显示基板及其制备方法、显示面板、纳米微粒的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种显示基板及其制备方法、显示面板、双亲性纳米微粒的制备方法，该显示基板包括：衬底基板；像素界定层，形成在所述衬底基板上；其中，所述像素界定层包括双亲性纳米微粒阵列层和疏液层，所述双亲性纳米微粒阵列层的厚度小于所述疏液层的厚度；所述双亲性纳米微粒阵列层位于靠近所述衬底基板的一侧，所述疏液层位于所述双亲性纳米微粒阵列层上。该显示基板有利于其上形成厚度较为均匀的有机发光层，提高形成在显示基板上的有机发光二极管的使用寿命和显示画面的效果。

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制备方法、显示面板、纳米微粒的制备方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及显示基板及其制备方法、显示面板、纳米微粒的制备方法。
技术介绍
有机发光二极管OLED(Organiclight-emittingdiodes，OLED)为一种主动发光的器件，显示面板可采用OLED器件作为发光元件，制作成OLED显示面板。OLED显示面板包括显示基板，显示基板包括衬底基板和形成在衬底基板上的呈矩阵排列的像素单元，每个像素单元可包括多个发光颜色不同的有机发光二极管，有机发光二极管包括有机发光层。可通过喷墨打印的方法在衬底基板上形成有机发光层，在衬底基板上打印的有机发光层的墨滴在未干燥之前具有一定流动性，为避免相邻的不同颜色的有机发光层的墨滴因流动而发生混色，在衬底基板上设置有像素界定层。像素界定层具有开口，有机发光层形成在开口内，这样通过像素界定层限定有机发光层所在区域，开口所在区域即为有机发光单元的发光区域。现有的形成在像素界定层的开口内的有机发光层存在膜层厚度不均匀的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种显示基板及其制备方法、显示面板、双亲性纳米微粒的制备方法，以解决相关技术中的不足。根据本专利技术实施例的第一方面，提供一种显示基板，包括：衬底基板；像素界定层，形成在所述衬底基板上；其中，所述像素界定层包括双亲性纳米微粒阵列层和疏液层，所述双亲性纳米微粒阵列层的厚度小于所述疏液层的厚度；所述双亲性纳米微粒阵列层位于靠近所述衬底基板的一侧，所述疏液层位于所述双亲性纳米微粒阵列层上。可选的，所述双亲性纳米微粒阵列层中的各双亲性纳米微粒的一部分表面为亲液表面，另一部分表面为疏液表面；所述亲液表面位于靠近所述衬底基板的一侧，所述疏液表面位于远离所述衬底基板的一侧。可选的，所述双亲性纳米微粒的一半表面为所述亲液表面，另一半表面为所述疏液表面。所述亲液表面为具有磁性的膜层。可选的，所述磁性的膜层为含有磁性阴离子的聚合物膜层。根据本专利技术实施例的第二方面，提供一种双亲性纳米微粒的制备方法，包括：将纳米微粒溶液形成在一衬底上，并使所述溶液中的溶剂挥发以在所述衬底上形成纳米微粒阵列，所述纳米微粒的表面具有疏液性表面活性剂；在所述纳米微粒阵列上滴加含有磁性阴离子的液态聚合物，使所述含有磁性阴离子的液态聚合物吸附在所述纳米微粒阵列中的各纳米微粒的部分表面；对所述纳米微粒阵列进行光照处理使各所述纳米微粒的部分表面形成含有磁性阴离子的聚合物膜层，所述含有磁性阴离子的聚合物膜层具有亲液性；将所述纳米微粒阵列从所述衬底上分离，得到双亲性纳米微粒。可选的，在对所述纳米微粒阵列进行光照处理使各所述纳米微粒的部分表面形成含有磁性阳离子的聚合物膜层，之后还包括：采用界面自组装法对所述纳米微粒阵列进行处理，增强所述纳米微粒阵列中的各所述纳米微粒的未形成含有磁性阴离子的聚合物膜层的另一部表面的表面活性剂的疏液性。根据本专利技术实施例的第三方面，提供一种显示基板的制备方法，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成像素界定层；其中，所述像素界定层包括双亲性纳米微粒阵列层和疏液层，所述双亲性纳米微粒阵列层的厚度小于所述疏液层的厚度；所述双亲性纳米微粒阵列层位于靠近所述衬底基板的一侧，所述疏液层位于所述双亲性纳米微粒阵列层上。可选的，在所述衬底基板上形成像素界定层，包括：将上述方法制备出的多个双亲性纳米微粒惨杂在疏液材料胶液中；将所述疏液材料胶液形成在所述衬底基板上；对所述疏液材料胶液进行干燥处理，并在所述衬底基板未形成所述疏液材料胶液的一侧施加磁场，使所述双亲性纳米微粒向朝向所述衬底基板的一侧迁移在靠近所述衬底基板的一侧形成双亲性纳米微粒阵列层，并在所述双亲性纳米微粒阵列层上形成疏液层，且所述双亲性纳米微粒阵列层中的各双亲性纳米微粒的含有磁性阴离子的聚合物膜层的表面位于靠近所述衬底基板的一侧；对所述双亲性纳米微粒阵列层和所述疏液层进行图案化，去除部分区域的所述双亲性纳米微粒阵列层和所述疏液层，保留的所述双亲性纳米微粒阵列层和所述疏液层形成像素界定层。根据本专利技术实施例的第四方面，提供一种显示面板，包括上述任一项所述的显示基板。根据上述技术方案可知，该显示基板有利于其上形成厚度较为均匀的有机发光层，提高形成在显示基板上的有机发光二极管的使用寿命和显示画面的效果。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本专利技术。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。图1是相关技术提供的一种显示基板的截面结构示意图；图2是相关技术提供的另一种显示基板的截面结构示意图；图3是本专利技术一实施例示出的显示基板的截面结构示意图；图4是本专利技术另一实施例示出的显示基板的截面结构示意图；图5是本专利技术另一实施例示出的双亲性纳米微粒的制备方法的流程图；图6A-图6C本专利技术一实施例示出的显示基板的制备方法中的各步骤中显示基板的截面结构示意图。具体实施方式这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本专利技术相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本专利技术的一些方面相一致的装置和方法的例子。图1为相同技术提供的显示基板的截面结构示意图，如图1所示，该显示基板包括：衬底基板1，衬底基板1上形成有像素界定层2，像素界定层2具有多个开口3，可采用打印方式在各开口内形成有机发光层4。像素界定层的材料可为有机材料，在衬底基板上形成像素界定层时，可采用喷墨打印的方式将包含有机材料的溶液形成在衬底基板上，然后进行干燥，去除溶液中的溶剂后形成像素界定层。在上述溶液中通常加入含氟的低表面能小分子，在对溶液干燥成膜过程中利用界面能的不同，含氟小分子会上浮达到顶部，干燥后形成的像素界定层2中，像素界定层2的顶部，即远离衬底基板的一侧形成一层疏液层201，靠近衬底基板1的一侧形成由有机材料构成的亲液层202。像素界定层的上表面由于为疏液层，可以使打印过程中部分下落轨迹稍微偏离像素界定层的开口的有机发光层墨滴落入到开口内，避免相邻的像素单元中的有机发光层混色。但是由于有机材料的特性，其中添加的低表面能的小分子不能过多，因此形成的像素界定层2中的疏液层201部分的厚度较薄，而亲液层202的部分的厚度较厚，通常亲液层202厚度为疏液层201厚度的4-5倍，这样造成形成在开口3内的有机发光层4在与像素界定层2侧面接触的边缘攀爬过高，如图1所示，开口3内的有机发光层4的膜层厚度不均匀，有机发光层4在位于开口3的中间部分的厚度小于其与像素界定层2侧面接触的边缘部分的厚度，有机发光层3的边缘部分例如为图1中示出的位于虚线框D1和D2内的部分，有机发光层4的膜层厚度不均匀影响有机发光二极管的使用寿命和显示画面的效果。相关技术提供一种方案，参照图2所示，像素界定层包括两层，此处称为第一像素界定层5和第二像素界定层6，第一像素界定层5和第二像素界定层6依次形成在衬底基板1上，即第一像素界定5层位于靠近衬底基板1的一侧，第二像素界定层6位于第一像素界定层5上。衬底基板1上还形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板；像素界定层，形成在所述衬底基板上；其中，所述像素界定层包括双亲性纳米微粒阵列层和疏液层，所述双亲性纳米微粒阵列层的厚度小于所述疏液层的厚度；所述双亲性纳米微粒阵列层位于靠近所述衬底基板的一侧，所述疏液层位于所述双亲性纳米微粒阵列层上。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板；像素界定层，形成在所述衬底基板上；其中，所述像素界定层包括双亲性纳米微粒阵列层和疏液层，所述双亲性纳米微粒阵列层的厚度小于所述疏液层的厚度；所述双亲性纳米微粒阵列层位于靠近所述衬底基板的一侧，所述疏液层位于所述双亲性纳米微粒阵列层上。2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述双亲性纳米微粒阵列层中的各双亲性纳米微粒的一部分表面为亲液表面，另一部分表面为疏液表面；所述亲液表面位于靠近所述衬底基板的一侧，所述疏液表面位于远离所述衬底基板的一侧。3.根据权利要求2所述的基板，其特征在于，所述双亲性纳米微粒的一半表面为所述亲液表面，另一半表面为所述疏液表面。4.根据权利要求3所述的基板，其特征在于，所述亲液表面为具有磁性的膜层。5.根据权利要求4所述的基板，其特征在于，所述磁性的膜层为含有磁性阴离子的聚合物膜层。6.一种双亲性纳米微粒的制备方法，其特征在于，包括：将纳米微粒溶液形成在一衬底上，并使所述溶液中的溶剂挥发以在所述衬底上形成纳米微粒阵列，所述纳米微粒的表面具有疏液性表面活性剂；在所述纳米微粒阵列上滴加含有磁性阴离子的液态聚合物，使所述含有磁性阴离子的液态聚合物吸附在所述纳米微粒阵列中的各纳米微粒的部分表面；对所述纳米微粒阵列进行光照处理使各所述纳米微粒的部分表面形成含有磁性阴离子的聚合物膜层，所述含有磁性阴离子的聚合物膜层具有亲液性；将所述纳米微粒阵列从所述衬底上分离，得到双亲性纳米微粒。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：代青，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11