【技术实现步骤摘要】
一种电子轰击型雪崩二极管的制备
本专利技术涉及的是一种能够探测电子并具有雪崩放大效应的电子轰击型雪崩二极管，属于光电探测弓粒子探测
技术介绍
光电探测领域凭借其广泛的应用前景和巨大的战略价值，目前已经成为各国大力发展的关键
在种类众多的光电探测器中，混合型光电探测器是20世纪90年代才发展起来的一种新型光电探测器，它融合了真空光电器件与半导体光电器件的优点，同时弥补了后两类缺点与不足，广泛应用于高能物理、医疗仪器、生物检测、量子通信、天文观察以及激光测距等领域。
技术实现思路
本专利技术提出的是一种电子轰击型雪崩二极管的制备，其目的在于克服现有技术所存在的上述缺陷，针对器件工作特点，采用能对电子响应的电子轰击型雪崩二极管，对阴极光电子实现收集并放大输出。本专利技术的技术解决方案：一种电子轰击型雪崩二极管的制备，其特征在于：在n型Si衬底（6)上依次为p型Si外延层（4)、p型Si重掺杂层（1)、正面电极（2)，Si02氧化层（5)位于P型Si外延层（4)和p型Si重掺杂层（1)的表面和侧面，玻璃钝化层（3)位于5102氧化层（5)之上，背面电极（7)位于n型Si衬底（6)的下方。本专利技术的优点在于：本结构的器件可实现半导体结区对入射电子的收集，同时器件工作在雪崩电压下，可实现对结区收集电子的雪崩放大，制备工艺简便，暗电流低，可靠性高，克服了传统雪崩光电二极管无法实现电子探测的缺点，可用于混合型光电探测器的制备及入射信号为电子的直接探测。附图说明图1是一种电子轰击型雪崩二极管的制备的结构示意图。具体实施方式如图1所示，一种电子轰击型雪崩二极管...
【技术保护点】
1.一种电子轰击型雪崩二极管的制备，其特征在于：在n型Si衬底（6)上依次为p型Si外延层（4)、p型Si重掺杂层（1)、正面电极（2)，Si02氧化层（5)位于p型Si外延层（4)和p型Si重掺杂层（1)的表面和侧面，玻璃钝化层（3)位于Si02氧化层（5)之上，背面电极（7)位于n型Si衬底（6)的下方。
【技术特征摘要】
1.一种电子轰击型雪崩二极管的制备，其特征在于：在n型Si衬底（6)上依次为p型Si外延层（4)、p型Si重掺杂层（1)、正面电极（2)，Si02氧化层（5)位于p型Si外延层（4)和p型Si重掺杂层（1)的表面和侧面，玻璃钝化层（3)位于Si02氧化层（5)之上，背面电极（7)位于n型Si衬底（6)的下方。2.根据权利要求1所述的一种电子轰击型雪崩二极管的制备，其特征在于：所述的n型Si衬底（6)电子浓度为1X1018cm3...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：湖北汇欣智能化系统工程有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42
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