具线路的导线架改善结构制造技术

技术编号:20396501 阅读:52 留言:0更新日期:2019-02-20 05:52
本实用新型专利技术公开一种具线路的导线架改善结构,包括有:一导线架、一平台及一线路。该导线架具有一边框、多个联结杆及一金属芯片座,以该些联结杆连结该边框及该金属芯片座,使该些联结杆、该边框及该金属芯片座之间具有一贯穿区域。该平台设于该贯穿区域上,该平台上具有一正面、一端面及一背面。该线路设于该平台的该正面、该端面及该背面。无导通孔设计的导线架结构,该导线架结构上的线路直接由平台的正面绕经端面至平台的背面,让正面及背面的线路可以电性连结,使该导线架制作上更佳容易简单,也使该线路不易产生电性连结不良的问题。

【技术实现步骤摘要】
具线路的导线架改善结构
本技术涉及一种导线架,尤指一种线路无导通孔式的导线架结构改良。
技术介绍
已知,目前的IC半导体芯片或发光二极管的发光芯片在封装时,都是先将芯片固晶导线架后,再进行打金线使芯片与内脚线路电性连结,在打完金线后于利用树脂于该芯片及该导线架上形成一封装体,再进行裁切成为一颗颗的半导体元件。上述的导线架制作时(如图1、图2),通过冲压技术将该金属板10a进行冲压后形成有一个导线架1a,该导线架1a具有一边框11a、多个联结杆12a、一金属芯片座13a及贯穿区域14a,该些联结杆12a与该边框11及该金属芯片座13a连结,该贯穿区域14a包含有一第一贯穿口141a、一第二贯穿口142a、一第三贯穿口143a及一第四贯穿口144a。在于导线架1a上利用射出或热压技术将塑料成型于该贯穿区域14a的第一贯穿口141a、该第二贯穿口142a、该第三贯穿口143及该第四贯穿口144a中形成有一平台2a。接着,以雷射光雕机于该平台2a的一侧面上进行光蚀刻,在光蚀刻后于该平台2a的一侧面上形成有多个沟槽21a及该些沟槽21a上各具有一导通孔22a。最后,以薄膜沉积过程中使金属材料沉积在该些沟槽21a及该些贯穿孔22a里形成一线路(图中未示),该线路包含有多条导电线、多个与该些导电线电性连结的多个导电柱及多个导电部,该些导电柱设于该导通孔22a中,由该平台2a正面贯穿至该平台2a的背面,以电性连结正面及背面的该些导电部。由于上述的导线架结构是利用导通孔22a连结该平台2正面及背面的线路,在后续线路制作过程中由于该导通孔22a的孔径小封孔不易,且难以平整,导致工艺上的困难,且也易产生导电不良问题。
技术实现思路
因此,本技术的主要目的,在于解决传统缺失,本技术提供一种无导通孔设计的导线架结构,该导线架结构上的线路直接由平台的正面绕经端面至平台的背面,让正面及背面的线路可以电性连结,使该导线架制作上更佳容易简单,也使该线路不易产生电性连结不良的问题。为达上述的目的,本技术提供一种具线路的导线架改善结构,包括有:一导线架、一平台及一线路。该导线架具有一边框、多个联结杆及一金属芯片座,以该些联结杆连结该边框及该金属芯片座,使该些联结杆、该边框及该金属芯片座之间具有一贯穿区域。该平台设于该贯穿区域上,该平台上具有一正面、一端面及一背面。该线路设于该平台的该正面、该端面及该背面。在本技术的一实施例中,该贯穿区域包含有两个以上的贯穿口。在本技术的一实施例中,该平台的该正面、该端面及该背面上具有多个沟槽,该线路设于该些沟槽中。在本技术的一实施例中,该平台为塑料。在本技术的一实施例中,该塑料为环氧树脂封装材料。在本技术的一实施例中,该线路具有多条的导电线及多个导电部,该些导电线设于该平台的该正面、该端面及该背面的该些沟槽中,该些导电部设于该平台的该正面及该背面中,并与该些导电线电性连结。在本技术的一实施例中,该平台的该端面上的该些沟槽为半圆形或弧形。在本技术的一实施例中,该平台设于该导线架后,该平台的正面的该些联结杆外露,该平台的背面的联结杆呈现不外露。在本技术的一实施例中,该线路设于该平台的该正面、该端面及该背面,使该线路凸出于该平台的该正面、该端面及该背面的表面。以下结合附图和具体实施例对本技术进行详细描述,但不作为对本技术的限定。附图说明图1,为传统的导线架外观示意图;图2,为图1的背面示意图﹔图3,为本技术的具线路的导线结构分解示意图﹔图4,为本技术的具线路的导线架结构的立体外观示意图;图5,为图4的背面示意图;图6a,为图4的局部放大立体示意图﹔图6b,为图6a的侧视示意图﹔图7,为本技术的具线路的导线架结构的另一实施例示意图﹔图8,为本技术的具线路的导线架结构的再一实施例示意图。其中,附图标记:(现有技术)金属板10a导线架1a边框11a联结杆12a金属芯片座13a贯穿区域14a第一贯穿口141a第二贯穿口142a第三贯穿口143a第四贯穿口144a平台2a沟槽21a导通孔22a(本技术)导线架1联结杆11金属芯片座12贯穿区域13第一贯穿口131第二贯穿口132第三贯穿口133第四贯穿口134平台2正面21端面22背面23沟槽24线路3导电线31导电部32具体实施方式兹有关本技术的
技术实现思路
及详细说明,现在配合图式说明如下:请参阅图3、图4、图5,为本技术的具线路的导线架结构分解、立体外观及图4的背面示意图。如图所示:本技术的具线路的导线架改扇结构,包括﹕一导线架1、一平台2及一线路3。该导线架1,通过冲压技术将该金属板(图中未示)进行冲压,在该金属板冲压后形成有至少一个导线架1,于每一个该导线架1具有一边框(图中未示),该边框的四角连结有多个联结杆(Tiebar)11,该些联结杆11连结有一金属芯片座12,以及该边框、该些连结杆11及该金属芯片座12之间形成有多个贯穿区域13。其中,该贯穿区域13包含有一第一贯穿口131、一第二贯穿口132、一第三贯穿口133及一第四贯穿口134。该平台2,在上述冲压完成的导线架1上利用射出或热压技术将塑料成型于该贯穿区域13该第一贯穿口131、该第二贯穿口132、该第三贯穿口133及该第四贯穿口134中形成有一平台2。在该平台2成型于导线架1后,该平台2的正面21的使该些联结杆11外露,该平台2的背面23的联结杆11呈现不外露状态。在本图式中,该塑料为环氧树脂封装材料(EpoxyMoldingCompound,EMC)。在该平台2制作完成后,利用雷射光雕机(图中未示)于该平台2的正面21、端面22及背面23上进行光蚀刻,在光蚀刻后于该平台2上的该正面、该端面22及该背面23上形成有多个沟槽24。该线路3,在上述该平台2的该些沟槽24制作完成后,于该正面21、该端面22及该背面23的该些沟槽24中进行薄膜沉积技术,在薄膜沉积过程中使金属材料沉积在该些沟槽24里形成一线路3,该线路3包含有多条导电线31及多个与该些导电线31电性连结的电连结部32,该些电连结部32设于该平台2的正面21及背面23,该些导电线31由该平台2的正面21经该端面22绕至于该背面23上。请参阅图6a、图6b,为图4的局部放大立体及图6a侧视示意图。如图所示﹕由于本技术的导线架在改善后,该平台2上的线路3的该些导电线31,由该平台2的正面21绕经该平台2的端面22至该平台2的背面电性连结该正面21及该背面23的该些电连结部32,以省去该线路3利用导通孔电性连结该平台2的正面21及背面23的该些电连结部32的工艺,使该导线架制作上更佳容易简单,也使线路3不易产生电性连结不良的问题。请参阅图7,为本技术的具线路的导线架结构的另一实施例示意图。如图所示﹕在该平台2制作完成后,在该平台2的该正面21、该端面22及该背面23上进行光蚀刻时,该端面22上的沟槽24为半圆形或弧形,在薄膜沉积过程中使金属材料沉积在该端面22的该些沟槽24里的该些导电线31具有一特定厚度,使该些导电线31电性连结该正面及该背面的该些导电部32的导电性效果更佳。请参阅图8,为本技术的具线路的导线架结构的再一实施例示意图。如图本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种具线路的导线架改善结构,其特征在于,包括有:一导线架,具有一边框、多个联结杆及一金属芯片座,以该联结杆连结该边框及该金属芯片座,使该联结杆、该边框及该金属芯片座之间具有一贯穿区域;一平台,设于该贯穿区域上,该平台上具有一正面、一端面及一背面;一线路,设于该平台的该正面、该端面及该背面。

【技术特征摘要】
2018.08.07 TW 1072107791.一种具线路的导线架改善结构,其特征在于,包括有:一导线架,具有一边框、多个联结杆及一金属芯片座,以该联结杆连结该边框及该金属芯片座,使该联结杆、该边框及该金属芯片座之间具有一贯穿区域;一平台,设于该贯穿区域上,该平台上具有一正面、一端面及一背面;一线路,设于该平台的该正面、该端面及该背面。2.根据权利要求1所述的具线路的导线架改善结构,其特征在于,该贯穿区域包含有两个以上的贯穿口。3.根据权利要求1所述的具线路的导线架改善结构,其特征在于,该平台的该正面、该端面及该背面上具有多个沟槽,该线路设于该沟槽中。4.根据权利要求1所述的具线路的导线架改善结构,其特征在于,该平台为塑料。5.根据权利要求4所述的具线...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱振丰陈原富
申请(专利权)人:复盛精密工业股份有限公司中山复盛机电有限公司
类型:新型
国别省市:中国台湾,71

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