耐冲击减震结构及电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种耐冲击减震结构及电子元件。耐冲击减震结构包括阻抗叠层以及缓冲叠层。阻抗叠层配置于电子元件的第一表面上，缓冲叠层配置于电子元件的第二表面上，电子元件的第一表面以及第二表面相对应。缓冲叠层包括软膜层以及支撑层。支撑层配置于软膜层与电子元件之间。

【技术实现步骤摘要】
耐冲击减震结构及电子装置
本专利技术涉及一种耐冲击减震结构以及电子装置。
技术介绍
电子元件(例如是软性电子元件)在轻薄化后，本身的机械强度、硬度不足，在制造、搬运及使用时容易受到外力的刮伤、磨损而造成损伤，因而造成元件可靠度的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种数种耐冲击减震结构，其可以形成在电子元件上，或贴合在电子元件上，以减少电子元件受到外力刮伤撞击，或是在受压下造成的损坏，进而增加电子产品的可靠度。为达上述目的，本专利技术提出一种耐冲击减震结构，适用于电子元件。耐冲击减震结构包括阻抗叠层以及缓冲叠层。阻抗叠层配置于电子元件的第一表面上，缓冲叠层配置于电子元件的第二表面上。电子元件的第二表面与第一表面相对应。缓冲叠层包括软膜层以及支撑层，所述支撑层配置于所述软膜层与所述电子元件之间。本专利技术另一实施例提出一种耐冲击减震结构，适用于电子元件，其中所述电子元件具有第一表面以及与所述第一表面相对应的第二表面。所述耐冲击减震结构包括配置于所述电子元件的所述第二表面上的缓冲叠层。所述缓冲叠层包括软膜层以及支撑层。所述支撑层配置于所述软膜层与所述电子元件之间。本专利技术又一些实施例提出一种电子装置，包括电子元件以及上述配置于电子元件上的耐冲击减震结构。为让本专利技术能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。附图说明图1A、图1B、图2A、图2B、图3、图4、图6A至图6C、图7至图10、图11A以及图12为本专利技术数个实施例的具有耐冲击减震结构的电子装置的剖面示意图；图5为本专利技术的实施例的缓冲叠层的俯视图；图11B为图11A中的缓冲叠层的软膜层沿着切线I-I’的俯视图。符号说明110：缓冲叠层111、1111：软膜层111a、111a’：第一软膜层111b、111b’：第二软膜层1112：第三软膜层1113：第四软膜层113、1131、1132：支撑层(SupportFilm)113a、113a’：第一支撑层113b、113b’：第二支撑层115：流体130：阻抗叠层131：防刮耐磨保护层133：硬质涂层135：软性物质137：硬质支撑层210：电子元件310：光学层S1、S2：表面T1、T2：顶面P1：界面R1：第一区R2：第二区OP1、OP3：开口D5、D6：距离W3、W4：宽度Ydevice、Yr、Ysoft、Ysupport、Yhard、Yhardsupport、Yplastic：杨氏系数Ldevice、Lr、Lsoft、Lsupport、Lhard、Lhardsupport、Lplastic、t1、t2：厚度I-I’：切线具体实施方式本说明书以下揭示的内容提供数个不同的实施例。为求方便说明，以下揭示的实施例列出指定构件，并以特定方式组合。然而，这些实施例并非用以限定本专利技术。以下实施例中，相同或相似的构件以相同或相似的符号表示，以下将不再赘述。所绘附图中的元件尺寸是为说明方便而绘制，并非代表其实际的元件尺寸比例。本专利技术实施例提出数种耐冲击减震结构。这些耐冲击减震结构可以形成在电子元件上，或是贴合在电子元件(例如软性电子元件)上，用于减少电子元件受到尖锐物刮伤，或是受到撞击或压力时造成的损坏，进而增加电子产品的可靠度。在以下所述的杨氏系数可经由纳米压痕或是微拉伸求得。当材料不可单一成膜时，则以纳米压痕方法为主，或复合叠层材料拉伸换算求得。图1A为本专利技术实施例的具有耐冲击减震结构的电子装置的剖面示意图。请参照图1A，本专利技术实施例的耐冲击减震结构10a1配置于电子元件210的第一表面S1和第二表面S2上。电子元件210的第一表面S1和第二表面S2彼此相对应。电子元件210可以是导线、电极、电阻、电感、电容、晶体管、二极管、开关元件、放大器、处理器、控制器、薄膜晶体管、触控元件、压力感测元件、微机电元件、回馈元件、显示器(OLED&Micro-LED)或其它适当的电子元件。在一些实施例，电子元件210可以是消费型电子用品的荧幕。电子元件210的杨氏系数(Ydevice)范围例如是介于10GPa至100GPa。电子元件210的厚度(Ldevice)范围例如是介于30μm至150μm。继续参照图1A，耐冲击减震结构10a1包括缓冲叠层110以及阻抗叠层130。阻抗叠层130配置于电子元件210的第一表面S1上。在一些实施例中，第一表面S1可以是电子元件210光源输出面，或是使用者的点击区。阻抗叠层130具有防刮以及防撞的功能，可以减少电子元件210的表面受到尖锐物刮损或者受到撞击时的损害。阻抗叠层130的杨氏系数(Yr)例如是介于1GPa至60GPa之间。在一些实施例中，阻抗叠层130的杨氏系数范围例如是介于1GPa至40GPa之间。在另一些实施例中，阻抗叠层130的杨氏系数范围例如是介于1GPa至30GPa之间。从另一方面来说，电子元件210与阻抗叠层130的杨氏系数比值(Ydevice/Yr)的范围例如是0.16至100。在一些实施例中，杨氏系数比值(Ydevice/Yr)的范围例如是0.25至100。在另一些实施例中，杨氏系数比值(Ydevice/Yr)的范围例如是0.33至100。阻抗叠层130的形成方法包括涂布、印刷或其组合。阻抗叠层130的厚度(Lr)例如是介于10μm至100μm之间。换言之，电子元件210的厚度与阻抗叠层130的厚度比值(Ldevice/Lr)的范围例如为0.3至15。在一些实施例中，阻抗叠层130可以是可挠性基板，或是防刮耐磨保护层131。在一些实施例中，防刮耐磨保护层131又称为塑胶窗口(PlasticWindow)。本说明书下文为方便阅读的缘故，都以防刮耐磨保护层为实施例，但并不限于此。阻抗叠层130可以是单层、双层或是多层结构。在一些实施例中，阻抗叠层130包括有机材料(或称为聚合物)。有机材料例如是聚酰亚胺(PI)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚酰胺(PA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚醚酮(PEEK)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚乙烯亚胺(PEI)、聚氨酯(PU)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、压克力(acrylic)、含醚(ether)系列的聚合物、聚烯(polyolefin)的一种或者是两种以上的组合，但不以此为限。换言之，阻抗叠层130可以是单一的有机材料、两种有机材料的混合物或多种有机材料的混合物。在另一些实施例中，阻抗叠层130为复合材料。阻抗叠层130包括有机材料以及无机材料。无机材料可以点状、条状、网状、立体网状或其组合的方式分布于有机材料中。有机材料如上述所述者。无机材料的加入可以提升耐冲击减震结构的耐冲击能力。无机材料可以是二氧化硅(Silica)、氧化铝(Aluminumoxide)、氧化钛(titanicoxide)或其组合，但不以此为限。在阻抗叠层130为复合材料(含有有机材料与无机材料)且所采用的无机材料为二氧化硅的实施例中，二氧化硅的表面官能基可通过分散反应处理，使无机材料产生交联反应，而形成网状结构，以提升其抗压强度。在一些实施例中，分散反应处理可以是利用催化剂，以使无机材料表面官能基产生交联反应。在一些实施例中，催化剂可以是酸性或碱性。酸性的催化剂可以例如是盐酸(本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种耐冲击减震结构，适用于电子元件，其特征在于，该耐冲击减震结构包括：阻抗叠层，配置于所述电子元件的第一表面上；以及缓冲叠层，配置于所述电子元件的第二表面上，其中所述第二表面与所述第一表面相对应，所述缓冲叠层包括：软膜层；以及支撑层，所述支撑层配置于所述软膜层与所述电子元件之间。

【技术特征摘要】
2017.08.14 US 62/544,9211.一种耐冲击减震结构，适用于电子元件，其特征在于，该耐冲击减震结构包括：阻抗叠层，配置于所述电子元件的第一表面上；以及缓冲叠层，配置于所述电子元件的第二表面上，其中所述第二表面与所述第一表面相对应，所述缓冲叠层包括：软膜层；以及支撑层，所述支撑层配置于所述软膜层与所述电子元件之间。2.如权利要求1所述的耐冲击减震结构，其中所述阻抗叠层的杨氏系数介于1至60GPa；所述软膜层的杨氏系数介于0.05至1GPa；所述支撑层的杨氏系数介于50至300GPa。3.如权利要求1所述的耐冲击减震结构，其中所述阻抗叠层包括有机材料与无机材料的复合材料。4.如权利要求1所述的耐冲击减震结构，其中所述阻抗叠层包括有机材料制成的防刮耐磨保护层。5.如权利要求4所述的耐冲击减震结构，其中所述阻抗叠层包括：图案化硬质涂层，配置于所述防刮耐磨保护层上方；以及软性物质，配置于所述图案化硬质涂层的多个开口中。6.如权利要求5所述的耐冲击减震结构，其中所述阻抗叠层还包括硬质支撑层，配置于所述图案化硬质涂层与所述防刮耐磨保护层之间。7.如权利要求1所述的耐冲击减震结构，其中所述阻抗叠层与所述电子元件之间包括光学层。8.如权利要求7所述的耐冲击减震结构，其中所述光学层包括黑色滤光层或彩色滤光层。9.一种耐冲击减震结构，适用于电子元件，其中所述电子元件具有第一表面以及与所述第一表面相对应的第二表面，其特征在于，所述耐冲击减震结构包括：缓冲叠层，配置于所述电子元件的所述第二表面上，所述缓冲叠层包括：软膜层；以及支撑层，所述支撑层...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄瑞彰，蔡镇竹，张凯铭，张志嘉，郑莛薰，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，创智智权管理顾问股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71