一种复合电极材料及其制备方法与QLED器件技术

技术编号:20450573 阅读:24 留言:0更新日期:2019-02-27 03:55
本发明专利技术公开一种复合电极材料及其制备方法与QLED器件,所述复合电极材料采用G或GO、纳米结晶状纤维素和透明导电材料制备而成。本发明专利技术纳米结晶状纤维素是一种具有棒状结构的、透光性很高且机械强度很大的一种材料。将它混入CNTs(或AgNWs)和G(或GO)之间,纤维素相当于结合剂,将CNTs(或AgNWs)和G(或GO)在任何维度结合在一起,可以朝任意方向弯曲。采用G(或GO)、纳米结晶状纤维素和透明导电材料制备成的复合电极结构不仅增加了透光率,最重要的是,弯曲度很大,可以作为柔性电极使用。

【技术实现步骤摘要】
一种复合电极材料及其制备方法与QLED器件
本专利技术涉及电极材料制备
和量子点发光二极管
,尤其涉及一种复合电极材料及其制备方法与QLED器件。
技术介绍
半导体量子点具有尺寸可调谐的光电子性质,已经被广泛地应用于发光二极管、太阳能电池和生物荧光标记。量子点合成技术经过二十多年的发展,人们已经可以合成各种高质量的纳米材料,其光致发光效率可以达到85%以上。由于量子点具有尺寸可调节的发光、发光线宽窄、光致发光效率高和热稳定性高等特点,因此以量子点作为发光层的量子点发光二极管(QD-LED)是极具潜力的下一代显示和固态照明光源。量子点发光二极管(QLED)因具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点,近年来在照明和显示领域获得了广泛的关注与研究。经过多年的发展,QLED技术获得了巨大的发展。从公开报道的文献资料来看,目前最高的红色和绿色QLED的外量子效率已经超过或者接近20%,表明红绿QLED的内量子效率实际上已经接近100%的极限。然而,作为高性能全彩显示不可或缺的蓝色QLED目前不论是在电光转换效率还是在使用寿命上都远低于红绿QLED,从而限制了QLED在全彩显示方面的应用。近年来,柔性显示作为显示领域的一个热点出现,可作为可穿戴设备的显示屏,另外,其应用在电视机及手机屏幕,可以大大增加显示视角,为用户提供方便。在以石墨烯为透明电极的QLED器件中,由于石墨烯的电学稳定性和机械稳定性较差,故其作为柔性电极的应用受到限制。因此,最大限度的提高以石墨烯作为柔性电极的弯曲度是极为重要的。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足,本专利技术的目的在于提供一种复合电极材料及其制备方法与QLED器件,以解决现有石墨烯作为柔性电极的应用受到限制的问题。本专利技术的技术方案如下:一种复合电极材料,其中,所述复合电极材料采用石墨烯(G)或氧化石墨烯(GO)、纳米结晶状纤维素和透明导电材料制备而成。所述的复合电极材料,其中,所述透明导电材料为碳纳米管(CNTs)或银纳米线(AgNWs)。所述的复合电极材料,其中,所述AgNWs的直径为1-100nm。所述的复合电极材料,其中,所述纳米结晶状纤维素的长径比为30-300。所述的复合电极材料,其中,所述纳米结晶状纤维素的长度为100-1000nm,直径为3-100nm。所述的复合电极材料,其中,所述复合电极材料采用摩尔比为3:1:5-4:2:5的G或GO、纳米结晶状纤维素和透明导电材料制备而成。一种如上任一所述的复合电极材料的制备方法,其中,将G或GO溶液、纳米结晶状纤维素溶液和透明导电材料溶液混合,然后进行反应,制备得到所述复合电极材料。所述的复合电极材料的制备方法,其中,所述反应的时间为12-36h。一种QLED器件,所述QLED器件依次包括叠层设置的阳极、量子点发光层和阴极,其中,所述阳极或阴极采用如上任一所述的复合电极材料制备得到。所述的QLED器件,其中,采用复合电极材料制备得到的阳极或阴极的厚度为50-200nm。有益效果:本专利技术采用G(或GO)、纳米结晶状纤维素和透明导电材料制备复合电极材料。纳米结晶状纤维素是一种具有棒状结构的、透光性很高、且机械强度很高的一种材料。将纳米结晶状纤维素混于透明导电材料和G(或GO)中,所述纳米结晶状纤维素相当于结合剂,将透明导电材料和G(或GO)在任何维度都结合在一起,使得可以朝任意方向弯曲。这种复合电极材料不仅增加了透光率,而且弯曲度很大,可以作为柔性电极使用。附图说明图1为本专利技术提供的一种不含空穴功能层、电子功能层的正装结构的QLED器件的结构示意图。图2为本专利技术提供的一种不含空穴功能层、电子功能层的倒装结构的QLED器件的结构示意图。图3为本专利技术提供的一种含空穴传输层、电子传输层的正装结构的QLED器件的结构示意图。图4为本专利技术提供的一种含空穴传输层、电子传输层的倒装结构的QLED器件的结构示意图。具体实施方式本专利技术提供一种复合电极材料及其制备方法与QLED器件,为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。本专利技术提供一种复合电极材料,其中,所述复合电极材料采用G或GO、纳米结晶状纤维素和透明导电材料制备而成。优选地,所述透明导电材料可以为但不限于碳纳米管(CNTs)或银纳米线(AgNWs)等。所述CNTs和所述AgNWs均具有较好的透明性能和导电性能。更优选地,所述透明导电材料为AgNWs,所述AgNWs的直径为1-100nm,长度不限。本专利技术采用G(或GO)、纳米结晶状纤维素和透明导电材料制备所述复合电极材料的原因:纳米结晶状纤维素是一种具有棒状结构的、透光性很高、且机械强度很高的一种材料。将纳米结晶状纤维素混于透明导电材料和G(或GO)中,所述纳米结晶状纤维素相当于结合剂,将透明导电材料和G(或GO)在任何维度都结合在一起,使得可以朝任意方向弯曲。这种结构不仅增加了透光率,而且弯曲度很大,可以作为柔性电极使用。优选地,所述纳米结晶状纤维素的长径比为30-300;其中所述纳米结晶状纤维素的长度为100-1000nm,直径为3-100nm。本专利技术还提供一种如上任一所述的复合电极材料的制备方法,其中,将G或GO溶液、纳米结晶状纤维素溶液和透明导电材料溶液混合,然后进行反应,所述反应的时间为12-36h,制备得到所述复合电极材料。例如,在一种具体的实施方式中,将G或GO水溶液,纳米结晶状纤维素水溶液,AgNWs水溶液混合,然后常温超声24h,使其反应完全。等体积下,G或GO、纳米结晶状纤维素和AgNWs的浓度比为3:1:5-4:2:5,即其摩尔比为3:1:5-4:2:5,若小于最小值,则粘合剂纳米结晶状纤维素量较少,则其不能完全的粘合AgNWs/G(或GO),导致复合阳极弯曲性和稳定性减弱。若大于最大值,则复合阳极导电性较差。故应选择上述范围的比例。本专利技术还提供一种QLED器件,所述QLED器件包括依次叠层设置的阳极、量子点发光层和阴极,其中,所述阳极或阴极采用如上任一所述的复合电极材料制备得到。根据所述QLED器件发光类型的不同,所述QLED器件可以分为正装结构的QLED器件和倒装结构的QLED器件。作为一个具体实施例,当所述QLED器件为正装结构的QLED器件时,如图1所示,所述QLED器件包括从下往上依次叠层设置的阳极1、量子点发光层2和阴极3;其中,所述阳极1或阴极3采用如上任一所述的复合电极材料制备得到。作为另一个具体实施例,当所述QLED器件为倒装结构的QLED器件时,如图2所示,所述QLED器件包括从下往上依次叠层设置的阴极3、量子点发光层2和阳极1;其中,所述阳极1或阴极3采用如上任一所述的复合电极材料制备得到。优选的,所述QLED器件还可以包括所述阳极和量子点发光层之间设置的空穴功能层;和/或所述阴极和量子点发光层之间设置的电子功能层。所述空穴功能层包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一种,所述电子功能层包括电子注入层和电子传输层中的至少一种。更优选的,所述QLED器件同时包括空穴功能层和电子功能层,所述空穴功能层包括空穴传输层,所述电子功能层包括电子传输层。相应的,作为一个具体实施例,当所述Q本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种复合电极材料,其特征在于,所述复合电极材料采用G或GO、纳米结晶状纤维素和透明导电材料制备而成。

【技术特征摘要】
1.一种复合电极材料,其特征在于,所述复合电极材料采用G或GO、纳米结晶状纤维素和透明导电材料制备而成。2.根据权利要求1所述的复合电极材料,其特征在于,所述透明导电材料为CNTs或AgNWs。3.根据权利要求2所述的复合电极材料,其特征在于,所述AgNWs的直径为1-100nm。4.根据权利要求1所述的复合电极材料,其特征在于,所述纳米结晶状纤维素的长径比为30-300。5.根据权利要求4所述的复合电极材料,其特征在于,所述纳米结晶状纤维素的长度为100-1000nm,直径为3-100nm。6.根据权利要求1所述的复合电极材料,其特征在于,所述复合电极材料采用摩尔比为3:1:5-4:...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘佳曹蔚然梁柱荣
申请(专利权)人:TCL集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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