【技术实现步骤摘要】
一种用于无掩模光刻机的真空吸附控制装置
本技术涉及无掩膜光刻
，具体涉及一种用于无掩模光刻机的真空吸附控制装置。
技术介绍
在半导体无掩模光刻机应用过程中，由于光刻机内部光刻物镜的焦深很有限，所以曝光工艺对wafer的表面平面度要求很高。一方面要固定好wafer，另一方面又不能让wafer发生细微形变，影响曝光效果，这种细微形变指1um以上的形变，这种近乎苛刻的要求成为了半导体无掩模光刻系统中一大难题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于无掩模光刻机的真空吸附控制装置，可有效解决因wafer在加工过程中固定不良而造成曝光不良的问题，减少报废率，节约成本。为实现上述目的，本技术采用了以下技术方案：一种用于无掩模光刻机的真空吸附控制装置，包括真空吸盘、真空发生器及开关电源，所述真空吸盘的上方设置有晶元，真空吸盘通过管路与真空发生器连接，所述管路上设有真空阀门，所述真空阀门的控制管脚通过连接线与开关电源的电源端连接，所述连接线上设置有真空按钮。作为上述技术方案的进一步改进：还包括真空度数显示表，所述真空度数显示表安装在真空吸盘与真空阀门之间的管路上。所述真空吸盘上设有多个气孔，其侧面设有气孔，通过控制电源的开断控制真空吸盘吸附晶元。由上述技术方案可知，本技术所述的用于无掩模光刻机的真空吸附控制装置，通过按下真空按钮开关，真空阀门打开，晶元被吸附，曝光完成后可按下真空按钮，真空阀门关闭，可取下晶元。吸附时的真空度可通过真空度数显表来读取，并可通过手动调节真空发生器来调节真空度。本技术可有效解决因晶元在加工过程中固定不良而造成曝光不良的问题，减少报废率，节约成...
【技术保护点】
1.一种用于无掩模光刻机的真空吸附控制装置，其特征在于：包括真空吸盘（1）、真空发生器（4）及开关电源（5），所述真空吸盘（1）的上方设置有晶元（11），真空吸盘（1）通过管路（7）与真空发生器（4）连接，所述管路（7）上设有真空阀门（3），所述真空阀门（3）的控制管脚通过连接线与开关电源（5）的电源端连接，所述连接线上设置有真空按钮（6）。
【技术特征摘要】
1.一种用于无掩模光刻机的真空吸附控制装置，其特征在于：包括真空吸盘（1）、真空发生器（4）及开关电源（5），所述真空吸盘（1）的上方设置有晶元（11），真空吸盘（1）通过管路（7）与真空发生器（4）连接，所述管路（7）上设有真空阀门（3），所述真空阀门（3）的控制管脚通过连接线与开关电源（5）的电源端连接，所述连接线上设置有真空按钮（6）。2.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏云飞，
申请(专利权)人：合肥芯碁微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34
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