一种降低芯片减薄碎片率的硅片倒角结构及方法技术

很多用于小体积封装的半导体芯片，需要减薄到一定厚度，才能放入封装体内，当厚度低于150微米的时候，碎片率会大幅度提升，对减薄设备、工艺等提出更高要求，常规减薄方法使用的硅片，其倒角为椭圆倒角或者圆形倒角，这种倒角的硅片在减薄的过程中，容易造成硅片边缘较薄，进而崩边，硅片一旦崩边，在接下来的工艺中极其容易造成整片破碎，本发明专利技术改善硅片减薄过程，利用圆角矩形倒角的硅片制造芯片，减薄过程中，硅片边缘始终和金刚砂轮垂直，采用此方法，同等设备工艺条件下，减薄厚度150微米时可以降低碎片率50%以上，当减薄至100微米时，更是可以降低碎片率70%以上。

【技术实现步骤摘要】
一种降低芯片减薄碎片率的硅片倒角结构及方法
本专利技术属于一种硅片倒角结构及方法，此专利技术适用于降低芯片减薄碎片率。
技术介绍
很多用于小体积封装的半导体芯片，需要减薄到一定厚度，才能放入封装体内，当厚度低于150微米的时候，碎片率会大幅度提升，对减薄设备、工艺等提出更高要求，常规减薄方法使用的硅片，其倒角为椭圆倒角或者圆形倒角，这种倒角的硅片在减薄的过程中，容易造成硅片边缘较薄，进而崩边，硅片一旦崩边，在接下来的工艺中极其容易造成整片破碎，本专利技术改善硅片减薄过程，利用圆角矩形倒角的硅片制造芯片，减薄过程中，硅片边缘始终和金刚砂轮垂直，采用此方法，同等设备工艺条件下，减薄厚度150微米时可以降低碎片率50%以上，当减薄至100微米时，更是可以降低碎片率70%以上。
技术实现思路
1、一种降低芯片减薄碎片率的硅片倒角结构，其结构包括：矩形结构101和圆角结构102，圆角半径长度103小于1/2减薄厚度105，减薄厚度105小于150微米。2、一种降低芯片减薄碎片率的方法，其方法包括：A、硅片制备，拉单晶、切片、倒角、抛光，倒角边缘为圆角矩形，圆角半径根据最终减薄厚度确定；B、芯片制备，通过光刻、注入、扩散、溅射等工艺实现芯片功能；C、减薄、封装、测试，减薄时，硅片边缘始终和减薄金刚砂轮成90度直角，降低减薄碎片率，且减薄完成后，硅片边缘厚度大，降低后续工艺碎片风险。附图说明图1是此硅片倒角结构的截面图；图2是圆形倒角结构硅片的界面图。编号说明：101：硅片矩形结构；102：圆角结构；103：圆角半径；104：减薄的位置；105：减薄的厚度，厚度小于150微米，此结构的优点尤为突出；201：圆形倒角硅片减薄后硅片边缘位置，有锐角结构，容易崩边。具体实施方式1．硅片制备，拉单晶、切片、倒角、抛光，倒角边缘为圆角矩形，圆角半径根据最终减薄厚度确定。2．芯片制备，通过光刻、注入、扩散、溅射等工艺实现芯片功能。3．减薄、封装、测试，减薄时，硅片边缘始终和金刚砂轮成90度直角，降低减薄碎片率，且减薄完成后，硅片边缘厚度大，降低后续工艺碎片风险，普通圆形倒角硅片，减薄到后面是锐角边缘，容易崩边、碎片。通过上述实施例阐述了本专利技术，同时也可以采用其它实施例实现本专利技术。本专利技术不局限于上述具体实施例，因此本专利技术有所附权利要求范围限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降低芯片减薄碎片率的硅片倒角结构，其结构包括：矩形结构101和圆角结构102，圆角半径长度103小于1/2减薄厚度105，减薄厚度105小于150微米。

【技术特征摘要】
1.一种降低芯片减薄碎片率的硅片倒角结构，其结构包括：矩形结构101和圆角结构102，圆角半径长度103小于1/2减薄厚度105，减薄厚度105小于150微米。2.一种降低芯片减薄碎片率的方法，其方法包括：A、硅片制备，拉单晶、切片、倒角、抛光，...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛维平，关世瑛，
申请(专利权)人：上海芯石微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31