上,以覆盖发光器件;复合材料层设置在发光器件和封装结构之间。复合材料层为碳纳米材料和金属纳米六边形结构材料的复合材料层,由于碳纳米材料具有优越的透光性,金属纳米颗粒具有优越的导热性能,两者结合形成复合材料后即具有优越的透光性,同时也能够有效吸收器件发热散出的热量,从而使器件的热量及时散发,保证其导热性的持续稳定,有利于提高器件的寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种显示设备及其制备方法
本专利技术属于显示器件领域,尤其涉及一种显示设备及其制备方法。
技术介绍
量子点(Quantumdot,QD)由于具有尺寸可调谐的发光、发光线宽窄、光致发光效率高和热稳定性等特点,因此以量子点作为发光层的量子点发光二极管(QLED)是极具潜力的下一代显示和固态照明光源。量子点发光二极管因具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点近年来在照明和显示领域获得了广泛的关注与研究。然而,现有的QLED器件由于本身防水性能和氧性能较差,空气中的水和氧气很容易渗入QLED器件内部,影响器件性能。因此,QLED的封装技术成为提高QLED防水性能和氧性能的关键制程。但是,封装过程中的密闭环境容易导致QLED散发的热量无法及时散出,使得整个显示器温度升高,影响其效率及寿命。因此,现有的发光器件由于封装的密闭环境而存在无法及时将器件的热量散出而使器件存在发光效率低和使用寿命短的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种显示设备及其制备方法,旨在解决现有的发光器件由于封装的密闭环境而存在无法将器件的热量及时散出而使器件存在发光效率低和使用寿命短的问题。本专利技术提供了一种显示设备,包括:基板;发光器件,所述发光器件设置在所述基板上;封装结构,所述封装结构设置在所述基板和所述发光器件上,以覆盖所述发光器件;复合材料层,所述复合材料层设置在所述发光器件和所述封装结构之间,所述复合材料层为碳纳米材料和金属纳米六边形结构材料的复合材料层。本专利技术还提供了一种显示设备的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:提供基板;在所述基板上形成发光器件;在封装结构上设置复合材料层;将设置有复合材料层的封装结构设置在所述基板和所述发光器件上以覆盖所述发光器件,其中所述复合材料层处在所述发光器件和所述封装结构之间,所述复合材料层为碳纳米材料和金属纳米六边形结构材料的复合材料层。本专利技术还提供了另一种显示设备的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:提供基板;在所述基板上形成发光器件;在所述基板和所述发光器件上形成复合材料层以覆盖所述发光器件;在所述基板、被复合材料层覆盖的发光器件上设置封装结构以覆盖所述被复合材料层覆盖的发光器件;其中所述复合材料层为碳纳米材料和金属纳米六边形结构材料的复合材料层。本专利技术提供的显示设备,包括基板、发光器件、封装结构以及复合材料层。封装结构形成在基板和发光器件上,以覆盖发光器件;复合材料层设置在发光器件和封装结构之间。复合材料层为碳纳米材料和金属纳米六边形结构材料的复合材料层,由于碳纳米材料具有优越的透光性,金属纳米颗粒具有优越的导热性能,两者结合形成复合材料后即具有优越的透光性,同时也能够有效吸收器件发热散出的热量,从而使器件的热量及时散发,保证其导热性的持续稳定,有利于提高器件的寿命。附图说明图1是本专利技术的实施例提供的显示设备的结构示意图;图2是本专利技术的另一实施例提供的显示设备的结构示意图;图3是本专利技术的实施例提供的发光器件的结构示意图;图4是本专利技术的实施例提供的对应图1的显示设备的结构示意图;图5是本专利技术的另一实施例提供的对应图2的显示设备的结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。在本专利技术的描述中,需要理解的是,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。请结合图1和图2,本专利技术实施例提供的显示设备的结构示意图。该显示设备包括基板1、发光器件2、复合材料层(在图1中,复合材料层对应31;在图2中,复合材料层对应32)以及封装结构4。封装结构3形成在基板1和发光器件2上,以覆盖发光器件2;复合材料层设置在发光器件2和封装结构4之间。复合材料层为碳纳米材料和金属纳米六边形结构材料的复合层。其中,复合材料层设置在发光器件2和封装结构4之间至少包括复合材料层31设置在发光器件2的上表面与封装结构4之间(如图1所示)。在其中一种实施例中,复合材料层32也可以是设置在发光器件2的上表面与封装结构4之间同时覆盖发光器件2(如图2所示)。其中,发光器件2的底面连接于基板1,与该底面相对的一面是发光器件2的上表面。在本专利技术实施例中,基板1的选用不受限制,可以采用刚性基板,也可以采用柔性基板。其中,刚性基板包括但不限于玻璃、金属箔片中的一种或多种;柔性基板包括但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚醚酮(PEEK)、聚苯乙烯(PS)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚芳基酸酯(PAT)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚氯乙烯(PV)、聚乙烯(PE)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、纺织纤维中的一种或多种。在本专利技术实施例中,发光器件2具有常规结构(请参阅图3),包括设置在基板1上的底电极201和依次设置在底电极201上的第一功能层202、发光层203、第二功能层204、顶电极205。发光器件2不受器件结构的限制,可以是正型结构的器件,也可以反型结构的器件。当发光器件2的结构为正型结构时,则底电极201为阳极,第一功能层202为空穴功能层,第二功能层204为电子功能层,顶电极205为阴极;当发光器件2的结构为反型结构时,则底电极201为阴极,第一功能层202为电子功能层,第二功能层204为空穴功能层,顶电极205为阳极。在其中一个实施例中,以发光器件2的结构为正型结构对器件进行解释说明,需要说明的是,本实施例对阳极、空穴功能层、电子功能层以及阴极的描述并不只限于对正型结构的描述,同样适用于对反型结构的阳极、空穴功能层、电子功能层以及阴极的描述。进一步地,底电极201为阳极,沉积在基板1上,底电极201材料的选用不受限制,可选自掺杂金属氧化物,包括但不限于铟掺杂氧化锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、锑掺杂氧化锡(ATO)、铝掺杂氧化锌(AZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)、铟掺杂氧化锌(IZO)、镁掺杂氧化锌(MZO)、铝掺杂氧化镁(AMO)中的一种或多种,也可以选自掺杂或非掺杂的透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极,包括但不限于AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2中的一种或多种。进一步地,第一功能层202为空穴功能层,用于注入和传输空穴,包括但不限于设置在底电极上的至少一层空穴传输层。在本实施例中,空穴传输层的厚度对膜层的导电性和空穴的注入效率影响较大,太薄则导电性较弱,且导致空穴电子不平衡,发光区可能在电子传输层而不在发光层;太厚则不利于注入。为了使膜层具有较强的导电性和较高的空穴注入效率,优选地,空穴传输层的厚度为0nm-100nm,更优先地,为40nm-50nm。具体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示设备,其特征在于,包括:基板;发光器件,所述发光器件设置在所述基板上;封装结构,所述封装结构设置在所述基板和所述发光器件上,以覆盖所述发光器件;复合材料层,所述复合材料层设置在所述发光器件和所述封装结构之间,所述复合材料层为碳纳米材料和金属纳米六边形结构材料的复合材料层。

【技术特征摘要】
1.一种显示设备,其特征在于,包括:基板;发光器件,所述发光器件设置在所述基板上;封装结构,所述封装结构设置在所述基板和所述发光器件上,以覆盖所述发光器件;复合材料层,所述复合材料层设置在所述发光器件和所述封装结构之间,所述复合材料层为碳纳米材料和金属纳米六边形结构材料的复合材料层。2.如权利要求1所述的显示设备,其特征在于,所述金属纳米六边形结构材料包括AgNPH、CuNPH、AuNPH、AlNPH、WNPH、FeNPH、NiNPH、PtNPH、ZnNPH、SnNPH和MoNPH中的至少一种。3.如权利要求1所述的显示设备,其特征在于,所述碳纳米材料包括石墨烯、氧化石墨烯和碳纳米管中的至少一种。4.如权利要求1所述的显示设备,其特征在于,所述复合材料层的厚度为10nm-50nm。5.一种显示设备的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:提供基板;在所述基板上形成发光器件;在封装结构上设置复合材料层;将设置有复合材料层的封装结构设置在所述基板和所述发光器件上以覆盖所述发光器件,其中所述复合材料层设置在所述发光器件和所述封装结构之间,所述复合材料层为碳纳米材料和金属纳米六边形结构材料的复合材料层。6.一种显示设备的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:提供基板;在所述基板上形成发光器件;在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘佳曹蔚然梁柱荣
申请(专利权)人:TCL集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1