一种堆叠式图像传感器像素结构与制备方法技术

本发明专利技术公开了一种堆叠式图像传感器像素结构与制备方法，采用键合方式将第一硅片～第三硅片上下堆叠在一起；其中，在位于中层的第一硅片上设有第一感光二极管阵列，在位于上层的第二硅片上设有第二感光二极管阵列，第二感光二极管阵列中各第二感光二极管的表面与对应的第一感光二极管阵列中各第一感光二极管的表面对准键合，使形成的堆叠式图像传感器芯片具有非常深的结深，特别适用于近红外感光，能在近红外波段有效提升量子效率；且可利用背照工艺，使得照射到感光二极管的入射光不受金属互连影响，灵敏度较高，填充因子较高，特别是对于小尺寸像元来说具有非常好的感光性能，从而既兼顾了近红外量子效率，也兼顾了小像素尺寸。

【技术实现步骤摘要】
一种堆叠式图像传感器像素结构与制备方法
本专利技术涉及图像传感器
，更具体地，涉及一种堆叠式近红外图像传感器像素结构及其制备方法。
技术介绍
图像传感器是组成数字摄像头的重要组成部分。根据元件的不同，可分为CCD(ChargeCoupledDevice，电荷耦合元件)和CMOS(ComplementaryMetal-OxideSemiconductor，金属氧化物半导体元件)两大类。CMOS传感器获得广泛应用的一个前提是其所拥有的较高灵敏度、较短曝光时间和日渐缩小的像素尺寸。其中，作为CMOS图像传感器重要性能指标之一的像素灵敏度，主要由填充因子(感光面积与整个像素面积之比)与量子效率(由轰击屏幕的光子所生成的电子的数量)的乘积来决定。在CMOS图像传感器中，为了实现堪与CCD转换器相媲美的噪声指标和灵敏度水平，在CMOS图像传感器中应用了有源像素。然而有源像素(像素单元)的应用却不可避免地导致填充因子降低的结果，因为像素表面相当大的一部分面积被放大器晶体管等所占用，从而留给光电二极管的可用空间相对较小。所以，当今CMOS传感器的一个重要研究方向就是扩大填充因子。传统的CMOS图像传感器采用了前感光式(FSI，FrontSideIllumination)技术，即前照技术。前照技术的主要特点是在硅片正面按顺序制作感光二极管、金属互连层以及光管孔(LightPipe)。其优点是工艺简单，与CMOS工艺完全兼容，成本较低，光管孔填充材料折射率可调，有利于提高入射光的透射率，减少串扰等。前照技术是一种与CMOS标准工艺兼容的技术，广泛应用于各种(尤其是大像素)CMOS图像传感器芯片的制作。然而，由于光线首先需要经过上层的金属互连层才能照射到下方的感光二极管，因此前照技术的填充因子和灵敏度通常都较低。随着像素尺寸的变小，提高填充因子越来越困难。目前另一种技术是从传统的前感光式变为背部感光式(BSI，BackSideIllumination)，即背照技术。背照技术的主要特点是首先在硅片正面按顺序制作感光二极管、金属互联，然后对硅片背面进行减薄(通常需要减薄至20um以下)，并通过对于背部感光式CMOS传感器最重要的硅通孔技术(TSV，Through-Silicon-Via)将感光二极管进行互联引出。硅通孔技术是通过在芯片和芯片之间、硅片和硅片之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的最新技术。由于互连电路置于背部，前部全部留给了光电二极管，这样就实现了尽可能大的填充因子。硅通孔技术的优点是照射到感光二极管的入射光不受金属互连层的影响，灵敏度较高，填充因子较高。然而，硅通孔技术难度较高，对设备的要求较高，其成本也相对较高。而且，由于对于超薄硅片的减薄工艺的限制，通常背照技术应用于小像素的图像传感器中。在监控、车载等典型应用中，暗光场景是非常常见的。对于暗光场景，通常需要采用红外补光来增加感光度，红外补光灯的波长范围通常在850～940nm。因此，要求图像传感器在该波长范围内具备较好的近红外感光性能，即期望量子效率有较大的提升。对于感光二极管区域而言，蓝色感光结深较浅，绿色感光结深居中，红色感光结深较深，而近红外感光的结深更深。由于受到工艺前置的影响，通常无法实现很深的结深，也就无法对近红外有很好的感光或者量子效率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种基于芯片堆叠技术的堆叠式图像传感器像素结构与制备方法。为实现上述目的，本专利技术的技术方案如下：一种堆叠式图像传感器像素结构，包括：一第一硅片，其包括：位于上层的第一感光二极管阵列及控制晶体管；位于下层的金属互连层；一第二硅片，其包括：第二感光二极管阵列；所述第二硅片与第一硅片上下堆叠并相键合；其中，所述第一硅片、第二硅片分别为体硅硅片；所述第一感光二极管阵列中各第一感光二极管的上表面露出于第一硅片的上表面并与其相平齐，所述第二感光二极管阵列中各第二感光二极管的上表面和下表面分别露出于第二硅片的上表面和下表面并与其相平齐，每一第一感光二极管的上表面与一对应的第二感光二极管的下表面对准并相键合，所述第一硅片上各第一感光二极管以外的上表面与对应的第二硅片上各第二感光二极管以外的下表面对准并相键合。进一步地，所述第一感光二极管、第二感光二极管键合形成第三感光二极管，所述第三感光二极管的结深大于近红外感光时所需的感光深度。进一步地，所述第一感光二极管、第二感光二极管的尺寸为1～9微米。进一步地，围绕每个第一感光二极管设有第一隔离层，所述第一隔离层的上表面分别与第一感光二极管的上表面相平齐，围绕每个第二感光二极管设有第二隔离层，所述第二隔离层的上下表面分别与第二感光二极管的上下表面相平齐，所述第一隔离层的上表面与对应的第二隔离层的下表面对准并相键合。进一步地，所述金属互连层为一至多层。进一步地，还包括硅通孔，所述硅通孔穿设于相堆叠的所述第二硅片和第一硅片中，所述硅通孔的上端连接位于所述第二硅片上表面上的PAD层，所述硅通孔的下端连接位于所述第一硅片上层的控制晶体管。进一步地，还包括第三硅片，所述第一硅片的下表面与第三硅片的上表面上下堆叠并相键合。一种堆叠式图像传感器像素结构制备方法，包括以下步骤：提供一第一硅片，在所述第一硅片的正面上制作第一感光二极管阵列，在所述第一感光二极管阵列中各第一感光二极管的周围和底部制作第一隔离层，制作控制晶体管，以及在所述第一感光二极管阵列和控制晶体管正面上方制作金属互连层；提供一第二硅片，在所述第二硅片的正面上制作第二感光二极管阵列，在所述第二感光二极管阵列中各第二感光二极管的周围和底部制作第二隔离层；将所述第一硅片翻转，并将所述第一硅片的正面与一第三硅片的正面对准进行键合；对所述第一硅片的背面进行减薄处理，直至将第一感光二极管底部的第一隔离层去除干净，使第一感光二极管的底部完全露出；继续将所述第二硅片的正面与所述第一硅片的背面对准进行键合；对所述第二硅片的背面进行减薄处理，直至将第二感光二极管底部的第二隔离层去除干净，使第二感光二极管的底部完全露出；在所述第二硅片和第一硅片中制作硅通孔并填充，使所述硅通孔的下端连接位于所述第一硅片上的控制晶体管，上端露出于第二硅片的背面；在所述第二硅片的背面上制作PAD层，使PAD层与硅通孔的上端相连。进一步地，将所述第二硅片的正面与所述第一硅片的背面对准进行键合时，包括将露出于所述第二硅片正面的第二感光二极管的表面与露出于所述第一硅片背面的第一感光二极管的表面对准，将露出于所述第二硅片正面的第二隔离层的表面与露出于所述第一硅片背面的第一隔离层的表面对准，然后进行键合。进一步地，采用硅通孔或混合键合方式进行键合。从上述技术方案可以看出，本专利技术的新型CMOS图像传感器芯片具备以下技术优势：(1)所得到的堆叠式近红外图像传感器像素结构具有非常深的结深，特别适用于近红外感光，能在近红外波段有效提升量子效率。(2)所得到的堆叠式近红外图像传感器像素结构属于背照(BSI)工艺，使得照射到感光二极管的入射光不受金属互连层的影响，从而灵敏度和填充因子都较高。因此，本专利技术对于小尺寸像元来说具有非常好的感光性能，既兼顾了近红外量子效率，也兼顾了小像素尺寸。附图说明图1是本专利技术一较佳实施例的一种堆叠本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种堆叠式图像传感器像素结构，其特征在于，包括：一第一硅片，其包括：位于上层的第一感光二极管阵列及控制晶体管；位于下层的金属互连层；一第二硅片，其包括：第二感光二极管阵列；所述第二硅片与第一硅片上下堆叠并相键合；其中，所述第一硅片、第二硅片分别为体硅硅片；所述第一感光二极管阵列中各第一感光二极管的上表面露出于第一硅片的上表面并与其相平齐，所述第二感光二极管阵列中各第二感光二极管的上表面和下表面分别露出于第二硅片的上表面和下表面并与其相平齐，每一第一感光二极管的上表面与一对应的第二感光二极管的下表面对准并相键合，所述第一硅片上各第一感光二极管以外的上表面与对应的第二硅片上各第二感光二极管以外的下表面对准并相键合。

【技术特征摘要】
1.一种堆叠式图像传感器像素结构，其特征在于，包括：一第一硅片，其包括：位于上层的第一感光二极管阵列及控制晶体管；位于下层的金属互连层；一第二硅片，其包括：第二感光二极管阵列；所述第二硅片与第一硅片上下堆叠并相键合；其中，所述第一硅片、第二硅片分别为体硅硅片；所述第一感光二极管阵列中各第一感光二极管的上表面露出于第一硅片的上表面并与其相平齐，所述第二感光二极管阵列中各第二感光二极管的上表面和下表面分别露出于第二硅片的上表面和下表面并与其相平齐，每一第一感光二极管的上表面与一对应的第二感光二极管的下表面对准并相键合，所述第一硅片上各第一感光二极管以外的上表面与对应的第二硅片上各第二感光二极管以外的下表面对准并相键合。2.根据权利要求1所述的堆叠式图像传感器像素结构，其特征在于，所述第一感光二极管、第二感光二极管键合形成第三感光二极管，所述第三感光二极管的结深大于近红外感光时所需的感光深度。3.根据权利要求1所述的堆叠式图像传感器像素结构，其特征在于，所述第一感光二极管、第二感光二极管的尺寸为1～9微米。4.根据权利要求1所述的堆叠式图像传感器像素结构，其特征在于，围绕每个第一感光二极管设有第一隔离层，所述第一隔离层的上表面与第一感光二极管的上表面相平齐，围绕每个第二感光二极管设有第二隔离层，所述第二隔离层的上下表面分别与第二感光二极管的上下表面相平齐，所述第一隔离层的上表面与对应的第二隔离层的下表面对准并相键合。5.根据权利要求1所述的堆叠式图像传感器像素结构，其特征在于，所述金属互连层为一至多层。6.根据权利要求1所述的堆叠式图像传感器像素结构，其特征在于，还包括硅通孔，所述硅通孔穿设于相堆叠的所述第二硅片和第一硅片中，所述硅通孔的上端连接位于所述第二硅片上表面上的PAD层，所述硅通孔的下端连接位于所述第一硅片上层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李琛，段杰斌，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，成都微光集电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31